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[发明专利]一种无线信号传输球型土压力传感器-CN201810131200.9在审
发明人：夏元友;杨俊超;黄建;刘夕奇;严敏嘉;陈晨 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种无线信号传输球型土压力传感器，包括球型外壁、半导体应变片、重力感应模块、无线信号发射模块、无线充电电源，半导体应变片通过激光雕刻技术粘贴在球型外壁内侧，重力感应模块确定半导体应变片各个测点的坐标方位信息,重力感应模块所获取的坐标方位信息和半导体应变片获取的应变信息都输入微型处理器，并通过无线信号发射模块将信号进行调制，传递到计算机，无线充电电源通过AC‑DC变换模块对土压力传感器进行无线充电，无线充电电源的充电磁线圈围绕在球型外壁的内侧
半导体应变片土压力传感器无线充电重力感应模块无线信号球型外壁无线信号发射模块电源坐标方位测量激光雕刻技术微型处理器变换模块电磁线圈复杂工况复杂环境土体结构应变信息测点调制粘贴计算机传递

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210339903.7在审
发明人：殷华湘;张青竹;姚佳欣;曹磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：衬底；纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上；其中，所述纳米片堆栈部包括：多个纳米片形成的叠层，所述纳米片由半导体材料形成；所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕于所述纳米堆栈部周围；源漏区；多个所述纳米片之间、靠近源漏区的部分被高应变内侧墙绝缘介质层间隔。本发明通过生长高应变的内侧墙绝缘介质，然后在外延生长和源漏退火工艺之后通过相邻紧密接触的应变传导形成更强的纳米片沟道应变，由此增强载流子迁移率，提升器件与电路性能。
一种半导体器件及其制备方法

[实用新型]可挠性热电型微型热泵-CN201420261155.6有效
发明人：周子庆 -专利权人：周子庆
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制冷领域，尤指广泛用于半导体制冷领域的片状密集型热电堆。现有的半导体制冷片即热电热泵产品均为以挠性陶瓷基板或刚性铝基板制成，不仅易碎、应变力低，还大大局限了产品外形设计。本实用新型很好的解决现有的半导体制冷片状热电热泵(半导体制冷片)产品易碎、应变力低的问题，令片状热电热泵具有可挠性，从而使得制冷领域的产品外形设计时更灵活。
可挠性热电微型

[实用新型]一种汽车压力传感器用带有定位结构的封装设备-CN202221678759.1有效
发明人：赵倩;李桂新 -专利权人：无锡芯盾传感科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：加工台的表面两侧均固定安装有固定板，固定板的内部开设有移动槽，移动槽的内部转动连接有第一螺纹杆，本实用新型具有以下优点：通过第一电机驱动第一螺纹杆进行转动，从而同侧两个导向板移动带动挡板在矩形槽的内部进行位置移动，进而根据运输半导体应变片的尺寸调节两个挡板之间的相距距离，当工作人员将半导体应变片放置在输送机表面进行输送时，两个挡板会对半导体应变片两个侧面进行限位，半导体应变片可以在输送机表面稳定输送。
一种汽车压力传感器用带有定位结构封装设备

[发明专利]半导体结构-CN201010151192.8有效
发明人：王敬;许军;郭磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构，包括衬底，形成在衬底上的过渡层或绝缘层，依次形成在过渡层或绝缘层上的第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层、第二应变宽禁带半导体层，以及形成在第二应变宽禁带半导体层之上的栅堆叠，和形成在第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层和第二应变宽禁带半导体层之中的源极和漏极。该半导体结构不仅能抑制两种BTBT漏电的产生，另外还能在中间的应变窄禁带半导体层(例如应变Ge层或应变SiGe层)中产生空穴势阱，提高载流子的迁移率，改善器件性能。
半导体结构

[发明专利]一种应变传感膜、压力传感器、应变感测系统-CN202180018123.6在审
发明人：余锦波;陈之昀;朱长锋;李灏 -专利权人：深圳纽迪瑞科技开发有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本申请公开一种应变传感膜、压力传感器、应变感测系统，其中，应变传感膜包括半导体薄膜(20)，通过在半导体薄膜(20)内设置温度传感器(203)，获得更精确的传感膜的温度，并结合校准测试得到的有效灵敏度系数与温度关系表对应变传感膜的灵敏度进行修正，实现更好的有效灵敏度系数补偿，可以充分利用半导体薄膜应变片的高灵敏度，可以广泛应用于需要测量局部应变或者应变变化、力或力变化、压力或压力变化、位移、变形、弯曲或弯曲的应用场景中。
一种应变传感压力传感器系统

[发明专利]多栅极电晶体及其制造方法-CN200710000298.6有效
发明人：林宏年;林鸿志;黄调元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该电晶体具有一半导体基材以及一半导体鳍片。该半导体基材具有一第一晶格常数。该半导体鳍片由该半导体基材延伸而出，并具有一第二晶格常数、一顶面以及两相对的侧壁面。该第二晶格常数相异于该第一晶格常数。藉由半导体基材与半导体鳍片两者间晶格不匹配感应产生通道中的应变。并可藉由材料的选择来调整此一应变量。
栅极电晶体及其制造方法

[发明专利]一种半导体芯片的制作方法及激光器-CN202010441131.9在审
发明人：郑兆祯;吴阳烽;焦旺;王菊;廖桂波;丁新琪;涂庆明 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01S5/02257 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体芯片的制作方法以及激光器，该方法包括：提供一具有初步锌扩散的外延片；在外延片的至少部分表面沉积应变层，以使得半导体芯片的发射光谱发生蓝移，其中，至少部分表面包括窗口区；对外延片与应变层进行加热，以提高锌在窗口区的扩散；其中，在加热后应变层的薄膜应变大于加热前的薄膜应变。
一种半导体芯片制作方法激光器

[实用新型]一种电桥调偏电路-CN201822239473.3有效
发明人：肖棋;王邓江;关喜嘉;王亚军;王伟 -专利权人：北京万集科技股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G01G23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电桥调偏电路，其主要包括：电桥电路，跟随电路，电阻切换电路，电压采集电路；所述电桥电路包含半导体应变片和与半导体应变片温漂系数成反比的碳膜电阻；所述电桥电路用于通过半导体应变片感应水泥板块微应变
电桥电路半导体应变片电桥电压采集电路电阻切换电路本实用新型电桥电压跟随电路电压差调偏分压电路采集电阻分压电路贴片式电阻采集电路测量电桥电路调节电压零点电压转换负载能力数字信号水泥板块碳膜电阻微应变上传温漂隔离

[发明专利]应变弛豫方法、形成半导体层和半导体器件的方法-CN201510126114.5有效
发明人：王维一;马克·S·罗德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应变弛豫方法、一种形成应变弛豫半导体层的方法和一种形成半导体器件的方法。提供了形成应变弛豫半导体层的方法，其中，在半导体基底的表面中形成多孔区。在多孔区上形成与半导体基底晶格匹配的第一半导体层。在第一半导体层上形成第二半导体层，第二半导体层形成为应变层。然后，弛豫第二半导体层。
应变方法形成半导体半导体器件

[发明专利]具有应变区的半导体器件-CN201210419068.4有效
发明人：李宗霖;袁锋;江宏礼;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供用于实现应变外延区的器件和方法。提供一种半导体制造方法，包括在半导体衬底的鳍片上方形成栅极结构并且在邻近栅极结构的鳍片中形成凹槽。然后更改凹槽的侧壁。外延区与经过更改的凹槽侧壁通过界面接合并且是应变外延区。本发明提供了具有应变区的半导体器件。
具有应变半导体器件

[发明专利]半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管-CN96111670.6无效
发明人：小野健一;元田隆 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1996-08-14 - 公布日： 1997-07-02 - 主分类号： H01S3/18 文献下载
摘要：一种半导体器件，包含具有表面的半导体衬底(1)；由交互叠合在一起的多个第一半导体层(4a)和第二半导体层(4b)构成的应变超晶格结构，第一半导体层(4a)在相对于半导体衬底(1)为压缩或伸张的方向上有第一应变，第二半导体层(4b)有和第一应变方向相同但大小不同的第二应变。因此使第一半导体层(4a)和第二半导体层(4b)之间的应变差减小，由此应变超晶格结构的结晶质量得到改进。
半导体器件半导体激光器电子迁移率晶体管

[发明专利]具有自对准外延源和漏的多栅半导体器件-CN201080058549.6有效
发明人： A.卡佩拉尼;T.加尼;K-Y.沈;A.S.墨菲;H.戈麦斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：具有低寄生电阻的沟道应变多栅晶体管及其制造方法。栅叠层可在具有栅耦合侧壁高度(Hsi)的半导体翼片之上形成，蚀刻速率控制掺杂剂可注入与栅叠层相邻的半导体翼片的源/漏区中以及注入半导体翼片的源/漏扩展区中。可蚀刻掺杂翼片区，以便去除在沟道区附近至少等于Hsi的厚度的半导体翼片，并且形成源/漏扩展底切。材料可在暴露半导体衬底上生长，以便形成再生长源/漏翼片区，从而填充源/漏扩展底切区。
具有对准外延半导体器件

[发明专利]半导体应变片及电子器件模拟封装应力检测的方法-CN202310585747.7在审
发明人：王春举;刘宇;程利冬;贺海东;陈峰;孙立宁 -专利权人：苏州大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体应变片及电子器件模拟封装应力检测的方法，半导体应变片包括自下至上依次连接的硅基底、绝缘层和金属层，硅基底表面具有压敏电阻，压敏电阻位于硅基底和绝缘层之间，压敏电阻上具有重掺杂区，金属层和重掺杂区进行欧姆接触本发明还公开了一种利用上述半导体应变片进行电子器件模拟封装应力检测的方法。
半导体应变电子器件模拟封装应力检测方法

[实用新型]脉搏波换能器-CN94239535.2无效
发明人：潘家城 -专利权人：潘家城;窦素琴
申请日： 1994-10-25 - 公布日： 1995-05-31 - 主分类号： A61B5/024 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种测量人体的动静脉搏动的脉搏波换能器，包括外壳、装在外壳前后的罩盖和后盖、通过手柄螺杆固定在后盖上的手柄，其特征在于外壳内包含一个能感应和输出脉搏跳动信号的粘贴半导体片的应变梁，该应变梁通过连接螺杆固定在座架上，座架与外壳连接，中间设有垫圈，感应触头穿过罩盖、外壳及垫圈的中心孔通过连接螺杆固定在应变梁上。粘贴在应变梁上的半导体片组成全桥电路或半桥电路。
脉搏波换能器