“单晶铜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果234197个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺-CN201110132163.1无效
发明人：赵剑青;杨东鲁;黄浩;赖志伟;钟丁通 -专利权人：迈士通集团有限公司
申请日： 2011-05-22 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺，其步骤是：1）将单晶铜杆通过若干道拉丝工序后形成细小的单晶铜键合丝；2）将经过乙醇超声洗涤的单晶铜键合丝作退火软化加工处理；3）在退火管后设置乙醇冷却槽，将退火后的单晶铜键合丝作乙醇急速冷却处理；4）将经过乙醇冷却槽急冷的单晶铜键合丝以红外干燥装置烘干；5）将干燥后的单晶铜键合丝经复绕分卷及真空包装后得到单晶铜键合丝产品。按照本发明生产的单晶铜键合丝能大大提高产品的抗氧化性能，并保证其性质均一、表面清洁干燥，有效提高单晶铜键合丝产品的封装性能，本方法生产工艺过程简单，操作简便。
一种提高单晶铜键合丝封装性能制备工艺

[发明专利]一种单晶铜镀金复合键合丝及其制备方法-CN201310298683.9有效
发明人：李雷;常富鼎;赵拥军;宋茂斌;江波;王付装;石磊 -专利权人：河南九发高导铜材股份有限公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶铜镀金复合键合丝的制备方法，该方法包括以下步骤：①单晶铜线的制备：将铜锭经熔化后进行定向凝固，然后对单晶铜杆进行拉拔，得到铜线；②单晶铜线表面镀金预处理；③对单晶铜线表面进行镀金；④对镀金后的单晶铜复合键合线进行拉拔。一种该方法所得的单晶铜镀金复合键合丝，所述单晶铜镀金复合键合丝包括：单晶铜基体和单晶铜基体外的镀金层，所得的单晶铜镀金复合键合丝的直径为8～25μm，电阻率小于1.72×10^-8Ωm本发明有以下优点：①解决了普通铜丝延伸率低的问题，能够制备低弧度超细单晶铜丝；②确保了键合丝的抗氧化性和耐腐蚀性；③设备投资低；④成本远低于金键合丝，能够大面积推广应用。
一种单晶铜镀金复合键合丝及其制备方法

[发明专利]一种超高品质单晶铜水平连铸制备工艺-CN202210895503.4在审
发明人：曾龙;李军;夏明许;李建国 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B22D11/045 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶铜制备工艺，具体涉及一种超高品质单晶铜水平连铸制备工艺，包括如下步骤：S1：制备具有(001)取向的单晶铜棒；S2：将制备得到的具有(001)取向的单晶铜棒制成单晶铜水平连铸牵引杆；S3：利用制得的单晶铜水平连铸牵引杆配合热型水平连铸机进行单晶铜的制备。与现有技术相比，本发明基于外延生长提供一种高品质单晶铜棒/线材制备方法，特别涉及单晶铜棒/线材取向控制方法，不仅可以杜绝单晶铜棒/线材水平连铸制备过程中的柱状晶现象，提高单晶铜水平连铸制备合格率，还可以严格控制水平连铸单晶铜棒/线材的晶体取向，获得(001)取向与轴向完全重合的单晶铜棒/线材，大幅度提高单晶铜的综合性能。
一种超高品质单晶铜水平制备工艺

[发明专利]一种铜单晶片及单晶石墨烯的制备方法-CN202210799889.9在审
发明人：薛江丽;茹亚东;高召顺;左婷婷;韩立;肖立业 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜单晶片及单晶石墨烯的制备方法。所述可商业化生产的铜单晶片的制备方法，包括：利用定向凝固技术将多晶高纯铜块，熔炼制备得到大尺寸、横截面为不同晶面的铜单晶棒；将所述的单晶铜棒沿横截面方向进行线切割，得到上千片的铜单晶片；将所述铜单晶片的两面都进行机械与电化学抛光处理，得到取向一致、表面光滑的铜单晶片，包括Cu(111)、Cu(110)和Cu(001)等晶体取向。将得到的Cu(111)单晶片作为催化基底，利用CVD生长技术可以制备出大面积、高质量的单晶石墨烯。本发明所述的铜单晶片的制备方法具有制备工艺简单成熟、造价低、产率高、可商业化生产等特点，以Cu(111)单晶片为催化基底可以制备得到面积大、质量好的石墨烯单晶。
一种晶片晶石制备方法

[发明专利]一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法-CN201710642921.1有效
发明人：尚成荣 -专利权人：尚成荣
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B21C23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶导电铜母排挤压成型加工方法，包括以下步骤：在单晶导电铜杆的表面均匀涂布抗氧化润滑油，将涂布了所述抗氧化润滑油的单晶导电铜杆送入到预热腔内，以每秒不大于20摄氏度的升温速率加热至350～380摄氏度；通过连续挤压成型机头使单晶导电铜杆通过连续挤压成型模具从而塑形制得单晶导电铜母排；浸入到所述抗氧化润滑油冷却至40摄氏度以下，然后将所述抗氧化润滑油擦拭除去，再用少量工业酒精擦拭单晶导电铜母排的表面；通过若干个共线设置的矫直辊再次矫直并牵引单晶导电铜母排，然后切割单晶导电铜母排进行成捆打包。本发明不会破坏单晶导电铜材的内在金相结构，适用于通过挤压成型工艺加工单晶导电铜母排。
一种导电铜母排挤压成型加工方法

[实用新型]一种可调控高纯铜单晶取向的组合式引杆装置-CN202220562676.X有效
发明人：任玉平;田文斌;秦高梧 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B22D11/14 文献下载
摘要：一种可调控高纯铜单晶取向的组合式引杆装置，包括单晶引锭头、联结头及牵引杆；单晶引锭头底端与联结头顶端相连接，单晶引锭头与联结头采用可拆卸式连接结构；联结头底端与牵引杆顶端相连接，联结头与牵引杆采用可拆卸式连接结构；单晶引锭头与液态金属铜接触面的法向作为单晶取向，通过调整单晶引锭头与液态金属铜接触面的法向方向对单晶取向进行调控。本实用新型用于替代传统单体式常规引锭杆，通过单晶引锭头实现对高纯铜单晶取向的调控；引杆装置整体采用组合式结构，具有结构简单及方便拆卸的特点，每次制造特定单晶取向的单晶铜杆前，只需更换具有对应单晶取向的单晶引锭头即可，引杆装置其他部件可重复使用，节约了单晶铜杆的生产成本。
一种调控高纯铜单晶取向组合式装置

[发明专利]单晶铜的制备方法-CN202110075702.6有效
发明人：邹定鑫;田圳;张振生;赵悦;俞大鹏 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，具体涉及一种单晶铜的制备方法。本发明单晶铜的制备方法中，通过将多晶铜置于石墨容器中进行退火处理，利用石墨容器的限域空间作用，将退火处理过程中的石英渣、灰尘颗粒等各种杂质隔离在石墨容器的外面，从而避免上述杂质对所得单晶铜造成杂质污染，不仅大大提高了所得单晶铜的表面洁净度和制备效率，而且可以获得大尺寸的单晶铜，使所得单晶铜具有更优异的性能。本发明提供的制备方法操作简单，无需对多晶铜进行复杂多样的表面预处理，有利于实现单晶铜的工业化制备。
单晶铜制备方法

[发明专利]一种单晶铜的制备方法-CN202210848319.4在审
发明人：刘苗;陈煜宏;丁振卿;孙本双;杨彦春;朱锦鹏 -专利权人：河南国玺超纯新材料股份有限公司;郑州大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶铜的制备方法，属于磁控溅射靶材制备技术领域。本发明提供的单晶铜的制备方法为将多晶铜依次进行酸洗、真空熔炼和半连续铸造，得到单晶铜，单晶铜的直径可达200～400mm，且制备方法简单，成本低。
一种单晶铜制备方法

[发明专利]一种基于切削过程仿真的单晶铜微铣削力预测方法-CN201910850915.4有效
发明人：卢晓红;栾贻函;贾振元;侯鹏荣;薛靓;任宗金 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G05B19/401 文献下载
摘要：本发明属于微小零件精密高效加工领域，特别涉及一种基于切削过程仿真的单晶铜微铣削力预测方法。由于单晶铜材料的特殊性，本发明首先综合考虑了晶体变形运动学、晶体塑性本构关系，率相关晶体的硬化规律等因素对于微铣削单晶铜的影响；然后对本构方程的增量形式进行了推导，采用Fortran语言编写了单晶铜VUMAT用户材料子程序，将晶体塑性本构引入到有限元仿真中；最后采用ABAQUS软件对单晶铜微铣削过程进行仿真建模，实现了单晶铜微铣削力预测。本发明以有限元切削仿真为基础，实现单晶铜微铣削力的准确预测，为研究单晶铜微铣削过程提供技术支撑，提高单晶铜微铣削加工精度与效率，具有实际应用价值。
一种基于切削过程仿真单晶铜微铣削预测方法

[发明专利]五铜化铀单晶薄膜的制备方法、五铜化铀单晶薄膜-CN201911099278.8有效
发明人：冯卫;陈秋云;刘琴;谭世勇 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种五铜化铀单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一反应腔室，所述反应腔室中包括一样品台；将一铀块装入一蒸发源，并将装有所述铀块的所述蒸发源安装至所述反应腔室中；将所述反应腔室抽真空；加热所述蒸发源以去除所述铀块中的杂质；将一铜单晶衬底放置在所述样品台上，并使得所述铜单晶衬底表面朝向所述蒸发源；以及继续加热所述蒸发源以使所述铀块中的铀原子蒸发到所述铜单晶衬底上，使得所述铀原子在所述铜单晶衬底上生长并结晶，从而得到所述五铜化铀单晶薄膜本发明提供了一种全新的五铜化铀单晶薄膜的制备方法。本发明还提供一种由所述制备方法制备的五铜化铀单晶薄膜以及五铜化铀单晶薄膜的应用。
五铜化铀单晶薄膜制备方法

[发明专利]一种铜锌锡硫单晶颗粒膜及光电化学全分解纯水装置-CN201810146813.X有效
发明人：张军;俸靖杰;廖峻;邵乐喜;薛书文;李达 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锌锡硫单晶颗粒膜及光电化学全分解纯水装置，所述铜锌锡硫单晶颗粒膜的制备方法包括如下步骤：S1.将所述铜锌锡硫单晶颗粒与含有离子导体的胶黏剂混匀，之后加入分散剂；S2.在衬底上制备一层阿拉伯树胶薄膜，将铜锌锡硫单晶颗粒、胶黏剂、分散剂的混合物涂覆于阿拉伯树胶薄膜上，所述铜锌锡硫单晶颗粒为单层分布，固化后经刻蚀露出单晶颗粒的两侧表面，制得铜锌锡硫单晶颗粒膜。光照条件下，铜锌锡硫单晶颗粒中产生的光生电子和空穴在外加电场的作用下分离到铜锌锡硫单晶颗粒膜的两面，降低光生电子在其体相或表面相的复合，提高光催化制氢的转换效率，在铜锌锡硫单晶颗粒膜的两面分别产生氢气和氧气
单晶颗粒铜锌锡硫阿拉伯树胶纯水装置光电化学光生电子分散剂胶黏剂制备薄膜空穴光催化制氢光照条件离子导体外加电场转换效率分解混合物氢气衬底单层混匀刻蚀体相涂覆固化氧气复合

[发明专利]超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法-CN201710028076.9有效
发明人：张智宏;徐小志;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法。所述方法为用镀镍的单晶铜箔作为原料，利用退火制备出超大尺寸单晶铜镍合金，然后利用常压化学气相沉积法，以单晶铜镍合金为衬底获得超大尺寸高质量多层单晶石墨烯。本发明提出的方法，用简单的方法获得大尺寸单晶铜镍合金，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸多层单晶石墨烯，解决了多层石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了高质量大尺寸的多层单晶石墨烯样品和单晶铜镍合金和的制备
超大尺寸多层晶石单晶铜镍合金制备方法

[发明专利]一种单晶铜银复合导线及其制备方法-CN201310298681.X有效
发明人：常富鼎;赵拥军;李雷;宋茂斌;江波;王付装;石磊 -专利权人：河南九发高导铜材股份有限公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶铜银复合导线的制备方法，该方法包括以下步骤：①单晶铜线材的制备，②单晶铜线材表面镀银预处理，③单晶铜银复合丝的制备，④单晶铜银复合导线的制备。由该方法制备的单晶铜银复合导线，它包括铜基体和铜基体外的镀银层，所述单晶铜银复合导线的横截面为圆形或多边形；其横截面最大处的直径为0.008mm~0.5mm，镀银层的厚度为0.1μm~100μm。采用上述技术方案的本发明有以下优点：用单晶铜线材作为基体，减少了电子的散射、折射和反射等现象，有效防止了信号的衰减和失真，提高了其导电性能和信号传输性能，具有较高的导电率和信号保真性。
一种单晶铜银复合导线及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯改性单晶铜的方法-CN201610556508.9有效
发明人：孙学栋;姚永健 -专利权人：深圳市烯世传奇科技有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B22D11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯改性单晶铜的方法。该石墨烯改性单晶铜的方法包括以下步骤：(1)在保护气氛下，将粗铜置于坩埚中加热熔化，得到铜液；(2)所述铜液引入到铸型中，加热、加入石墨烯粉体，搅拌；(3)在铸型的出口对铜液进行冷却、使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固，并连续牵引连铸，得到铜锭；(4)将所述铜锭经过热处理、冷拉，制得单晶铜线材。本发明制备的石墨烯改性单晶铜具有良好的导电性，且信号传输稳定和可靠，电阻率比单晶铜降低25％以上。
单晶铜石墨烯改性铜液铜锭铸型导电性石墨烯粉体热处理单向凝固加热熔化信号传输铸型出口电阻率粗铜冷拉连铸线材坩埚加热制备冷却牵引引入出口

[发明专利]一种铜包覆单晶蓝宝石纤维的制备方法-CN201510588762.2有效
发明人：乔畅君;吴韬;金磊;冯晓野;范璐;维克托;边炳胜;韦家波;米盖尔;卡门 -专利权人：东莞深圳清华大学研究院创新中心;东莞纽卡新材料科技有限公司
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C23C18/38 文献下载
摘要：本发明提供一种铜包覆单晶蓝宝石纤维的制备方法，包括a、室温下制备含有烧碱的硼氢化钠还原溶液；b、制备单晶蓝宝石晶须的还原性混合液；c、制备斐林试剂；d、制备铜包覆的单晶蓝宝石混合液；e、过滤，洗涤，得到湿的铜包覆的单晶蓝宝石晶须；f、将湿的铜包覆的单晶蓝宝石晶须进行干燥，可得到表面含有铜包覆的单晶蓝宝石晶须。本发明的铜包覆改性单晶蓝宝石晶须的方法实验过程操作简单，该工艺易实现工业化，具有良好的应用前景。
一种铜包覆单晶蓝宝石纤维制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条