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[发明专利]一种温度自补偿半导体压阻应变计-CN201611265272.X在审
发明人：邱华诚;李绪国;皮兴才;闵夫;冯双;郭海潮 -专利权人：中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G01L19/04 文献下载
摘要：本发明属于传感技术领域，具体涉及一种温度自补偿的半导体压阻应变计，包括应变计基底、电极、敏感栅,以及在应变计使用过程中需要的直流电压源和检测元件，所述应变计基底为半导体材料，所述敏感栅由离子掺杂或扩散工艺在半导体材料上制作而成本发明提出的应变计通过自身相互正交的敏感栅结构，能够实时补偿由半导体材料自身的电阻温度效应以及应变计和测试件受热膨胀导致的测量误差，能够满足风洞试验中温度变化的条件下对微小应变进行精确测量的要求。
应变计敏感栅半导体材料温度自补偿正交的基底压阻半导体测量直流电压源传感技术风洞试验扩散工艺离子掺杂敏感电阻实时补偿受热膨胀温度效应测试件电极电阻检测制作

[实用新型]一种温度自补偿半导体压阻应变计-CN201621483810.8有效
发明人：邱华诚;李绪国;皮兴才;闵夫;冯双;郭海潮 -专利权人：中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G01L19/04 文献下载
摘要：本实用新型属于传感技术领域，具体涉及一种温度自补偿的半导体压阻应变计，包括应变计基底、电极、敏感栅,以及在应变计使用过程中需要的直流电压源和检测元件，所述应变计基底为半导体材料，所述敏感栅由离子掺杂或扩散工艺在半导体材料上制作而成本实用新型提出的应变计通过自身相互正交的敏感栅结构，能够实时补偿由半导体材料自身的电阻温度效应以及应变计和测试件受热膨胀导致的测量误差，能够满足风洞试验中温度变化的条件下对微小应变进行精确测量的要求。
一种温度补偿半导体应变

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180000972.9在审
发明人：郝荣晖;何川;黃敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一应变补偿层和第一保护层。第二氮基半导体层设置在第一氮基半导体层上，并且具有的带隙大于第一氮基半导体层的带隙。源极电极和漏极电极设置在第二氮基半导体层上方。栅极电极设置在源极电极和漏极电极之间。第一应变补偿层设置在第二氮基半导体层之上方并且在漏极电极和栅极电极之间。第一保护层覆盖第一应变补偿层以形成第一界面，其中第一界面和第二氮基半导体层之间的垂直距离沿着从栅极电极往漏极电极的方向增加。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]应变半导体单晶纳米结构-CN202110461841.2在审
发明人： G·埃内曼;B·布里格斯;A·德克亚斯亦特;A·维洛索;F·保拉 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，其包括：a.具有顶部层的半导体基材；b.一个或多个半导体单晶纳米结构，其各自具有第一和第二末端，第一和第二末端限定了平行于半导体基材顶表面并与顶表面隔开一定距离的轴，各纳米结构具有在第一末端上外延生长的源极结构和在第二个末端外上延生长的漏极结构，其中，源极和漏极结构由p掺杂(或n掺杂)的半导体单晶材料制备，该半导体单晶材料的未应变晶格常数小于(或大于)制造源极和漏极结构生长于其上的半导体单晶纳米结构的半导体单晶材料的未应变晶格常数，从而在该半导体单晶纳米结构中产生压缩(或拉伸)应变。
应变半导体纳米结构

[发明专利]至少一对间隔的应力区之间包括应变超晶格的半导体器件以及相关方法-CN200680025681.0无效
发明人：罗伯特·J.·梅尔斯;斯科特·A.·柯瑞普斯 -专利权人：梅尔斯科技公司
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种半导体器件，可以包括至少一对间隔的应力区(227，228)，以及位于该至少一对间隔的应力区之间并且包括多个层叠层组的应变超晶格层(225)。应变超晶格层的每个层组可以包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。
至少一对间隔应力之间包括应变晶格半导体器件以及相关方法

[发明专利]一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法-CN201310733672.9无效
发明人：刘洪刚;龚著靖;王盛凯;韩乐;杨旭;常虎东;孙兵;赵威;刘桂明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；在该清洗后的锗片上沉积NiSn合金；以及在氮气的氛围下进行退火合金化，形成NiSnGe合金，从而得到NiSnGe与n型半导体锗的源漏接触。本发明提供的制作金属与半导体锗源漏接触的方法，是在金属与n型锗接触之间引入应变元素Sn，降低了接触的势垒高度，使得在n型锗上能实现较低电阻率的接触，解决了采用锗作为沟道材料的器件的源漏接触问题，从而进一步提高半导体锗
一种制作金属半导体漏接方法

[发明专利]以鳍式FET技术实现的集成式拉伸性应变硅NFET和压缩性应变硅锗PFET-CN201910510981.7在审
发明人：柳青;P·莫林 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：对拉伸性应变的硅层进行图案化以形成在第一衬底区域中的第一组鳍以及在第二衬底区域中的第二组鳍。该第二组鳍覆盖有拉伸性应变的材料，并且执行退火以使在该第二组鳍中的拉伸性应变的硅半导体材料弛豫并在该第二区域中产生多个弛豫的硅半导体鳍。该第一组鳍覆盖有掩模，并且在这些弛豫的硅半导体鳍上提供硅锗材料。然后，将来自该硅锗材料的锗驱入这些弛豫的硅半导体鳍中以在该第二衬底区域中产生多个压缩性应变的硅锗半导体鳍(从中形成多个p沟道鳍式FET器件)。去除该掩模以显露出在该第一衬底区域中的多个拉伸性应变的硅半导体鳍(从中形成多个n沟道鳍式FET器件)。
拉伸性衬底区域硅半导体弛豫鳍式硅锗材料压缩性掩模硅半导体材料退火半导体鳍第二区域技术实现应变硅锗集成式图案化应变硅覆盖硅层硅锗去除显露

[发明专利]一种应变二维半导体晶体管及其制备方法-CN202310170326.8在审
发明人：向都;刘陶;宋鲁闻宇 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种应变二维半导体晶体管及其制备方法。应变二维半导体晶体管包括：基于掩膜版工艺所制备的表界面带有凸起或尖峰的高均一性应变衬底、位于应变衬底上的二维半导体材料，位于二维半导体材料上的源漏金属电极以及金属接触点、位于二维沟道以及源漏金属电极以及金属接触点上方的顶部栅介质层本发明利用粗糙衬底所产生的局域面外应变场调控二维半导体的能带/晶格结构以及载流子‑声子散射模式，从而实现具有高室温载流子迁移率、高饱和电流、低工作电压的晶体管。本发明的方法高效可控且简单易行，为未来基于二维半导体的大规模、高性能数字/模拟电子器件提供了参考。
一种应变二维半导体晶体管及其制备方法

[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法-CN201511021307.0有效
发明人：柳青;P·莫林 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：对拉伸性应变的硅层进行图案化以形成在第一衬底区域中的第一组鳍以及在第二衬底区域中的第二组鳍。该第二组鳍覆盖有拉伸性应变的材料，并且执行退火以使在该第二组鳍中的拉伸性应变的硅半导体材料弛豫并在该第二区域中产生多个弛豫的硅半导体鳍。该第一组鳍覆盖有掩模，并且在这些弛豫的硅半导体鳍上提供硅锗材料。然后，将来自该硅锗材料的锗驱入这些弛豫的硅半导体鳍中以在该第二衬底区域中产生多个压缩性应变的硅锗半导体鳍(从中形成多个p沟道鳍式FET器件)。去除该掩模以显露出在该第一衬底区域中的多个拉伸性应变的硅半导体鳍(从中形成多个n沟道鳍式FET器件)。
fet 技术实现集成拉伸应变 nfet 压缩性 pfet

[发明专利]用于柴油机的油压传感装置-CN201310116593.3无效
发明人：史立新 -专利权人：史立新
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G01L9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于柴油机的油压传感装置，包括：芯体、半导体应变片和传感单元，所述半导体应变片设置在芯体的顶端，所述传感单元连接在芯体上，所述传感单元包括处理模块、A/D转换模块和存储模块，所述A/D转换模块连接处理模块
用于柴油机油压传感装置

[实用新型]用于柴油机的油压传感装置-CN201320166665.0有效
发明人：史立新 -专利权人：史立新
申请日： 2013-04-07 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G01L9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于柴油机的油压传感装置，包括：芯体、半导体应变片和传感单元，所述半导体应变片设置在芯体的顶端，所述传感单元连接在芯体上，所述传感单元包括处理模块、A/D转换模块和存储模块，所述A/
用于柴油机油压传感装置

[发明专利]原位形成的包括应变诱导合金及梯度掺杂分布的源漏区-CN201080014189.X无效
发明人： J·亨齐尔;V·帕帕耶奥尔尤;U·格里布诺 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：可基于原位(in-situ)掺杂的应变诱导半导体合金获得晶体管的掺杂分布，其中，可沿高度方向建立梯度掺杂浓度。因此，该半导体合金可邻近沟道区设置，以提升总体的应变诱导效率，同时不会过分影响最终获得的掺杂分布。而且，可在选择性生长该半导体合金之前纳入额外的注入种类，以避免因注入引起的内部应变松弛。
原位形成包括应变诱导合金梯度掺杂分布源漏区

[发明专利]阵列基板和触控显示面板-CN201710522189.4有效
发明人：李杰良;袁永;朱在稳 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板和触控显示面板，该阵列基板包括显示区和环绕显示区的非显示区，多个半导体压力传感器，位于非显示区，各半导体压力传感器包括多个用于感应外界压力的半导体电阻；电压施加电路，用于向半导体压力传感器施加电压；电压检测电路，用于获取半导体压力传感器的应变电压；多个电阻校正电路，每个半导体压力传感器中存在至少一个半导体电阻与电阻校正电路对应，电阻校正电路用于校正与之对应的半导体电阻的电阻率，使得上述阵列基板中的各半导体压力传感器中的半导体电阻在未感应到外界压力的状态下平衡，且对应的应变电压为预设初始值，触控显示面板可以根据应变电压准确地检测出触控压力的大小。
阵列显示面板

[发明专利]垂直腔表面发射激光器、装置、光学扫描设备和成像设备-CN200910141334.X有效
发明人：原敬;上西盛圣 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2009-06-02 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，VCSEL阵列装置，光学扫描设备和成像设备，其中VCSEL包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的下反射镜和台结构。下电极连接到半导体衬底，上电极连接到上反射镜。当电流在上电极和下电极之间流动时，VCSEL发射垂直于半导体衬底的平面的激光。半导体衬底关于(100)平面倾斜。有源层包括相对于衬底具有压缩应变的量子阱层和间隔层。间隔层相对于半导体衬底具有压缩应变或者拉伸应变。
垂直表面发射激光器装置光学扫描设备成像

[发明专利]形成差别应变主动区的方法及其应变主动区-CN200610065826.1有效
发明人：陈豪育;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-23 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明是有关于一种形成差别应变主动区的方法及其应变主动区，其包括提供具有绝缘层上覆半导体结构的半导体基材；在半导体基材的绝缘层中形成掺杂区，此掺杂区是位于后续形成的NMOS主动区下方；图案化半导体基材的上半导体区，以形成NMOS主动区及PMOS主动区；实施热氧化制程以在NMOS主动区及PMOS主动区产生不同的体积膨胀；形成凹陷区，此凹陷区包括邻接于PMOS主动区两端的绝缘层；以及移除覆盖于上半导体区上的层以形成差别应变主动区
形成差别应变主动方法及其

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