[实用新型]一种电流均匀的LED芯片有效

专利信息
申请号: 201920744014.2 申请日: 2019-05-22
公开(公告)号: CN209822677U 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 仇美懿;庄家铭 申请(专利权)人: 佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00
代理公司: 44202 广州三环专利商标代理有限公司 代理人: 胡枫
地址: 528200 广东省佛山市南海区狮*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种电流均匀的LED芯片,包括衬底,设置在衬底上的外延层,设置在外延层上的透明导电层、第一电极和第二电极,以及设置在透明导电层上导电薄膜层,所述导电薄膜层位于芯片发光不均匀处,所述导电薄膜层由导电材料制成,所述导电材料的电阻率为1*10
搜索关键词: 导电薄膜层 芯片 发光 本实用新型 透明导电层 导电材料 不均匀 外延层 衬底 亮度均匀性 上导电薄膜 第二电极 第一电极 芯片电流 电阻率
【主权项】:
1.一种电流均匀的LED芯片,其特征在于,包括衬底,设置在衬底上的外延层,设置在外延层上的透明导电层、第一电极和第二电极,以及设置在透明导电层上导电薄膜层,所述导电薄膜层位于芯片发光不均匀处,所述导电薄膜层由导电材料制成。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司,未经佛山市国星半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920744014.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种GaN基LED电极结构及其制作方法-201710644313.4
  • 徐晓强;刘琦;闫宝华;彭璐;肖成峰 - 山东浪潮华光光电子股份有限公司
  • 2017-07-31 - 2020-02-11 - H01L33/36
  • 一种GaN基LED电极结构及其制作方法,是在ITO电流扩展层上设置有P电极,n型GaN层的台面上设置有N电极;P电极和N电极的结构是自下至上依次包括第一Cr层、第一Al层、Ti层、Au层、第二Cr层和第二Al层;其制作方法包括以下步骤:(1)制作ITO薄膜层,刻蚀n型GaN层台面;(2)制作光刻电极图形,以形成包覆式电极结构;(3)制作电极结构。本发明通过对适宜光刻胶图形倒角的控制,来实现包覆式电极结构,通过合理的电极结构设计在保证电极良好粘附性的同时,使管芯发光效率得到大幅度提升,并且整个电极结构设计简单,全部使用常规蒸镀材料,整个制作过程时间较短,耗用成本较低,适用于所有GaN基LED管芯的规模化制作。
  • 一种发光二极管-201810385011.4
  • 杨力勋;蔡琳榕 - 厦门市三安光电科技有限公司
  • 2018-04-26 - 2020-02-07 - H01L33/36
  • 本发明公开了一种发光二极管,包括半导体层序列,其具有在第一导电类型的层和第二导电类型的层之间的、设计用于产生第一峰值波长的第一光的有源层,第一导电类型的层位于半导体层序列的正方向一侧,第二导电类型的层部分裸露,设置在半导体层序列的正方向及侧壁上的波长转换层,波长转换层吸收从半导体层序列发射的第一光并发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光;第二电极与波长转换层位于发光二极管的同侧,第二电极到半导体层序列的侧壁的距离不小于50μm,解决半导体序侧壁漏出第一光的问题,提高了发光二极管的出光均匀性。
  • 发光器件-201680049310.X
  • 李大熙;金英焄;孙政焕;李胜一;李政昱;林在映 - LG伊诺特有限公司
  • 2016-08-18 - 2019-12-20 - H01L33/36
  • 实施例公开了一种发光元件,包括:发光结构,具有第一半导体层、在第一半导体层下面的有源层和在有源层下面的第二半导体层;第一接触层,设置在发光结构下面;反射层,设置在第一接触层下面;第一电极层,包括设置在反射层下面的覆层;第二电极层,电连接至第一半导体层;保护层,设置在覆层和发光结构之间的外周边;阻挡层,在反射层的外侧且由与反射层的金属不同的金属构成;以及支撑构件,设置在覆层下面。
  • 发光器件和发光器件封装-201610308698.2
  • 宋炫暾;姜基晩;金胜晥;卢承垣;李镇旭;洪恩珠;洪义朗 - LG伊诺特有限公司
  • 2016-05-11 - 2019-12-13 - H01L33/36
  • 提供了一种具有增强的表面性质和电性质的发光器件。所述发光器件包括:发光结构,包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;第一电极,布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第一半导体层;第二电极,布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第二半导体层;并且提供欧姆接触,其包括布置在所述第二电极与所述第二半导体层之间且具有铝(Al)的第一层、包括通过与被包含在所述第一层中的Al反应而形成的至少一种M
  • 隐藏式导电栅线结构芯片及其制备方法-201810676334.9
  • 曹广亮;贾钊;赵炆兼;郭冠军;马祥柱 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2018-06-26 - 2019-11-26 - H01L33/36
  • 本发明涉及芯片领域,提供了一种隐藏式导电栅线结构芯片及其制备方法。该隐藏式导电栅线结构芯片包括衬底、外延层、Gap过渡层、Gap高掺杂层、导电层以及电极,外延层、Gap过渡层和Gap高掺杂层依次从下至上生长于衬底,导电层是经生长于Gap高掺杂层上的AuBe层从Gap高掺杂层的表面从上至下熔合扩散至Gap过渡层形成,导电层与电极接触。其通过在Gap高掺杂层的表面蒸镀薄层AuBe层进行高温熔合使得Au和Be大量扩散至下层GaP过渡层,使得表面变得粗糙且表面无金属遮挡,有利于提升出光率和表面导电性。该制备方法简单,容易实现,设备按照常规要求即可实现,获得的隐藏式导电栅线结构芯片的出光效率高。
  • 发光器件和发光器件封装-201610064065.1
  • 姜基晩;吴政勋 - LG伊诺特有限公司
  • 2016-01-29 - 2019-11-19 - H01L33/36
  • 本发明公开了一种发光器件和发光器件封装。所述发光器件包括:发光结构,包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层;第一电极焊盘,在所述第一导电半导体层上;第二电极焊盘,在所述第二导电半导体层上;以及电流阻挡图案,与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘中至少一个的边缘重叠。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top