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[发明专利]具有应变区的finFET器件-CN201310006943.0有效
发明人：李宗霖;袁锋;江宏礼;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括提供衬底，在该衬底上设置有鳍片。在鳍片上形成栅极结构。该栅极结构与鳍片的至少两个侧面通过界面接合。在衬底上包括在鳍片上形成应力膜。对包括应力膜的衬底进行退火。退火在鳍片的沟道区中提供拉伸应变。例如，可以传递应力膜中的压缩应变，从而在鳍片的沟道区中形成拉伸应力。本发明提供具有应变区的finFET器件。
具有应变 finfet 器件

[发明专利]检测晶圆损害的装置与系统-CN201811258405.X有效
发明人：陈毅沣;林晏清;彭垂亚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在此公开一种检测晶圆损害的装置，其包括：一承载器，组态为承载一片或多片半导体晶圆；一手臂，与承载器耦接；及一检测器，与承载器或手臂耦接，此检测器组态为测量此一片或多片半导体晶圆的重量改变量。此检测器包括一应变规重量感应器、一压电感应器或其他合适的感应器。根据此一片或多片半导体晶圆的重量改变量来决定是否存在破损或遗失的晶圆。
检测损害装置系统

[发明专利]柔性硅应变计-CN99809936.8无效
发明人：布拉德利·J·博格斯;马库斯·S·贾斯特;克里斯托弗·A·班;凯文·C·斯塔克 -专利权人：罗斯蒙特航空航天公司
申请日： 1999-07-27 - 公布日： 2001-09-19 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性应变计,所述柔性应变计包括一个应变感应元件以及一个用于支承所述应变感应元件的柔性基体。所述应变感应元件是由一种单晶或多晶半导体材料制成的。本发明还涉及一种用于形成一种柔性应变计的方法,所述方法包括选择一个薄基片的步骤,所述薄基片具有一部分基底材料和一部分位于所述基底材料上的单晶半导体材料或者多晶半导体材料。所述方法还包括利用所述半导体材料蚀刻一个应变感应元件以及在所述感应元件上形成一个柔性基体的步骤。
柔性应变

[发明专利]用于FinFET器件的方法和结构-CN201510216889.1有效
发明人：刘致为;杜文仙;黄仕贤;彭成毅;张智胜;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件及其形成方法。该器件包括半导体衬底，半导体衬底包括第一半导体材料并且具有多个隔离部件，从而限定第一有源区和第二有源区；第一鳍式半导体部件，包括第二半导体材料并且形成在第一有源区中；以及第二鳍式半导体部件，包括第二半导体材料并且形成在第二有源区中第一鳍式半导体部件是拉伸应变的并且第二鳍式半导体部件是压缩应变的。本发明涉及用于FinFET器件的方法和结构。
用于 finfet 器件方法结构

[发明专利]基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法-CN200910112318.8无效
发明人：康俊勇;林伟;李书平;陈航洋;刘达艺;陈珊珊;杨伟煌 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，n型GaN基半导体层上设有负电极，p型GaN半导体层设有正电极。选择基质材料；在基质材料上外延生长n型GaN基半导体层；在n型GaN基半导体层上交替生长GaN垒层和InN阱层3～11个周期；在最上一层InN阱层上生长p型GaN基半导体层，退火，在p型和n型GaN层上制备正负电极
基于 inn gan 应变量子紫外 led 结构及其制备方法

[发明专利]一种简易型山体滑坡监测的方法-CN201711295005.1在审
发明人：周亚东;张永康;刘岩山;赵启林;孟拥军 -专利权人：南京科达新控仪表有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G08B21/10 文献下载
摘要：一种简易型山体滑坡监测的方法，在崩塌、滑坡的监测区域进行应力变形监测，监测区域均匀分布应变片检测元件；开槽器在崩塌、滑坡的监测区域的地基土表面均匀开有应力变形监测槽，槽的深度是1m至地表；在所开槽内放置应变片检测元件，应变片检测元件包括检测应变片和放大电路和无线发射单元；检测应变片采用电阻应变片或半导体应变片粘贴在测量压力的弹性元件表面上,根据所测电阻变化的大小来测量未知压力。电阻应变片传感器通过桥式电路检测，通过运放电路部份使用高放大倍数进行放大，触发无线发射模块发射数据。
应变片检测监测区域山体滑坡监测应力变形简易型应变片崩塌检测放大电阻应变片传感器滑坡半导体应变片弹性元件表面无线发射单元无线发射模块电阻应变片测量压力电阻变化发射数据放大电路桥式电路运放电路地基土监测槽开槽器触发开槽粘贴地表测量监测

[发明专利]光电探测器、应变锗基LED及其制备方法-CN202211140641.8在审
发明人：伍绍腾;骆军委;朱元昊;何力 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本公开提供一种光电探测器、应变锗基LED以及制备方法，光电探测器包括：依次叠加的衬底、第一半导体层、光探测层和第二半导体层；微纳米孔阵，依次贯穿第二半导体层、光探测层和第一半导体层中的至少一层，用于增强光沿层面方向的传播；应力层，用于产生应变，以调控光电探测器的禁带宽度；其中，第一半导体层、光探测层和第二半导体层构成光电探测器结；应力层覆盖光电探测器结以及微纳米孔阵中各个孔洞的孔壁和孔底。应变锗基LED包括：依次叠加的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层等。除有源层之外，应变锗基LED的其他结构与光电探测器除去光探测层的其他结构相同。
光电探测器应变 led 及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法、半导体基板及其制造方法-CN200580015390.9无效
发明人：三岛康由 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-05-11 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备诱发了应变的硅膜的半导体基板及其制造方法、使用了该半导体基板的半导体装置及其制造方法。半导体基板具有单晶硅基板、在其上层叠氧化硅膜以及沿基板面向平行方向诱发拉伸应变的应变硅膜的结构。半导体基板的制造方法如下：在氧化硅膜上的硅膜上使硅锗膜外延生长，接着，以激光照射等对硅锗膜的表面进行短时间的加热。由此，伴随着硅锗膜的晶格缓和而在硅膜上诱发拉伸应变。接着除去硅锗膜。还公开有对于使用了该半导体基板的高速工作的n型MOS晶体管以及p型MOS晶体管。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种半导体硅应变片传感器的检测设备-CN201020163256.1有效
发明人：李浩然;万凌云;宋艳 -专利权人：精量电子(深圳)有限公司
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：一种半导体硅应变片传感器的检测设备，包括第一数码镜头、第二数码镜头、工作台、第一显示器、第二显示器和数据处理器，其中，所述第一数码镜头和第二数码镜头均安装于工作台上且分别与数据处理器电连接，所述第一显示器和第二显示器分别与数据处理器电连接采用以上技术方案后，所述数码镜头可将放置于工作台上的半导体硅应变片传感器进行拍摄并将拍摄图像传输到数据处理器，拍摄图像经数据处理器处理后传输到显示器，在显示器中就显示出中半导体硅应变片传感器的放大图像。
一种半导体应变传感器检测设备

[发明专利]有机半导体元件-CN202110544249.9在审
发明人：松井弘之;竹谷纯一 -专利权人：国立大学法人东京大学
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：有机半导体元件20能够发挥应变传感器功能，具有基板22和在基板22上形成的有机半导体层30，有机半导体层30是有机半导体的单晶的薄膜，是由4环以上的多环芳香族化合物、或1个或多个不饱和的五元杂环化合物与多个苯环形成的由于有机半导体层30是以单晶的薄膜的形式形成，所以无论形成手法如何，都形成相同的结晶结构。因此，如果施予相同的应变，则形成相同的载流子的迁移率，对应变具有均一的特性。因此，能够提供特性均一的应变传感器。
有机半导体元件

[发明专利]有机半导体元件-CN201680018138.1有效
发明人：松井弘之;竹谷纯一 -专利权人：国立大学法人东京大学
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：有机半导体元件20能够发挥应变传感器功能，具有基板22和在基板22上形成的有机半导体层30，有机半导体层30是有机半导体的单晶的薄膜，是由4环以上的多环芳香族化合物、或1个或多个不饱和的五元杂环化合物与多个苯环形成的由于有机半导体层30是以单晶的薄膜的形式形成，所以无论形成手法如何，都形成相同的结晶结构。因此，如果施予相同的应变，则形成相同的载流子的迁移率，对应变具有均一的特性。因此，能够提供特性均一的应变传感器。
有机半导体元件

[发明专利]制造应变MOSFET的结构和方法-CN200510004271.5有效
发明人：史蒂文·W.·贝德尔;布鲁斯·B.·多丽丝;张郢;朱慧珑 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-01-04 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成缺陷减少的应变Si薄膜的方法和器件，其中所述应变Si薄膜形成在非导电衬底表面上竖直定向的翅片。所述应变Si薄膜或翅片可以形成半导体沟道，该沟道具有较小的尺寸，同时也具有较少的缺陷。所述应变Si翅片通过在驰豫SiGe块侧面上生长Si而形成。电介质栅极，例如氧化物，高k材料，或两者的组合可以在所述应变Si薄膜表面上形成。此外，在基本上不影响应变Si薄膜中的应力的情况下，驰豫SiGe块可以去除，而可以在以前被驰豫SiGe块占据的表面上形成第二栅极氧化物。因此，可以形成具有在非导电性衬底表面上竖直定向的应变Si薄膜的半导体器件，其中所述应变Si薄膜的定向可以使其形成小尺寸的沟道，而可以接近两侧和顶部，以便形成单栅极，双栅极或更多栅极的MOSFET和翅片式
制造应变 mosfet 结构方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN201610754909.5在审
发明人：萧茹雄;吴启明;郑志成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：鳍式场效应晶体管(FinFET)包括半导体衬底、多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。半导体衬底包括位于半导体衬底上的至少一个半导体鳍。半导体鳍包括源极/漏极区和沟道区，并且源极/漏极区的宽度大于沟道区的宽度。绝缘体设置在半导体衬底上并且绝缘体将半导体鳍夹在绝缘体中间。栅极堆叠件位于半导体鳍的沟道区上方和部分绝缘体上方。应变材料覆盖半导体鳍的源极/漏极区。此外，提供了用于制造FinFET的方法。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN202310253646.X在审
发明人：萧茹雄;吴启明;郑志成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：鳍式场效应晶体管(FinFET)包括半导体衬底、多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。半导体衬底包括位于半导体衬底上的至少一个半导体鳍。半导体鳍包括源极/漏极区和沟道区，并且源极/漏极区的宽度大于沟道区的宽度。绝缘体设置在半导体衬底上并且绝缘体将半导体鳍夹在绝缘体中间。栅极堆叠件位于半导体鳍的沟道区上方和部分绝缘体上方。应变材料覆盖半导体鳍的源极/漏极区。此外，提供了用于制造FinFET的方法。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]三族氮化合物半导体紫外光发光二极管-CN201110037662.2有效
发明人：凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种三族氮化合物半导体发光二极管，其包括蓝宝石衬底、依次成长在该蓝宝石衬底上的n型半导体层、有源层以及p型半导体层。所述n型半导体层与有源层之间还成长有一n型应变层晶格结构。所述n型应变层晶格结构的晶格常数大于等于所述有源层的晶格常数，小于等于所述n型半导体层的晶格常数。所述n型应变层晶格结构使所述n型半导体层与所述有源层之间达成渐变晶格匹配，可以消除n型半导体层从下面传递来的缺陷，及减缓晶格部匹配造成的能带倾斜，以提升量子阱发光强度。
氮化半导体紫外光发光二极管