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[发明专利]借由提供阶化嵌入应变诱导半导体区于晶体管的效能增进-CN201310512223.1有效
发明人： E·M·巴齐齐;A·扎卡;G·迪利维;B·拜 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及借由提供阶化嵌入应变诱导半导体区于晶体管的效能增进。在精密半导体装置中，晶体管可基于利用嵌入应变诱导半导体合金的有效应变诱导机构来形成。可提供该应变诱导半导体材料作为将应变平滑地转移至相邻沟道区的阶化材料以便减少晶格缺陷数以及增进应变条件，接着它直接转化成优异的晶体管效能。借由在选择性外延生长制程期间选择适当的制程参数，可实现阶化应变诱导半导体材料的优异架构而不会导致额外的制程复杂性。
提供嵌入应变诱导半导体晶体管效能增进

[发明专利]半导体器件的制造方法和用于半导体器件的装置-CN201310629482.2有效
发明人： V·S.·巴斯克;A·克哈基弗尔鲁茨;P·克尔比尔;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法和用于半导体器件的装置。该方法包括：在块体衬底上的埋入氧化物层上形成拉伸SSOI层；在SSOI层中形成多个翅片；去除翅片的一部分；将翅片的剩余部分退火以松弛翅片的拉伸应变；和合并翅片的剩余部分。
半导体器件制造方法用于装置

[发明专利]能抑制驱动电流改变的光发射半导体元件-CN98124880.2无效
发明人：大矢昌辉;远藤健司 -专利权人： NEC化合物半导体器件株式会社
申请日： 1998-11-27 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：一种光发射半导体元件包括生长在包层或中间层上的第一附加层。第一附加层的晶格常数不同于半导体衬底的第二晶格常数。光发射半导体元件安装到散热片上以形成激光器元件。散热片使光发射结构产生形变。在那里第一附加层产生应变并且抑制形变的影响。
抑制驱动电流改变发射半导体元件

[发明专利]用于测量应变的装置以及用于制造和使用该装置的方法-CN201980024020.3在审
发明人： S·T·罗辛斯基;C·A·苏普罗克;J·J·克里斯蒂安 -专利权人：电力研究所有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种应变测量器以及用于制造和使用该应变测量器以测量感兴趣的表面的应变的方法。具体地，本发明涉及一种半导体应变测量器，所述半导体应变测量器被金属主体使用在所述测量器和所述主体之间的陶瓷界面保持，所述半导体应变测量器能够被附接到感兴趣的表面。本发明还涉及用于制造所述陶瓷界面并且将所述半导体应变测量器附接到感兴趣的表面的方法。本发明，包括其各种实施方式，还涉及使用所述半导体应变测量器以在高于1000°F的温度测量应变。
用于测量应变装置以及制造使用方法

[实用新型]半导体器件-CN201420535461.4有效
发明人： P·莫兰;柳青;N·劳贝特 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件，包括：应变的、绝缘体上半导体(SOI)衬底，其包括应变半导体层；浅沟槽隔离(STI)，约束在所述SOI衬底中的所述应变半导体层，其中所述STI延伸越过所述SOI衬底的氧化物层进入所述SOI衬底中；以及弛豫减少衬垫，在所述STI上以及在所述应变半导体层的相邻侧壁上。
半导体器件

[发明专利]应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法-CN03153954.8有效
发明人：杨育佳;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-08-21 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出一种应变半导体覆绝缘层型基底的结构及其制造方法。首先提供一标的晶圆和一施体晶圆，施体晶圆包括一主体半导体基底和位于其上的一应变半导体层，其中主体半导体基底的晶格常数不同于半导体层的自然晶格常数。接着将施体晶圆黏着标的晶圆的表面后，将应变半导体层自施体晶圆分离，使应变硅层黏结至标的晶圆。
应变半导体绝缘基底及其制造方法

[实用新型]一种用于农产品检测的快速称量装置-CN201820735990.7有效
发明人：吴爱美;许四五;朱国英;吴新德;魏良胜;吴明来;钱一华;方向丽;杜长春;金来加 -专利权人：池州市农产品质量安全监测中心
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G01G3/14 文献下载
摘要：控制板和电机壳，所述装置主体的底部安装有滚轮，所述装置主体的中心嵌入安装有称重装置，所述称重装置的外部一侧安装有检修门，所述检修门的一侧安装有控制板，所述称重装置由下端台、弹性柱、上球头、上端台、平衡台、电阻式应变片、半导体应变片和下球头组成，所述弹性柱的内部嵌入安装有电阻式应变片，所述电阻式应变片的一侧安装有半导体应变片，所述弹性柱通过上球头与上端台连接。
称重装置电阻式应变片装置主体弹性柱检修门球头半导体应变片本实用新型农产品检测快速称量嵌入安装上端控制板滚轮传导传动滚筒伺服电机便捷性电机壳缓冲座平衡台输送台称重下端挤压外部

[发明专利]基于绝缘体上应变半导体（SSOI）的环栅（GAA）晶体管结构-CN202211333611.9在审
发明人： A·穆尔蒂;P·马吉;G·格拉斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请标题为“基于绝缘体上应变半导体（SSOI）的环栅（GAA）晶体管结构”。一种环栅晶体管装置包括衬底以及所述衬底之上的层，其中所述层包括绝缘体材料。所述装置还包括源区和漏区以及主体，所述主体包括所述层之上并且在所述源区与漏区之间横向延伸的半导体材料。在示例中，除了由源区和漏区所诱发的任何附加应变（若有的话）之外，主体的半导体材料还处于由下面绝缘体上应变半导体（SSOI）结构所诱发的双轴张力应变下。主体能够是例如纳米带、纳米片或纳米线。
基于绝缘体应变半导体 ssoi gaa 晶体管结构

[发明专利]具有应变缓冲层的MOS器件及其形成方法-CN201310306347.4有效
发明人：黄玉莲;李东颖;陈忠贤;刘继文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有应变缓冲层的MOS器件及其形成方法，该期间包括衬底；隔离区，延伸至衬底内；以及半导体鳍，高于隔离区的顶面。半导体鳍具有第一晶格常数。半导体区包括侧壁部分，位于半导体鳍的相对两侧；以及顶部，位于半导体鳍的上方。半导体区具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数。应变缓冲层位于半导体鳍和半导体区之间并且与其接触。应变缓冲层包括氧化物。
具有应变缓冲 mos 器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610707132.7在审
发明人：宋学昌;张智强;李昆穆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体结构包括衬底、应变诱导层和外延结构。应变诱导层设置于衬底上和外延结构嵌入在应变诱导层中并且不与衬底接触。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有嵌入式应变感应图案的半导体器件-CN201310169990.7有效
发明人：前田茂伸;福留秀畅;高荣健;郑周铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有嵌入式应变感应图案的半导体器件，所述半导体器件可包括有源区域，所述有源区域具有在相对的源区和漏区之间提供沟道区域的翅片部分。栅电极可横跨位于相对的源区和漏区之间的沟道区域，第一应变感应结构和第二应变感应结构可位于栅电极的相对两侧上，并可被构造成感应沟道区域上的应变，其中，第一应变感应结构和第二应变感应结构中的每个包括具有一对
具有嵌入式应变感应图案半导体器件

[发明专利]通过阳极化埋置p+硅锗层获得的应变绝缘体上硅-CN200580022513.1无效
发明人：托马斯·N.·亚当;斯蒂芬·W.·贝戴尔;乔尔·P.·德索扎;基思·E.·佛格尔;亚历山大·雷茨尼采克;德温德拉·K.·萨达纳;加瓦姆·沙赫迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供一种避免晶片键合的制造应变绝缘体上硅(SSOI)衬底的成本有效和可工艺制造的方法。该方法包括在衬底上生长各种外延半导体层，其中至少一层半导体层是在应变半导体层下方的掺杂且弛豫的半导体层；借助电解阳极化过程将掺杂且弛豫的半导体层转化成多孔半导体；以及氧化将多孔半导体转化成埋置氧化物层。所述方法提供了SSOI衬底，其包括在衬底上的弛豫的半导体层；在该弛豫的半导体层上的高质量埋置氧化物层；以及在该高质量埋置氧化物层上的应变半导体层。根据本发明，弛豫的半导体层和应变半导体层具有相同的晶体学取向。
通过阳极化埋置硅锗层获得应变绝缘体

[发明专利]压力传感器及其形成方法-CN201811642228.5在审
发明人：罗应树;刘松润;钟茗 -专利权人：菲比蓝科技(深圳)有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：一种压力传感器及其形成方法，其中所述压力传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括上表面和相对的下表面；位于半导体衬底中的受压腔体，所述受压腔体的开口位于半导体衬底的下表面，所述受压腔体底部对应的半导体衬底为应变膜；位于应变膜上的应变电阻；位于应变膜中的若干环形沟槽，所述若干环形沟槽位于应变电阻两侧，所述若干环形沟槽用于将应变集中在应变电阻处。
衬底压力传感器半导体环形沟槽受压腔体应变电阻应变膜下表面灵敏度提升过载能力上表面开口

[发明专利]应变半导体纳米线-CN201410708318.5有效
发明人：张慎明;I·劳尔;林崇勋;J·W·斯雷特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供应变半导体纳米线。在绝缘体层之上形成半导体衬垫部的对所横向邻接的至少一条半导体纳米线。部分所述绝缘体层从所述至少一条半导体纳米线下方被蚀刻，以使所述至少一条半导体纳米线悬置。在所述至少一条半导体纳米线之上沉积临时填充材料，并且该临时填充材料被平面化以使所述半导体衬垫部的对的顶面物理暴露。在所述半导体衬垫部的对内形成沟槽，并且用应力产生材料填充所述沟槽。所述至少一条半导体纳米线以拉伸应变或压缩应变沿纵长方向发生应变。
应变半导体纳米

[发明专利]应变沟道晶体管及其制造方法-CN200610099507.2无效
发明人：丁明镇 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2006-07-26 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据本发明的应变沟道晶体管包括：半导体基片；半导体层，具有大于所述半导体基片的晶格常数的晶格常数，并且形成在所述半导体基片上；应变沟道层，形成在所述半导体层上；以及一对外延层，形成在所述应变沟道层的两侧上以改变所述应变沟道层的晶格结构由于沟槽区形成在所述应变沟道层中并且所述外延层形成在所述沟槽区中，所述应变沟道层的晶格距离通过来自所述外延层的应力而变宽，并最终提高通过沟道的电荷的迁移率。
应变沟道晶体管及其制造方法