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[发明专利]一种通过掺杂不同半径离子调控未充满型铌酸锶钡材料铁电性质的方法-CN202310923715.3在审
发明人：张善涛;郭健 -专利权人：南京大学（苏州）高新技术研究院
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料改性技术领域，具体涉及一种通过掺杂不同半径离子调控未充满型铌酸锶钡(SBN)材料铁电性质的方法。该方法利用SBN结构点阵中1/6的A位(包括A1和A2位)和所有C位未被占据这一特征，引入适量的碱金属离子Li+、Na+、K+来填充这些未占据格点，从而实现对铁电性质的调控。由于这些碱金属离子具有不同半径，它们能够占据的格点是不同的，这种不同的占据位置导致Li+、Na+、K+离子掺杂对SBN的铁电性质具有不同的调控作用：实验结果表明，Li+离子掺杂增强了SBN的弛豫铁电体性质、Na+离子掺杂显著增强了SBN的正常铁电体性质、而K+离子掺杂则有限度地增强了SBN的正常铁电体性质。
一种通过掺杂不同半径离子调控充满型铌酸锶钡材料性质方法

[发明专利]一种应用于宽温区内能量收集的无铅压电陶瓷材料及制备-CN202211660720.1有效
发明人：侯育冬;席凯彪;于肖乐;朱满康;郑木鹏 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种应用于宽温区内能量收集的无铅压电陶瓷材料及制备，属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基体化学组成为(1‑x)(K0.48Na0.52)NbO3‑x(Bi0.5Li0.5)ZrO3,其中x的数值为0.00～0.04，优选其中x数值为0.035的材料体系。按相应计量比配料，采用湿磨、烘干、造粒、压制成型、烧结步骤制备样品。本发明实现了无铅压电能量收集器在宽温区具有优异的发电特性，对压电能量收集技术工业具有重大的推进作用。
一种应用于区内能量收集压电陶瓷材料制备

[发明专利]一种超低温烧结的低介微波介质陶瓷及其制备方法-CN202211692172.0有效
发明人：郑木鹏;臧沫言;侯育冬;朱满康 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种超低温烧结的低介微波介质陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。在CaMoO4体系中，通过引入Li2MoO4作为助烧剂，在600℃的超低烧结温度下，制备得到了一种微波介质陶瓷材料。该介质陶瓷不含有毒有害元素，具有超低烧结温度和低介电常数，在介质谐振器、滤波器、微波天线等电子元器件中具有广泛的应用前景。
一种超低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法-CN202310910068.2在审
发明人：任鹏荣;鹿璐婷;林文超;王欣 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法，通过三氧化二镓掺杂铌酸钠陶瓷的制备，通过将Na2CO3、Nb2O5、和Ga2O3按照化学计量比称量混合、球磨干燥，然后将不同组分的粉末通过冷等静压技术压制成片，最后在不同温度烧结即得，最后在不同温度烧结即得，获得工作温度低，电导率高，化学稳定性好的铌酸钠基陶瓷。本发明解决了现有中低温燃料电池电解质材料中工作温度高以及化学稳定性差的问题。
离子电导率铌酸钠基陶瓷制备方法

[发明专利]用于压电应用的碱金属铌酸盐-CN202280015670.3在审
发明人： C·施尼特;R·奥特斯泰特;S·阿尔布莱希特 -专利权人：钽铌欧碧盛创新材料有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及用于压电应用的通用组成为Li(Na/K)NbO3的铌酸盐粉末，其中所述铌酸盐粉末具有，基于其BET表面积计，10至100ppm/(m2/g)的碳含量。此外，本发明涉及生产铌酸盐粉末的方法及其用于生产压电材料的用途。
用于压电应用碱金属铌酸盐

[发明专利]一种双钙钛矿掺杂银离子光致变色陶瓷粉的制备方法-CN202310866762.9在审
发明人：杨正文;冯荣宝;徐赞;宋友艳;字映竹;赵和平;白雪;朱晓东;何彦妮;邹礼泽;邱建备;宋志国;黄安君 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及光致变色材料技术领域，具体涉及一种双钙钛矿掺杂银离子光致变色陶瓷粉的制备方法，本发明将高纯的BaCO3、La2O3、Nb2O5和Ag2O进行研磨混匀得到混合粉料A；混合粉料A置于温度为1350℃、空气气氛中高温烧结6h，研磨得到Ba2LaNbO6:Ag+光致变色陶瓷粉；Ba2LaNbO6：Ag+光致变色陶瓷粉在365nm紫外灯的照射下能够快速地由白色变为粉色，本发明Ba2LaNbO6：Ag+光致变色材料在紫外线激发下具有优异的光致变色性能。通过低价Ag+离子掺杂解决无机双钙钛矿氧化物Ba2LaNbO6光致变色浅的问题：增加氧空位含量，从而有助于实现光致变色效应。同时扩展了无机光致变色材料的探索范围与双钙钛矿氧化物的应用范围。
一种双钙钛矿掺杂银离子变色陶瓷制备方法

[发明专利]一种AgNbO3-CN202211559128.2有效
发明人：吕宪顺;王旭平;张园园;张福麟;魏磊;张华迪 -专利权人：山东省科学院新材料研究所
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷储能技术领域，具体涉及一种AgNbO3反铁电储能陶瓷及其制备方法。制备方法包括如下步骤：（1）将Ag3C6H5O7·xH2O、H5Nb3O10加入到pH值为4~4.5的C6H8O7溶液中，将溶液转移至高压反应釜中，然后放入微波反应系统中，微波频率为2455MHz，控制合成温度为150‑200℃，保温时间为1h，反应结束后将所得粉末离心分离并干燥；（2）干燥后的粉末经压片后，在O2气氛下800‑850℃煅烧6h；（3）将煅烧产物再次碾磨后压片，然后在O2气氛下850‑950℃烧结6h。本发明克服了陶瓷制备条件苛刻的缺陷，且能够提高所制得的陶瓷材料的储能性能。
一种 agnbo base sub

[发明专利]一种不等价离子掺杂的高发射率低热导功能复合陶瓷或涂层制备的方法-CN202211658384.7有效
发明人：陈国梁;王亚明;王树棋;邹永纯;裘俊;欧阳家虎;帅永;贾德昌;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种不等价离子掺杂的高发射率低热导功能复合陶瓷或涂层制备的方法。本发明属于热防护陶瓷及辐射热控涂层材料技术领域，具体涉及一种高发射率低热导功能复合高温热障涂层粉体的方法。本发明解决的关键问题是如何制备一种在25‑1500℃大温度范围内具有宽光谱(0.5‑14μm)高发射率和低热导率的复合性能的涂层。方法：一、高温煅烧；二、混合、球磨、干燥；三、固相反应煅烧；四、造粒。本发明成本低、操作简单，材料的高发射率和低热导可由一种材料实现，材料的结构性好、稳定性强、环境适应度高，从而使本发明提供的高发射率和低热导陶瓷和涂层具有广泛的应用前景。本发明可获得一种不等价离子掺杂的高发射率低热导功能复合陶瓷或涂层。
一种等价离子掺杂发射低热功能复合陶瓷涂层制备方法

[发明专利]一种高储能密度铌酸锶钠-钛酸铋钾无铅储能陶瓷及制备方法-CN202310285132.2有效
发明人：郑鹏;斯裴笑看;白王峰;郑梁;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度铌酸锶钠‑钛酸铋钾无铅储能陶瓷及制备方法，采用固相合成方法，以填充型钨青铜材料Sr2NaNb5O15为基础，掺入一定量钙钛矿材料(Bi0.5K0.5)TiO3，其化学式是(1‑x)Sr2NaNb5O15‑x(Bi0.5K0.5)TiO3，其中0.0≤x≤0.4。本发明获得的脉冲储能介质陶瓷材料，具有较高的可恢复储能密度Wrec＝4.54J/cm3，较高的储能效率η＝94.02％，能量存储性能较现有产品有大幅提升。所述制备方法工艺流程简单，适合工业化生产，同时符合无铅环保的要求。
一种高储能密度铌酸锶钠钛酸铋钾无铅储能陶瓷制备方法

[发明专利]一种钙钛矿型铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法-CN202311029308.4有效
发明人：高大强;李博森;熊城 -专利权人：兰州大学
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿型铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法，利用三种具有不同相变温度的铌酸钾钠基陶瓷组分预合成粉体混合后干压烧结制备具有较好温度稳定性的连续相变铌酸钾钠基陶瓷。本发明通过研钵进行充分研磨混合过筛后，对三种组分混合陶瓷粉体进行干压成型，利用速升温烧结方式，设置不同的烧结温度，成功制备了较高压电性能和良好温度稳定性的连续相变铌酸钾钠基陶瓷。这种在较宽温区发生连续相变的铌酸钾钠基陶瓷具有较高的压电常数、平面机电耦合系数和良好的温度稳定性，其压电常数可达370 pC/N，kp达到0.53，Tc为262℃，同时，温度稳定性较好，测试发现其Fs变化均在0.8‰以下，εr变化在12‰以下。
一种钙钛矿型铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法

[发明专利]用作直接式X射线阵列化成像器件的掺杂改性钒酸铋材料及其制备方法-CN202310634756.0在审
发明人：郑霄家;樊郑辉;蔡冰;杨宁;袁瑞涵 -专利权人：四川省新材料研究中心
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了用作直接式X射线阵列化成像器件的掺杂改性钒酸铋材料及其制备方法，改性钒酸铋材料的化学式为(A)XBi1‑X(B)YV1‑YOZ，其中0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤Z≤4，其中A、B均为金属阳离子。通过对钒酸铋材料进行掺杂，发现掺杂Co，使得钒酸铋材料的载流子迁移率提高、寿命提高、载流子浓度降低，材料相应的灵敏度提高，信号电流噪声降低，具备了实现基板阵列化成像的能力。通过将钒酸铋陶瓷集成到阵列化成像基板上，成功实现了X射线阵列化成像。
用作直接射线阵列化成器件掺杂改性钒酸铋材料及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钠基弛豫铁电复合储能陶瓷材料-CN202310840025.1在审
发明人：张岭;贠瑶瑶;肖佳明;周伟绩 -专利权人：石河子大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠基弛豫铁电复合储能陶瓷材料及其制备方法，弥补了单纯铌酸钠材料抗击穿场强低以及剩余极化强度高的不足，综合储能性能更为优良。本发明陶瓷材料通式为(1‑x)Na0.94Sm0.02NbO3‑xBi0.5La0.5Ba0.67Ta0.33O3，式中0.05≤x≤0.25，下标数字代表元素的摩尔比。本发明材料在10Hz测试频率和25℃环境温度下，饱和极化强度变化范围为18.1μC/cm2≤Ps≤35.5μC/cm2，抗击穿场强变化范围为280kV/cm≤Eb≤360kV/cm，有效储能密度变化范围为1.75J/cm3≤Wrec≤2.49J/cm3，储能效率变化范围为40.46％≤η≤76.12％。
一种铌酸钠基弛豫铁电复合陶瓷材料

[发明专利]一种微波介质材料及其制备方法-CN202311127593.3在审
发明人：林慧兴;杨俊杰;姜少虎;赵相毓;姚晓刚;彭海益;任海深;谢天翼;何飞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波介质材料及其制备方法，属于微波介质陶瓷领域。为解决现有Ba(Mg1/3Ta2/3)O3陶瓷烧结温度高，添加玻璃导热性能下降等问题，本发明提供微波介质材料的制备方法包括：1）按化学组成Ba(Mg1/3Ta2/3)O3+xmol%PbTiO3称量PbTiO3粉体、Ba源、Mg源和Ta源并混合，得到混合粉体，0＜x≤1.0；2）将所得混合粉体在1150～1300℃下煅烧，得到煅烧粉体；3）将所得煅烧粉体制成坯体后在1600～1700℃下烧结2～6小时，得到所述微波介质材料。本发明陶瓷的Q·f值从未添加的129000GHz提升至137000GHz，且抗弯强度和导热系数得到提升。
一种微波介质材料及其制备方法

[发明专利]一种DLP光固化3D打印用无铅压电陶瓷浆料及其制备方法-CN202310823564.4有效
发明人：龚文;王轲;吴超峰;钭忠尚;姚方周;鞠敏 -专利权人：乌镇实验室
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及3D打印材料领域，公开了一种DLP光固化3D打印用无铅压电陶瓷浆料及其制备方法，组分包括：偶联剂改性铌酸钾钠粉体，自由基型光敏树脂，稀释剂，自由基型引发剂，分散剂，防沉剂，消泡剂，附着力促进剂，调色剂；自由基型光敏树脂包括二官能度、三官能度及六官能度脂肪族聚氨酯丙烯酸酯。本发明选取特定自由基型光敏树脂与稀释剂组合，使浆料体积固体高，粘度低，流动性好，固化反应速度快，满足快速打印需求；使用偶联剂对铌酸钾钠粉体改性，并配合分散剂和防沉剂使用，显著降低粉体沉降速率，提升浆料保质期；同时加入附着力促进剂和调色剂，提高打印精度，烧结后产品致密度高，压电性能好。
一种 dlp 光固化打印用无铅压电陶瓷浆料及其制备方法

[发明专利]一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用-CN202310054306.4有效
发明人：刘迎春;杨彬;张洪军;于思源;边浪;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于储能材料制备领域。本发明的目的是为了解决现有储能陶瓷材料无法兼顾优异的温度稳定性、抗疲劳性和低电场高储能密度的储能特性的技术问题。本发明的储能陶瓷的化学通式为xNaNbO3‑(1‑x)(Bi0.5‑yRyNa0.5)TiO3‑zMe，其中0.1≤x≤1，0.05≤y≤0.25，0≤z≤0.1，R是稀土离子，Me是生长助剂。方法：以NN‑BRNT细晶为基体，以径向比5的NN片状微晶为模板，采用模板晶粒定向生长技术，在生长助剂的作用下，制备沿[001]择优取向的高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷。
一种疲劳电场高储能密度反铁电储能陶瓷及其制备方法应用

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