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[发明专利]反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法、表征器件及其制备方法-CN201710827591.3在审
发明人：谢亚丽;李润伟;詹清峰;王保敏;盛萍 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种反铁磁材料在应力作用下磁性变化的表征方法，具体是：将反铁磁材料表面设置铁磁材料，二者间发生耦合作用；对反铁磁材料提供应力，在应力作用下反铁磁材料的磁性发生变化，由于该耦合作用铁磁材料的磁性也发生变化，通过测量铁磁材料磁性的变化推出反铁磁材料在该应力作用下的磁性变化。利用该表征方法可得到反铁磁材料在应力作用下的磁性变化规律，据此可通过调控应力实现反铁磁材料磁性的调控。本发明还提供了一种表征器件，呈多层膜结构，依次为衬底层、反铁磁材料层、铁磁材料层以及保护层，具有结构简单，方便表征的优点。
反铁磁材料磁性变化应力作用铁磁材料耦合作用反铁磁材料层多层膜结构铁磁材料层表面设置保护层衬底层力作用调控制备测量

[发明专利]一种利用反铁磁材料产生可控自旋流的方法、异质结构器件和自旋电子学器件-CN202211402840.1在审
发明人：宋成;白桦;潘峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用反铁磁材料产生可控自旋流的方法、异质结构器件和自旋电子学器件。本发明方法包括：通过多场操纵反铁磁自旋源/铁磁功能层异质结构器件的反铁磁磁矩，利用反铁磁磁矩与自旋的相互作用调控自旋流的自旋极化方向和/或调节自旋流强度；反铁磁自旋源/铁磁功能层异质结构器件包括由下至上依次层叠且构成异质结构的衬底层、反铁磁层和铁磁层；反铁磁层的材质为共线反铁磁材料或非共线反铁磁材料；铁磁层为垂直磁化的铁磁层或面内磁化的铁磁层。本发明异质结构器件能够产生可控自旋极化方向的自旋流，以实现相邻铁磁层高效的磁化翻转并带来器件低功耗的优势，其临界自旋流密度相比于传统非磁自旋源可降低一个数量级。
一种利用反铁磁材料产生可控自旋方法结构器件电子学

[发明专利]一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法-CN201010177285.8无效
发明人：代波;蒋庆林;邢永燕 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该多层膜钉扎材料包括基片和在基片上设置的缓冲层、铁磁层I、反铁磁层、铁磁层II和设于其上的保护层；其制备方法是在基片上采用磁控溅射依次沉积各层得到该多层膜材料采用本发明方法制备的多层膜钉扎材料，不仅成功地实现了铁磁/反铁磁交换偏置，而且利用交换耦合作用，增强了反铁磁材料的钉扎性能，使得铁磁/反铁磁交换偏置体系更加稳定，更适合于磁电子学器件的应用；制备工艺简单、材料性能稳定。
一种反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

[发明专利]基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件-CN202111186841.2在审
发明人：万蔡华;韩秀峰;司文荣;王翼展;梁云;陈川;黄辉 -专利权人：中国科学院物理研究所;国网上海市电力公司;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N15/20 文献下载
摘要：根据一实施例，一种热电器件包括磁性多层膜结构和包围磁性多层膜结构的保护层，磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层]a、[反铁磁层/铁磁层/重金属层]b、以及[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]c中的一种或多种，铁磁层由铁磁导电材料形成，重金属层由重金属材料形成，[反铁磁层/铁磁层]a结构中的反铁磁层由包括重金属元素的反铁磁材料形成，其余结构中的反铁磁层由反铁磁材料形成，铁磁层具有面内磁矩并且被所述反铁磁层偏置在第一方向上，所述磁性多层膜结构响应于其膜层法线方向上的温度梯度
基于磁性多层膜结构反常能斯特效应热电器件

[实用新型]一种磁电存储器存储单元结构-CN201720957842.5有效
发明人：薛飞 -专利权人：江西科技学院
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁电存储器存储单元结构，包括磁电材料层、上电极层、端电极层、衬底层；所述磁电材料层包括铁电‑反铁磁材料层、设置于铁电‑反铁磁材料层下面的铁磁材料层、所述铁磁材料层中间设置有绝缘层、所述铁磁材料层下端与衬底层相连；所述上电极层设置于铁电‑反铁磁材料层上端；所述端电极层设置于铁磁材料层两端。本实用新型通过铁磁材料层和反铁磁材料界面的偏置效应调控铁磁材料层的磁化取向，并制成多铁隧道结(MTJ)，把电极化和磁性的变化转变为高、低电阻的变化，其开关电阻比(RON/OFF
一种磁电存储器存储单元结构

[发明专利]反铁磁/铁磁交换耦合结构垂直磁偏置异常磁电阻传感器-CN200510081415.7无效
发明人：马修·J·凯里;布鲁斯·A·格尼;斯蒂芬·马特;尼尔·史密斯 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种异常磁电阻(EMR)传感器，其在EMR有源膜上具有反铁磁/铁磁交换耦合双层结构。双层结构中的铁磁层具有垂直磁各向异性并且被反铁磁层交换偏置。反铁磁/铁磁双层结构提供垂直于EMR有源膜平面的磁场来偏置EMR传感器的磁电阻对磁场响应。铁磁层可由任何可用于垂直磁记录的铁磁材料形成，并以其各向异性轴显著地离面的方式来制备。反铁磁层可由任何已知的Mn合金形成，例如PtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMn和RhMn，或者由任何绝缘反铁磁材料形成，例如那些基于钴氧化物和镍氧化物的反铁磁材料。
反铁磁交换耦合结构垂直偏置异常磁电传感器

[实用新型]基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器-CN201920711978.7有效
发明人：黄志明;李敬波;吴敬;高艳卿;周炜;姚娘娟;江林;马建华;黄敬国 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本专利公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁材料层到反铁磁材料层的注入，通过自旋‑轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。
自旋反铁磁材料层太赫兹探测器磁化反铁磁材料轨道探测调谐恒定太赫兹辐射太赫兹信号铁磁材料层锁相机制铁磁材料震荡频率专利利用自激振荡矢量反铁磁宽波段探测器共振制备微波测量响应

[发明专利]巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结-CN201711415711.5有效
发明人：韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
致电器件场效应晶体管隧道

[发明专利]巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结-CN202010108087.X有效
发明人：韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
致电器件场效应晶体管隧道

[发明专利]磁存储器及其制造方法-CN202211499465.7在审
发明人：范晓飞;陈文静;曹凯华;刘宏喜;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造技术领域，具体涉及磁存储器及其制造方法，所述磁存储器至少包括：反铁磁层，所述反铁磁层的材料为非共线反铁磁材料；磁隧道结，设置于所述反铁磁层上，所述磁隧道结自下而上依次包括自由层、隧穿势垒层和参考层；其中，当所述反铁磁层通入电流时，利用所述反铁磁层的自旋轨道矩效应改变所述反铁磁层与所述自由层形成的交换偏置场方向，进而翻转所述自由层的磁矩方向。可以借助非共线反铁磁材料的反铁磁层其内部的自旋轨道矩效应进行磁矩翻转，从而大幅降低了写入电流，进而降低了该磁存储器的功耗，也更易于驱动该磁存储器。
磁存储器及其制造方法

[发明专利]具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法-CN200610056824.6无效
发明人：倪经;蔡建旺 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有钉扎的铁磁/反铁磁多层膜材料及其制备方法，该材料采用真空沉积镀膜法和再退火的工艺，制备出包括在基片上依次设置缓冲层、铁磁层和一反铁磁层，或者在缓冲层设置反铁磁层再设置铁磁层和一保护层。该钉扎体系引入L1₀有序相反铁磁(Cr_1－xMn_x)_0.5+δPt_0.5－δ(0.3≤x≤0.6；|δ|＜0.06)作为钉扎材料。该材料相对于已有的反铁磁材料(比如FeMn、IrMn、NiMn和PtMn等)制成的铁磁/反铁磁体系，具有非常好的热稳定性，大的交换偏置场以及优越的抗腐蚀性，加之成分范围广，是另一种非常理想的反铁磁钉扎材料
具有反铁磁多层材料及其制备方法

[发明专利]人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器-CN202110381200.6在审
发明人：魏晋武;于国强;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明涉及人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器。根据一实施例，一种人工反铁磁多层膜结构可包括：面内场耦合层，包括由铁磁导电材料形成的第一铁磁层和第二铁磁层，以及位于所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一间隔层，所述第一间隔层由非磁导电材料形成并且诱导所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合；自由磁层，包括由铁磁导电材料形成的第三铁磁层和第四铁磁层，以及位于所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的自旋霍尔效应层，所述自旋霍尔效应层由具有自旋霍尔效应的材料形成并且诱导所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的反铁磁耦合；以及中间层，位于所述面内场耦合层与所述自由磁层之间，所述中间层由非磁材料形成。
人工反铁磁多层膜结构包括随机存储器

[发明专利]一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器-CN201910411823.6有效
发明人：黄志明;李敬波;吴敬;高艳卿;周炜;姚娘娟;江林;马建华;黄敬国 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁层到反铁磁层的注入，通过自旋‑轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。
一种基于反铁磁自旋轨道扭矩赫兹探测器

[发明专利]磁性薄膜和磁阻效应元件-CN200710159762.6有效
发明人：高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 -专利权人：富士通株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：在所述磁性薄膜中，可以可靠地固定诸如固定层的铁磁层的磁化方向。所述磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层。反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在反铁磁层和铁磁层之间形成有锰层。
磁性薄膜磁阻效应元件

[发明专利]一种抑制电磁噪声的薄膜材料-CN200910060817.7无效
发明人：马强;江建军;别少伟;张传坤;田斌;陈谦;王鹏;吴杨 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： B32B7/02 文献下载
摘要：一种抑制电磁噪声的薄膜材料，属于抑制微波电磁干扰的材料，解决现有薄膜材料存在的电磁噪声损耗带宽不大且不方便人工可调的问题。本发明在基片上沉积有缓冲层，基片为化学性能稳定且表面平整的材料，在缓冲层上先沉积有铁磁层或反铁磁层，然后交替沉积有反铁磁层和铁磁层，最表面的铁磁层或反铁磁层上沉积有保护层。本发明重复性好，调控方便，在铁磁体系中引入反铁磁层，通过调整铁磁层的厚度可以有效调控多层膜材料的磁导率频谱和软磁性能，并且通过多层叠加的方式，实现宽频带电磁噪声抑制。
一种抑制电磁噪声薄膜材料

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