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[发明专利]槽轮及具有其的线切割装置-CN202310974187.4在审
发明人：李晓宝;刘姣龙;袁祥龙;郝小辉;孙晨光;王彦君 -专利权人： 中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本申请提供一种槽轮及具有其的线切割装置，槽轮包括有本体，本体上设置有槽体，槽体具有开口且包括第一部段，开口位于第一部段的一侧；第二部段，第二部段位于第一部段背离开口的一侧，第一部段与第二部段连接；定位部，定位部位于第二部段远离第一部段的一侧，定位部与第二部段连接，定位部被配置对线切割装置的切割线进行定位；其中，沿槽轮的第一方向，第一部段的第一内壁之间具有第一尺寸W1，第二部段的第二内壁之间具有第二尺寸W2，第二尺寸W2小于等于第一尺寸W1。本申请通过对槽轮的改进，可提有效升产品质量。
具有切割装置

[发明专利]一种晶圆及其制备方法-CN202311067864.0在审
发明人：谷海云;马乾志;张雨杭;姚祖英;魏启旺;张奇;罗朝阳;李志才;马坤;孙晨光;王彦君 -专利权人： 中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆及其制备方法，制备方法包括：提供衬底硅层，进行第一次升温；对衬底硅层进行第一次热氧化，在衬底硅层表面形成第一氧化层；进行第二次升温；对衬底硅层进行第二次热氧化，在衬底硅层表面形成第二氧化层；进行第三次升温；对衬底硅层进行第三次热氧化，在衬底硅层表面形成第三氧化层；降温，得到晶圆。通过分阶段升温，对衬底硅层进行分步氧化，先形成的氧化层可以作为缓冲层，减少晶圆材料表面和内部受热不均匀导致的应力损伤，同时通过控制升降温速率，减少因内外受热不均匀带来的内部结构损伤，在生长较厚的氧化层情况下，实现最终氧化硅片的应力损伤达到最小的效果。
一种及其制备方法

[发明专利]一种晶圆及其制备方法-CN202311066746.8在审
发明人：谷海云;马乾志;张雨杭;姚祖英;魏启旺;张奇;罗朝阳;李志才;马坤;孙晨光;王彦君 -专利权人： 中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆及其制备方法，包括：衬底硅层、第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层；衬底硅层、第三氧化层、第二氧化层、第一氧化层沿晶圆的厚度方向X依次排列；其中，第一氧化层具有第一平均厚度L1，第二氧化层具有第二平均厚度L2，第三氧化层具有第三平均厚度L3，满足：0.06μm≤L1≤0.2μm，0.25um≤L1+L2≤0.45um，且0.5μm≤L1+L2+L3≤0.7μm。本申请的制备方法通过干湿氧化结合，以及匀速逐级升温的工艺，对衬底硅层进行分阶段氧化，获得更致密的氧化膜，避免在后续工序中受到腐蚀损伤。
一种及其制备方法

[发明专利]一种磨片清洗工艺-CN202310966724.0在审
发明人：白玉麟;段立群;孙希凯;东士博;刘建伟;谭永麟;孙晨光;王彦君 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种磨片清洗工艺，步骤包括：对研磨后的硅片先进行预清洗，再对预清洗后的硅片进行碱液清洗；其中，所述碱液清洗时所用的药液为弱碱性清洗剂。本申请一种磨片清洗工艺，适合各种类型产品的清洗，清洗效果好且质量高，避免多种工艺切换而导致的切换工时的浪费，提高清洗效率；可有效去除硅片表面残留的杂质，并使腐蚀后的去除量不足0.5um，且不会对产品的TTV产生影响。
一种清洗工艺

[发明专利]单晶体的制备方法和硅晶体-CN202111619092.8有效
发明人：王双丽;陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶体的制备方法和硅晶体。其制备方法包括：在等径生长阶段，根据方程Gh＝a*h2+b*h+G0得到Gh，根据方程GH＝k*H+G0得到GH，其中，a和b为常数，h及H为相对于固液界面高度，分别取值为‑10～0mm、0～10mm，Gh为距离固液界面高度h处边界层的轴向温度梯度，GH为距离固液界面H区域处的轴向温度梯度；在固液界面至第一参考面区域内调整温度梯度至Gh，在固液界面至第二参考面区域内调整温度梯度至GH。该方法通过量化控制固液界面上方及下方区域内轴向温度梯度，使形成的I型和V型点缺陷在固液界面处扩散和再复合，减小点缺陷形成浓度，控制微缺陷的尺寸，增加完美晶体窗口宽度。
单晶体制备方法晶体

[实用新型]导流筒及具有其的单晶炉-CN202321266859.8有效
发明人：陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导流筒及具有其的单晶炉，导流筒包括：石墨件，石墨件限定出硅料盛放腔，硅料盛放腔沿石墨件的周向延伸成环形，硅料盛放腔的顶部和径向内侧形成有敞开口，石墨件还具有熔汤流道，熔汤流道的一端与硅料盛放腔连通，熔汤流道的另一端延伸至石墨件的底壁且与坩埚的化料腔连通；石英件，石英件盖设于石墨件的上侧和径向内侧，石英件遮盖硅料盛放腔的敞开口，石英件的中心限定出中空通道，中空通道与石墨件间隔开；感应线圈，感应线圈设于石墨件内，且位于硅料盛放腔和熔汤流道的径向外侧，感应线圈环绕硅料盛放腔和熔汤流道设置。根据本实用新型的导流筒，可避免液面发生波动，提升晶体的生长品质。
导流具有单晶炉

[实用新型]半导体晶棒取棒车-CN202321255900.1有效
发明人：张理杰;唐大兵;汪佳 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B66F9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶棒取棒车，包括：电动搬运车，电动搬运车的前端具有水平设置的货叉；车体，所述车体安装在所述货叉上；旋转组件，用于带动转移工装及晶棒旋转，所述旋转组件与所述车体转动连接，所述旋转组件上垂直固定两个平行设置的连接柱，两个所述连接柱与所述转移工装上的两个套筒相配适，所述旋转组件与动力组件连接。本实用新型的半导体晶棒取棒车将旋转组件与动力组件连接，动力组件带动旋转组件、转移工装及晶棒旋转，与单晶炉、转移工装配合，可将长度大于1.7米的晶棒从炉内取出；车体安装到电动搬运车的货叉上，电动搬运车的电机作为动力来源，运输晶棒到指定位置，节省人力。
半导体晶棒取棒车

[实用新型]多晶硅料自动加料器及加料系统-CN202321271306.1有效
发明人：张龙飞;唐大兵;杨凯;汪佳 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅料自动加料器，包括：升降架，升降架包括竖直架和水平架，竖直架垂直固定于水平架的一端；移动平台，移动平台与水平架滑移连接；存料斗，存料斗固定于移动平台的上方，存料斗的底部开设有出料口；振动给料机，振动给料机的一端与出料口连接，其另一端通过加料槽与二加石英管的加料口连通，加料槽倾斜向下设置。本实用新型公开了一种多晶硅料自动加料器的加料系统通过设置升降车，方便位置的转移，同时升降架的高度可调，方便加料，节省人力，适用于各种高度的加料口，移动平台与水平架滑移连接，可以微调给料槽与加料槽之间的距离，同时激光传感器的设置，可以精确控制二者的距离，防止撒料的同时防止二者相撞。
多晶自动料器加料系统

[实用新型]晶棒取棒车的定位调平系统-CN202321266307.7有效
发明人：张理杰;唐大兵;汪佳 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶棒取棒车的定位调平系统，包括：支腿调平组件，支腿调平组件至少有四个，每个支腿调平组件均包括升降机，四个升降机分别安装在车体四个拐角处，支腿调平组件通过升降机的升降运动对车体位置进行调平；激光定位组件，激光定位组件有两个，两个激光定位组件安装在车体同一侧的前后两端，每个激光定位组件均包括激光器；纵横向水平检测组件，纵横向水平检测组件安装于旋转架上，纵横向水平检测组件包括载板、横向水平仪和纵向水平仪，载板竖直安装在旋转架上表面的后端，载板与工装销轴垂直设置，载板的前端面水平固定有横向水平仪，载板的前端面竖直固定纵向水平仪，横向水平仪与纵向水平仪垂直设置。
晶棒取棒车定位系统

[实用新型]用于单晶炉的导流筒及单晶炉-CN202321289508.9有效
发明人：陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于单晶炉的导流筒及单晶炉，单晶炉包括：导流筒、炉体和坩埚，导流筒包括：储料部，储料部限定出储料腔；弯曲部，弯曲部设于储料部的径向内侧，弯曲部限定出U形通道，U形通道的入口和出口均开口向下，且U形通道的入口与储料腔的顶部敞开口连通；缓冲部，缓冲部设于弯曲部的径向内侧，缓冲部限定出多个缓冲通道，多个缓冲通道沿缓冲部的周向方向均匀间隔设置；升降托板，升降托板设于储料腔内，且升降托板适于沿储料部的延伸方向上下移动，以将储料腔内的硅料推送至缓冲通道内。根据本实用新型的用于单晶炉的导流筒，通过控制升降托板向上移动的距离，可实现硅料的少量、多次投放，有利于保证晶棒的生长品质。
用于单晶炉导流

[实用新型]加料装置和晶体生长装置-CN202321333164.7有效
发明人：李向阳;陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本实用新型开了一种加料装置和晶体生长装置，加料装置包括加料管、阀体和遮挡组件，阀体可运动地设于出料口处以开关出料口，且在阀体运动至打开出料口的位置时，阀体的外周沿与出料口的外周沿上下至少部分间隔以限定出预设出料区，遮挡组件包括至少一个遮挡件，遮挡件可运动地设于加料管的底部，且遮挡组件具有遮挡位置，在遮挡位置时，在预设平面上，遮挡件的正投影位于阀体的正投影外轮廓外侧，遮挡组件位于预设出料区的径向外侧、遮挡组件的邻近加料管中心轴线的一端高于预设出料区的下边沿，预设平面与加料管的中心轴线垂直。加料装置可以将加料时飞溅的物料与周边热场隔开，以提升热场使用寿命。
加料装置晶体生长

[实用新型]一种新型的集中供液装置-CN202320207150.4有效
发明人：尹文宝;王维师;王锴;菅明辉;曹锦伟;李世权;孙晨光;王彦君 -专利权人： 中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的集中供液装置，包括底座，所述底座的顶部一侧设置有加热管，所述加热管的顶部设置有主抛光液箱，所述主抛光液箱的顶部设置有冷却水盘管，所述主抛光液箱的一侧设置有框架，所述框架的顶部分别设置有原液箱和氢氧化钾溶液箱，所述氢氧化钾溶液箱的一侧表面设置有氢氧化钾液位系统，所述原液箱和氢氧化钾溶液箱的一侧分别设置有原液供液泵和计量泵，所述框架的底部设置有三路供液系统。该一种新型的集中供液装置，在进行日常使用的过程中，可实现由原来的7小时换液延长至168小时换液，减少产品因换液带来的质量波动，进而有效的实现抛光液集中供应，减少抛光液的更换周期，提高产品的整体质量。
一种新型集中装置

[实用新型]一种新型的不停机换液装置-CN202320164865.6有效
发明人：尹文宝;黄盛军;王维师;白苏宁;王锴;菅明辉;曹锦伟;李仕权;王彦君 -专利权人： 中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的不停机换液装置，包括底座，所述底座的顶部一侧设置有冷水管，所述冷水管的顶部一侧设置有抛光液回收箱，所述抛光液回收箱的一侧设置有温度传感器，所述冷水管的一侧表面设置有液位传感器，所述冷水管一侧的底座顶部设置有供液泵，所述冷水管靠近底部的一侧设置有抛光液出口，所述抛光液出口与供液泵之间通过管道贯通连接。该一种新型的不停机换液装置，采用抛光机同时连接一主、一副两组供液系统实现不停机换液，减少传统的停机换液造成的工时浪费，减少停机造成大盘温度变化对产品几何参数造成的影响，有效的实现抛光机的抛光液寿命到期后，直接切换加入新抛光液的副TANK系统供液，达到不停机换液的目的。
一种新型停机装置

[发明专利]自动侦测并卡控晶圆上缺陷的方法和系统-CN202010257939.1有效
发明人：陈建铭;卢健平 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了自动侦测并卡控晶圆上缺陷的方法和系统，该方法包括：提供至少一个层叠设置的晶圆；基于每个所述晶圆上的缺陷信息，构建缺陷分布图；在所述缺陷分布图中划分至少一个预定区域；基于缺陷位置，确定每个所述预定区域中的预定缺陷的数量；将每个所述预定区域中的所述预定缺陷的数量与设定阈值进行比较，基于比较结果，确定检测结果。通过该方法，在卡控晶圆上的缺陷数量和缺陷种类的同时，还可以卡控缺陷的分布情况，避免缺陷分布集中导致的问题，从而更好地保证产出芯片的品质。
自动侦测卡控晶圆上缺陷方法系统

[发明专利]一种安全使用HNO3-CN202310303455.X在审
发明人：郑岳亮;杨振域;龚赛;王超;吴志豪;王瀚;赵佳豪;杜金生;武卫;孙晨光;王彦君 -专利权人： 中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种安全使用HNO3溶液的方法，其工艺方法包括以下步骤：S1、首先需要将HNO3桶、脉冲流量计、密封连接装置、隔膜泵和酸洗槽进行实时安装固定在相应位置处，并将HNO3桶、密封连接装置、脉冲流量计、隔膜泵和酸洗槽之间相互通过管道进行贯通连接，将酸排管路通过对空管进行实时与密封连接装置贯通安装在一起；S2、然后通过将酸洗槽增加一路HNO3进液管路，包含隔膜泵和脉冲流量计，将隔膜泵进液管路插入HNO3桶内，即可实现自动加液控制。本发明通过增加隔膜泵和脉冲流量计以及密封连接装置,有效的保证了自动供液系统的正常运转，通过HNO3自动供液系统上线，不仅实现了流量的精确控制，而且操作起来整体更安全。
一种安全使用 hno base sub

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