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[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环-CN201910968745.X有效
发明人：段蛟;陈星建;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环，边缘环位于静电吸盘的外围，静电吸盘用于固定其上的待处理晶圆，边缘环可以包括聚焦环，聚焦环具有内侧部分和外侧部分，内侧部分位于待处理晶圆边缘的下方，外侧部分向外超出待处理晶圆的覆盖范围，外侧部分高于内侧部分，至少在聚焦环的外侧部分形成有保护涂层，保护涂层的介电常数从表面至底部逐渐增大，这样，可以使得等离子体鞘层在晶圆的整个表面保持均匀。同时即使边缘环上的保护涂层被等离子体刻蚀而发生磨损，保护涂层内部的较高介电常数的表面暴露出来，从而使保护涂层具有更好的电荷负载能力，维持等离子体鞘层的稳定，从而维持刻蚀速率的稳定性。
一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘

[发明专利]形成耐等离子体涂层的方法、装置、零部件和等离子体处理装置-CN201911227763.9有效
发明人：段蛟;郭盛;孙祥;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种零部件上形成耐等离子体涂层的方法、形成涂层的装置、零部件和处理装置，形成涂层的装置包括：真空腔；第一涂覆材料源、第二涂覆材料源和零部件，位于真空腔内；第一涂覆材料源包含氧原子和钇原子；第二涂覆材料源包括钇氟化合物，铝氧化合物或锆氧化合物中的一种；第一激发装置，用于激发出第一涂覆材料源内的钇原子和氧原子；第二激发装置，用于激发出第二涂覆材料源内的原子；所述第一涂覆材料源内激发出的钇原子和氧原子与第二涂覆材料源内激发出的原子之间发生化学反应在零部件上形成包括具有稳定相的钇基多元金属氧化物或钇基氧氟化物的耐等离子体涂层。利用所述装置形成的涂层耐等离子体腐蚀的能力较强。
形成等离子体涂层方法装置零部件处理

[发明专利]涂层的形成方法、半导体零部件及等离子体反应装置-CN202211515059.5有效
发明人：段蛟;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种涂层的形成方法、半导体零部件及等离子体反应装置。该方法包含：提供一衬底，其具有一待处理面，待处理面的线粗糙度Ra≤0.3um，测量面积为285.2um×213.8um的最大面高度差Sz≤5um；提供一具有单晶/类单晶结构的靶材，其与衬底相对设置；激发靶材形成气相分子流，使气相分子流运动至待处理面，在待处理面上沉积形成耐等离子体腐蚀涂层，该耐等离子体腐蚀涂层经过X射线衍射得到的衍射峰图谱由一个主峰和若干次峰，每个次峰的强度至少低于主峰的强度1/5，主峰的半峰宽小于1°。本发明耐等离子体腐蚀涂层具有单晶/类单晶结构的同时，对衬底晶格匹配和耐温性的要求大大降低。
涂层形成方法半导体零部件等离子体反应装置

[发明专利]一种等离子体处置装置用构件的翻新装置及翻新方法-CN202110871391.4在审
发明人：段蛟;杨桂林 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处置装置用构件的翻新装置及翻新方法，所述构件为待翻新构件，该待翻新构件包括构件本体、覆盖在构件本体上的耐腐蚀涂层及覆盖在所述耐腐蚀涂层上的氟化层，该翻新装置包含：加热组件，用于对待翻新构件进行加热，使氟化层升华而所述耐腐蚀涂层保持原状以形成翻新构件。本发明通过控制加热区域，只对待去除的氟化层快速加热，利用氟化层与耐腐蚀涂层本体的物理特性差异去除氟化层，使翻新后的耐腐蚀涂层不含有氟化层，同时由于耐腐蚀涂层及构件本体所承受的温度并不高，不会破坏耐腐蚀涂层和构件本体，使得翻新的耐腐蚀涂层表面回到原始状态，即，耐腐蚀涂层表面接近新品状态，使得构件可以继续使用，大大降低运行成本。
一种等离子体处置装置构件翻新方法

[发明专利]等离子体处理装置及其内壁组件-CN202110872349.4在审
发明人：连增迪;段蛟 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置及其内壁组件，等离子体处理装置包含反应腔、设置在反应腔内侧壁处的内壁组件，设置在反应腔内的等离子体约束环，以及设置在反应腔底部的排气装置。内壁组件包含围成一个等离子体环境处理空间的筒状部，所述筒状部的内侧壁设有若干个弧形沟槽，所述弧形沟槽由筒状部的内侧壁的上方向下延伸，等离子体约束环具有多个斜向下的排气通道。本发明使从内壁组件的内侧壁和等离子体约束环排出的气流形成涡旋结构，所述气流中的微小颗粒相互碰撞团聚成大颗粒污染物从反应腔中排出，防止颗粒污染物累积在基片表面和基片周围的零件上，保持了刻蚀环境的洁净。
等离子体处理装置及其内壁组件

[发明专利]形成涂层的方法、涂覆装置、零部件及等离子体反应装置-CN202211248078.6在审
发明人：段蛟;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了形成涂层的方法、涂覆装置、零部件及等离子体反应装置。该涂覆装置包含：真空腔体；第一电极，其下方设置金属靶材；第二电极，其上方设置待涂工件，待涂工件与金属靶材相对设置；遮蔽环，位于第一电极与第二电极之间，将真空腔体分隔为分别位于遮蔽环上方、下方的第一区域、第二区域，遮蔽环设有开口，连通第一区域和第二区域；第一气体组件及第二气体组件；第一气体在第一区域形成金属蒸气，再与第二气体反应在待涂工件的表面形成耐腐蚀涂层。本发明提供的零部件，具有类单晶结构的耐腐蚀涂层，抗等离子体物理轰击和耐化学腐蚀明显增强，避免了先进制程中可能的微颗粒污染，符合半导体制程的发展需求。
形成涂层方法装置零部件等离子体反应

[发明专利]一种微波退火装置和微波退火方法-CN201911301452.2有效
发明人：孙祥;段蛟;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种微波退火装置和微波退火方法，将微波传输至退火腔体内后，可以在预设气体氛围下对退火腔体内的待退火部件进行低温微波退火，使待退火部件表面的非晶相涂层转变为结晶相涂层，并通过改变腔体中的气氛，实现材料进一步氧化、氮化、氟化等。并且，不会对待退火部件如等离子体刻蚀设备的零部件的其他组成部分造成破坏，更不会影响等离子体刻蚀设备各部件制备工艺之间的兼容性。
一种微波退火装置方法

[发明专利]耐等离子体腐蚀部件及其制备方法，等离子体处理设备-CN202010236789.6有效
发明人：孙祥;段蛟;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B05D3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐等离子体腐蚀涂层的制备方法，包括：提供基体，预置第一涂层粉体和第二涂层粉体；提供送粉器，所述送粉器将所述第一涂层粉体覆盖所述基体，提供能量发生器，所述能量发生器发射能量束对所述第一涂层粉体扫描辐照，使所述第一涂层粉体熔融，形成第一熔融层，所述送粉器将所述第二涂层粉体覆盖所述第一熔融层，所述能量发生器发射能量束对所述第二涂层粉体扫描辐照，使所述第二涂层粉体熔融，形成第二熔融层，所述第一熔融层和第二熔融层在界面处形成具有稳定相的钇基多元金属氧化物，氟化的钇基多元金属氧化物或钇基氧氟化物。利用本发明所述方法可快速在不规则的零部件表面进行陶瓷或其复合涂层高精度的均匀涂覆。
等离子体腐蚀部件及其制备方法处理设备

[发明专利]导热导电弹性复合材料、其制备方法及半导体处理装置-CN202110710767.3在审
发明人：杨桂林;段蛟;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种导热导电弹性复合材料、其制备方法及半导体处理装置，该制备方法包含：形成一弹性骨架前驱体，所述弹性骨架前驱体至少在X方向和Y方向相互连通；对所述的弹性骨架前驱体进行预氧化处理；将预氧化的弹性骨架前驱体碳化处理，形成导电导热芯体；将所述导电导热芯体浸入软质弹性泡沫材料预聚体中，发泡，成型，得到导热导电弹性复合材料。该复合材料具有各向同性导电导热、超弹性、高压缩性、耐高温、耐腐蚀等性能，适于等离子体刻蚀腔内的工作环境。
导热导电弹性复合材料制备方法半导体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和颗粒污染物的监测方法-CN202110609643.6在审
发明人：段蛟;连增迪;杨桂林;郭盛 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置及颗粒污染物的监测方法，其中，所述等离子体处理装置包括：反应腔，其内底部设置基座，所述基座用于承载晶圆，所述反应腔内具有颗粒污染物；第一发射器，用于向所述颗粒污染物处发射信息；第一接收器，用于接收来自于第一发射器在颗粒污染物处的散射信息以确定颗粒污染物的位置信息；第二发射器，根据所述第一接收器确定的颗粒污染物的位置信息，向颗粒污染物的位置处发射信息；第二接收器，用于接收来自于所述第二发射器在颗粒污染物处的散射信息以确定颗粒污染物的大小。所述等离子体处理装置能够对等离子体刻蚀过程中的颗粒污染情况进行实时监测。
等离子体处理装置颗粒污染物监测方法

[发明专利]一种用于等离子处理设备部件的清洁方法-CN201911327939.8有效
发明人：孙祥;段蛟;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于等离子处理设备部件的清洁方法，包括以下步骤：将等离子处理设备部件的表面与第一清洗剂接触一定时间；将与所述第一清洗剂接触后的部件的表面与第二清洗剂接触，主要去除残余的第一清洗剂，得到清洁后的部件；所述第一清洗剂为含氟亚胺类离子液体和季胺类离子液体中的一种或多种；所述第二清洗剂为醇和水的混合物。本发明所述的离子液体清洗剂对零部件表面AlFx和YFx的清洗效果较高，并且操作使用简单，可快速清洁零部件表面(＜10min)。同时，本发明该清洗剂的pH酸碱更接近中性且酸性可控，不仅在清洗过程中对零部件的损伤较小，而且不会对环境和操作安全造成巨大负担。
一种用于等离子处理设备部件清洁方法

[发明专利]半导体零部件、半导体处理装置及形成耐腐蚀涂层的方法-CN202011588028.3在审
发明人：孙祥;段蛟;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种半导体零部件、半导体处理装置及耐腐蚀涂层的形成方法，其中，半导体零部件包括：零部件本体；耐腐蚀涂层，位于所述零部件本体的表面，其为稀土金属掺杂类金刚石涂层。所述半导体零部件的耐腐蚀性能较好。
半导体零部件处理装置形成腐蚀涂层方法

[发明专利]形成涂层的装置和方法、零部件和等离子体装置-CN202011547893.3在审
发明人：段蛟;孙祥;陈星建;杨桂林 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种形成涂层的装置和方法、零部件和等离子体装置，形成涂层的装置包括：真空腔；第一靶材和第二靶材；零部件本体，与第一靶材和第二靶材相对设置；所述第一靶材原子和第二靶材原子在零部件本体的表面形成复合耐腐蚀涂层；第一辅助监测器，用于监测第一靶材的特征信号；第二辅助监测器，用于监测第二靶材的特征信号；速率监测器，用于监测所述复合耐腐蚀涂层的形成速率，当形成速率偏离目标速率时，将偏差信号反馈至第一辅助监测器和第二辅助监测器，第一辅助监测器和第二辅助监测器分别根据第一靶材和第二靶材的特征信号的强弱变化进行独立控制各自靶材的速率，以控制复合耐腐蚀涂层形成速率的稳定性。所形成的复合耐腐蚀涂层中的均一性较好。
形成涂层装置方法零部件等离子体

[发明专利]耐等离子体腐蚀半导体零部件及其制备方法和等离子体反应装置-CN202011541484.2在审
发明人：段蛟 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了耐等离子体腐蚀半导体零部件及其制备方法和等离子体反应装置，该方法包含：提供一半导体零部件本体；提供一靶材，用于提供具有晶面随机分布的分子流；提供至少一晶体过滤器，设置在所述的半导体零部件本体与所述靶材之间，用于选择过滤分子流，以在半导体零部件本体表面形成耐等离子腐蚀涂层，该涂层具有对应不同强度的多个晶面结构。本发明通过在半导体零部件本体与靶材之间设置晶体过滤器，优先在晶体过滤器表面沉积与小于第三高强度的各个强度对应的各晶面，以实现在半导体零部件本体表面主要沉积与大于第四高强度的各个强度对应的各晶面，使得涂层达到类似单晶结构的效果，提高涂层耐腐蚀能力，进而提高等离子体刻蚀水平。
等离子体腐蚀半导体零部件及其制备方法反应装置

[发明专利]形成耐腐蚀涂层的方法、半导体零部件及等离子处理装置-CN202011516689.5在审
发明人：孙祥;段蛟;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种形成耐腐蚀涂层的方法、半导体零部件及等离子处理装置，形成耐腐蚀涂层的方法包括：提供零部件本体；将所述零部件本体置于一电解槽内进行电化学反应，所述电解槽内的电解液包括氢离子和钇离子，在所述零部件本体的表面形成耐腐蚀涂层，所述耐腐蚀涂层包括钇铝氧化合物涂层；对所述钇铝氧化合物涂层进行封孔处理，形成结晶的钇铝氧化合物涂层。所述耐腐蚀涂层耐受等离子腐蚀的能力较强。
形成腐蚀涂层方法半导体零部件等离子处理装置

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