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[发明专利]半导体激光元件及其制造方法-CN200710088516.6有效
发明人：藤本康弘;高山彻;村泽智;中山久志;木户口勋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-03-14 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。
半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]具有提高的可靠性和工作寿命的半导体器件及其制造方法-CN201380055651.4有效
发明人： D·弗朗西斯;D·巴比克;F·纳瑟-菲利;F·伊杰克阿姆;Q·迪达克;J·斯马特;K·马修斯;F·Y·洛维 -专利权人：六号元素技术美国公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：描述了用于制造展示出提高的寿命和可靠性的半导体晶片结构的方法。这些方法包括将有源半导体层结构从原生非晶格匹配的半导体生长基板转移到工作基板，其中应变匹配层以及可任选地有源半导体层结构的一部分被去除。在某种实施例中，将有源半导体层结构附接于工作基板的过程包括在高温下退火达规定时间。本文所描述的方法能够被用来制造在整个有源半导体层结构内具有低浓度的位错缺陷的且不包含存在于原生半导体生长基板内的高度错位的应变匹配层的工作半导体晶片结构。
具有提高可靠性工作寿命半导体器件及其制造方法

[发明专利]沟槽应变抬升源/漏结构及其制造方法-CN200510069963.8无效
发明人： B·梅辛杰;R·T·莫;D·J·斯凯皮西 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-05-11 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制造应变抬升源/漏层的沟槽硅的可制造方法，该方法采用端点探测方法用于沟槽蚀刻并提供沟槽上的紧密度容差。该方法包括：在掺杂半导体衬底的表面上形成包括氧和碳的单层；在掺杂半导体衬底上形成外延Si层；在外延Si层上形成至少一个栅极区；使用端点探测，选择性地蚀刻外延Si层未受栅极区保护的暴露部分，在掺杂半导体衬底上停止，并暴露掺杂半导体衬底；以及在暴露的掺杂半导体衬底上形成应变SiGe层。应变SiGe层充当其中可以随后形成源/漏扩散区的抬升层。
沟槽应变抬升结构及其制造方法

[其他]一种半导体器件-CN201190000054.8有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底(300)；SiGe弛豫层(200)，位于所述半导体衬底(300)上；NMOS晶体管，位于该SiGe弛豫层(200)上；以及PMOS晶体管，位于SiGe弛豫层(200)上。其中该NMOS晶体管包括：拉应变外延层(260n)，位于SiGe弛豫层(200)上或者嵌入到SiGe弛豫层(200)中；以及PMOS晶体管包括：压应变外延层(260p)，位于SiGe弛豫层(200)上或者嵌入到还提供了一种用于形成应变半导体沟道的方法。
一种半导体器件

[发明专利]一种裂纹尖端应变场传感器及其测量方法-CN201510531351.X在审
发明人：宋明;徐彤 -专利权人：中国特种设备检测研究院
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种裂纹尖端应变场传感器及其测量方法，该传感器为一种阵列型传感器，采用了高灵敏度的半导体各向异性薄膜材料，利用材料的压阻效应或压电电荷对界面电阻的调制效应实现应变传感。本发明摒弃了传统应变片的平面式电极布置结构，选用三维立体正交的顶底电极布置结构。从而实现了传感器单元的小型化、高灵敏化。利用半导体薄膜传感材料的电阻各向异性实现了传感单元对单一薄膜的共享，从而大大简化阵列器件结构设计及微加工工艺，提高阵列集成度。该器件结构显著提高了传感器的空间分辨率、应变灵敏度并实现场应变测量以适应裂纹尖端非均匀应变场测量的目的。
一种裂纹尖端应变传感器及其测量方法

[发明专利]在应变松弛缓冲层上方形成应变外延半导体材料的方法-CN201510701564.2有效
发明人：亓屹;D·P·布伦科 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种在应变松弛缓冲层上方形成应变外延半导体材料的方法。其中，这里所揭露的一种示例方法包括：除其它以外，在衬底上方顺序形成第一材料层、第一覆盖层、第二材料层以及第二覆盖层，其中，该第一及第二材料层由半导体材料制成，该半导体材料所具有的晶格常数不同于该衬底，该第一材料层于沉积时应变，且该第一材料层的厚度超过其稳定及应变所需的临界厚度；执行退火制程，在该退火制程以后，通过基本上限于该半导体衬底、该第一材料层、该第一覆盖层以及该第二材料层的晶体缺陷的形成，该第一材料层中的该应变基本上松弛；以及在所得结构的上表面上形成额外的外延半导体材料。
应变松弛缓冲上方形成外延半导体材料方法

[发明专利]具有应变的硅沟道的场效应晶体管及其制造方法-CN200510107518.6无效
发明人：李成泳;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-26 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供场效应晶体管(FET)和制造FET的方法，该FET包括半导体衬底上的结构侧壁上的沟道层，以及至少具有在从半导体衬底延伸的结构侧壁的方向上应变的部分沟道层。该晶体管可以是FinFET，半导体衬底上的结构包括鳍形结构，以及侧壁可以是鳍形结构的侧壁。沟道层可以是Si外延层和可以在包括SiGe和Si的交替层的内鳍形结构上。沟道层可以包括应变的和不应变的部分。应变的和不应变的部分可以是沟道层的侧壁。
具有应变沟道场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种应用于脉冲风洞的半导体应变天平-CN202010179479.5在审
发明人：黄军;杨彦广;邱华诚;赵荣娟;刘施然;吕治国 -专利权人：中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G01M9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于脉冲风洞的半导体应变天平。该天平从前至后依次包括模型连接段、第一组合测量元件、轴向力测量元件、第二组合测量元件、加速度计安装段、天平支杆和支撑段。该天平针对脉冲风洞有效时间短的特点，采用了半导体应变天平形式，同时将天平和支杆设计为一个整体，减少了中间部件，增强了天平的刚度。该天平在三片梁式组合测量元件的基础上，将侧片梁分为上、下两个片梁，分别用于侧向力、偏航力矩和滚转力矩测量，提高了滚转力矩的灵敏度和测量精度。
一种应用于脉冲风洞半导体应变天平

[实用新型]一种应用于脉冲风洞的半导体应变天平-CN202020318861.5有效
发明人：黄军;杨彦广;邱华诚;赵荣娟;刘施然;吕治国 -专利权人：中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01M9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于脉冲风洞的半导体应变天平。该天平从前至后依次包括模型连接段、第一组合测量元件、轴向力测量元件、第二组合测量元件、加速度计安装段、天平支杆和支撑段。该天平针对脉冲风洞有效时间短的特点，采用了半导体应变天平形式，同时将天平和支杆设计为一个整体，减少了中间部件，增强了天平的刚度。该天平在三片梁式组合测量元件的基础上，将侧片梁分为上、下两个片梁，分别用于侧向力、偏航力矩和滚转力矩测量，提高了滚转力矩的灵敏度和测量精度。
一种应用于脉冲风洞半导体应变天平

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010790744.3在审
发明人：赵君红 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括第一区，并且，在第一区的初始衬底上具有若干相互分立的初始第一鳍部；在所述第一区的初始第一鳍部侧壁面形成第二应变鳍部；以所述第二应变鳍部为掩膜，刻蚀所述初始衬底和第一区上的初始第一鳍部，形成衬底、以及位于第一区的衬底和第二应变鳍部之间的第二无效鳍部，并且，在每个第二无效鳍部上的相邻第二应变鳍部之间，形成延伸至第二无效鳍部内的隔离开口。从而，形成具有应变鳍部的半导体结构，并且，能够更自由的选择形成应变鳍部的工艺和应变鳍部的材料、提高半导体结构的集成度，且使相邻应变鳍部间、以及应变鳍部和其他半导体器件间实现电绝缘。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件和电接触件-CN201911301985.0在审
发明人：蒂姆·波特;奥尔里克·舒马赫;简·菲舍尔 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开涉及用于分立半导体器件的电接触件结构以及制造电接触件结构的对应方法。电接触件包括第一金属层，其被配置和布置为接触半导体裸片的应变有源区；第二金属层，其被配置和布置为接触第一金属层；以及第三金属层，其被配置和布置为接触第二金属层。
半导体器件接触

[发明专利]二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法-CN202210023131.6在审
发明人：刘明岩;万逸;阚二军;赵益彬 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法。所述方法先配置聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯醇溶液，并机械剥离制备薄层二维半导体材料，然后依次使用聚乙烯吡咯烷酮溶液和聚乙烯醇溶液对薄层二维半导体材料进行旋涂，最后使用胶水将柔性基底和旋涂后的SiO2/Si基片粘贴在一起，静置后将柔性基底与SiO2/Si基片分离，得到二维半导体材料高效应变柔性衬底。本发明实现了衬底和二维半导体材料间的紧密粘连，避免在施加应变的过程中样品发生滑移，将使用传统方法施加的应变上限由2％提高到7％。
二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法

[发明专利]应变层的生长方法以及带有应变层的衬底-CN201310721032.6有效
发明人：魏星;母志强;薛忠营;狄增峰;方子韦 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层；在顶层半导体层中形成贯通的腐蚀窗口；在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条，所述桥接条包括上电极层、下电极层以及压电材料层；通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使桥接条和部分的顶层半导体层悬空；在所述上电极层和下电极层之间施加电压，使所述压电材料层发生形变，从而使悬空的顶层半导体层发生应变。本发明的优点在于，利用了压电材料的逆压电现象，即外加电场会在压电材料中引入明显的尺寸改变的特性，通过桥接条引入足够的应变力，是一种低成本而高效的方法。
应变生长方法以及带有衬底

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201580050312.6有效
发明人： B-Y·阮;W·施瓦岑巴赫;C·马勒维尔 -专利权人： SOITEC公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：制造半导体结构的方法，包括：提供绝缘体上半导体(SOI)衬底，该衬底包括：基衬底；应力源层，其在基衬底上方；表面半导体层；以及介电层，其在应力源层与表面半导体层之间。注入离子进入或穿过所述应力源层的第一区域；在所述应力源层的第一区域上方的表面半导体层上形成附加半导体材料。改变所述应力源层的第一区域上方的表面半导体层的第一区域中的应变状态，形成至少部分地进入基衬底的沟槽结构。改变所述应力源层的第二区域上方的表面半导体层的第二区域中的应变状态。利用该方法制造的半导体结构。
用于制造包括应变状态不同晶体管沟道半导体方法以及相关

[发明专利]具有增强迁移率的应变沟道的非平面体晶体管及制造方法-CN200580009823.X有效
发明人： N·林德尔特;S·M·切亚 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-03-28 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种具有应变增强迁移率的三栅极体晶体管及其制造方法。本发明是一种具有应变增强迁移率的非平面晶体管及其制造方法。所述晶体管具有在半导体基片上形成的半导体主体，其中半导体主体具有侧向相对的侧壁上的顶面。在半导体主体的顶面和侧壁上形成半导体覆盖层。在半导体主体顶面上的半导体覆盖层上形成栅极绝缘层，并且在半导体主体的侧壁上的覆盖层上形成栅极绝缘层。在栅极电极的相对的两侧，在半导体主体内形成一对源极/漏极区域。
具有增强迁移率应变沟道平面晶体管制造方法