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[发明专利]形成半导体结构的方法以及半导体结构-CN200510078976.1有效
发明人：斯蒂芬·W.·贝德尔;安东尼·G.·多梅尼库奇;基思·E.·弗格尔;埃芬迪·莱奥班顿;德温德拉·K.·萨达纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法，包括在一个绝缘层上提供一个第一应变半导体层，其中第一应变半导体层相对较薄(小于约500埃)且具有低缺陷密度(堆垛层错和螺缺陷)。本发明的方法开始于形成一个应力提供层，例如在一个结构上的一个SiGe合金层，该结构包括位于一个绝缘层顶上的第一半导体层。然后图形化应力提供层和第一半导体层成为至少一个岛，以及由此含有至少一个岛的结构加热到能导致应变从应力提供层转移到第一半导体层的温度。应变转移后，从该结构中去除应力提供层，以直接在所述绝缘层顶上形成第一应变半导体岛状层。
形成半导体结构方法以及

[实用新型]半导体封装结构-CN202121228119.6有效
发明人：颜宗隆;赫姆·P·塔基亚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本申请是关于半导体封装结构。在本申请的一实施例中，半导体封装结构包括衬底；一或多个裸片，其设置于衬底的顶部表面上；弹性结构；及囊封体，其设置于衬底的顶部表面上且囊封一或多个裸片和弹性结构，其中囊封体包括侧表面和顶表面，其中弹性结构邻近侧表面和顶表面中的至少一者设置本申请提供的半导体封装结构通过使用弹性结构提高了半导体封装结构的伸长率、应变和抗弯曲强度。
半导体封装结构

[发明专利]一种贴应变片的方法以及贴应变片的设备-CN201010150778.2有效
发明人：许波;刘国强;李浩然;楚汤姆 -专利权人：精量电子(深圳)有限公司
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明适用微熔半导体硅应变片传感器制造方法领域，提供了一种贴应变片的方法，包括以下步骤：①涂印在压力薄膜之上的固定胶中的至少一个涂上粘胶；②借助粘胶，将应变片放置于固定胶上，应变片与固定胶相粘贴；③将应变片拨动到固定胶上的指定位置采用以上技术方案后，分3个步骤将应变片粘贴到应变片上，先固定胶涂上粘胶，再将应变片放置于固定胶上，应变片与固定胶相粘贴，后将应变片拨动到固定胶上的指定位置；可较好实现将应变片准确粘贴到固定胶上指定位置的技术效果本发明还提供了一种贴应变片的设备。
一种应变方法以及设备

[发明专利]一种测量扭矩和轴向力的旋转式铣削力传感器-CN201610605184.3有效
发明人：赵玉龙;秦亚飞 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： B23Q17/09 文献下载
摘要：后端为刀具夹持标准接口，中部的“笼”式结构是整个传感器的弹性元件，“笼”式结构是在弓形回转一周形成的曲面体的基础上，切割4对两两对称均匀分布的缝隙，使曲面体被分割成8部分，在其中4个部分上加工出小平台，小平台中心粘贴半导体硅应变片，其中沿轴向、垂直轴向的半导体硅应变片连接成惠斯通全桥，用以测量轴向力Fz；沿正负45度轴向粘贴的半导体硅应变片连接成惠斯通全桥，用于测量加工时刀具受到的扭矩T,本发明具有高灵敏度、高刚度、低交叉干扰、
一种测量扭矩轴向旋转铣削传感器

[发明专利]在CMOSFET中最优化应变的结构与方法-CN200680002466.9无效
发明人：陈向东;杨海宁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括PMOSFET和NMOSFET的应变MOSFET半导体结构，以及用于制造应变MOSFET的方法，该方法最优化MOSFET中的应变，更具体地说，最大化在一类(P或N)MOSFET中的应变并且最小化并驰豫在另一类(N或P)MOSFET中的应变。在所述PMOSFET和所述NMOSFET两者上形成具有初始全厚度的应变引起CA氮化物覆层，其中应变引起覆层在一类半导体器件中产生最优化的全应变并且降低另一类半导体器件的性能。蚀刻应变引起CA氮化物覆层，以减小在另一类半导体器件上的厚度，其中，应变引起覆层的减小厚度在另一MOSFET中驰豫并产生较小的应变。
cmosfet 优化应变结构方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111173832.X有效
发明人：程洋;万中军;王俊;庞磊;周大勇;郭银涛 -专利权人：材料科学姑苏实验室;苏州长光华芯光电技术股份有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层上形成第一应变层；形成所述第一应变层的步骤包括:在所述半导体衬底层上形成第一晶格匹配层，所述第一晶格匹配层中至少具有第一原子和第二原子；刻蚀所述第一晶格匹配层以使第一晶格匹配层形成第一应变层，对所述第一原子的刻蚀速率大于对所述第二原子的刻蚀速率，所述第一应变层中第一原子和第二原子的摩尔比小于所述第一晶格匹配层中第一原子和第二原子的摩尔比所述半导体结构的制备方法使得第一应变层的质量较好。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111189657.3在审
发明人：吴旭升;李彦儒 -专利权人：广州集成电路技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括至少一个鳍结构，鳍结构包括源极/漏极区，源极/漏极区包括第一应变层和形成于第一应变层上方的第二应变层；以及至少一个栅极堆叠件，形成在衬底上方。本发明提供的半导体器件，通过在衬底上方增设第一应变层以增加鳍结构底部所受到的应力；同时，为了产生更多的应力，第一应变层采用易于鳍结构底部延伸的菱形，因而避免了现有技术中应变力分布不均匀，并且迁移率在整个鳍片之间分布不平衡的问题
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件的接触结构-CN201310034600.5有效
发明人：王菘豊;时定康;林经祥;孙诗平;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的接触结构。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：衬底，包括主面和主面下方的沟槽；填充沟槽的应变材料，应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；层间介电层(ILD)，具有位于应变材料上方的开口，开口包括介电侧壁和应变材料底部；半导体层，位于开口的侧壁和底部上；介电层，位于半导体层上方；以及填充介电层开口的金属层。
半导体器件接触结构

[发明专利]一种应变半导体沟道的形成方法-CN201110171241.9有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种应变半导体沟道的形成方法。本发明通过在源极/漏极退火之后形成应变沟道，既避免了应变半导体沟道暴露于高温的源极/漏极退火处理，又由于减少了应变半导体沟道所要经历的处理步骤，而避免了半导体层损耗。
一种应变半导体沟道形成方法

[发明专利]应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法-CN201410328962.X有效
发明人：狄增峰;孙高迪;陈达;郭庆磊;叶林;董林玺;张苗 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一自上而下依次包括顶层应变半导体层、埋氧层及半导体衬底的半导体结构，刻蚀顶层应变半导体层形成预设图形微结构及基座；所述微结构包括一对平板及连接于该一对平板之间的至少一条中心桥线本发明通过弹性变形机制和图形化改变顶层应变半导体层本身的固有应力，使得平板应力弛豫，而中心桥线应力增加，从而实现应力大小及应力区域的调控，在绝缘体上应变半导体材料结构上制备高质量、大应变的应变纳米线，工艺简单高效
微结构应变半导体层中心桥顶层制备应变薄膜应力弛豫应力增加可调的埋氧层悬浮绝缘体上应变半导体半导体结构材料结构干法腐蚀应力区域预设图形大应变纳米线图形化衬底刻蚀去除外端半导体释放调控

[发明专利]应变沟道MOS元件-CN200710138023.9有效
发明人：陈豪育;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种选择性应变MOS元件，其中该MOS元件可为由一组NMOS元件以及PMOS元件所组成的选择性应变PMOS元件，且其不影响NMOS元件上的应变。其形成方法包括提供半导体基材，其中半导体基材包括底半导体层、配置于该底半导体层上的绝缘层以及配置于该绝缘层上的顶半导体层；图案化该顶半导体层以及绝缘层用以形成MOS作用区；形成MOS元件于MOS作用区上，且MOS元件包括栅极结构以及沟道层；以及进行氧化工艺，将一部份的顶半导体层氧化用以在沟道层上产生应变。
应变沟道 mos 元件

[发明专利]一种半导体器件-CN200810084525.2无效
发明人：游明华;叶凌彦;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包含P型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区，位于衬底上，该P型沟道金属氧化物半导体晶体管包含第一应变层，位于该P型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区内，以及第一覆盖层，与该应变层接触；N型沟道金属氧化物半导体晶体管(NMOS)的漏极及源极区，位于该衬底上，该N型沟道金属氧化物半导体晶体管包含第二应变层，位于该P型沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极及源极区内，以及第二覆盖层，与该应变层接触。
一种半导体器件

[发明专利]具有最优化应力效应的双沟槽的晶体管结构及其方法-CN200580034575.4有效
发明人：陈建;迈克尔·D·特纳;詹姆斯·E·瓦谢克 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-10-25 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于形成部分半导体器件结构(30)的方法，包括：提供绝缘体上半导体基板，其具有半导体有源层(34)、绝缘层(32)和半导体基板。第一隔离沟槽(40)形成在半导体有源层中，并且将应变材料(42)淀积在第一沟槽的底部，其中应变材料包括双用膜。第二隔离沟槽(44)形成在半导体有源层中，其中第二隔离沟槽在第二沟槽底部不具有应变材料。应变材料分别在第一和第二隔离沟槽中的存在和不存在提供了：(i)在半导体器件结构的一个或多个N型或P型器件上的，(ii)关于一个或多个宽度方向或沟道方向取向的，和(iii)用于定制一个或多个<100>或<110>绝缘体上半导体基板的应力益处的差应力。
具有优化应力效应沟槽晶体管结构及其方法

[发明专利]一种检测地震动转动分量的监测装置-CN201910192861.7有效
发明人：夏仕安;谢石文;周冬瑞 -专利权人：夏仕安;安徽省地震监测中心
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G01V1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测地震动转动分量的监测装置，利用地震来临之前地磁场的变化，使磁针偏转碰到半导体压阻片，连通电路达到对地震的预警作用；在地震发生时，因地震转动使转体发生旋转转动，从而带动磁针转动压紧半导体压阻片，根据半导体压阻片的电阻变化得出压力的大小，并根据压力大小对地震转动分量进行实时监测，提高准确度；另外半导体压阻材料对外力的灵敏度远远高于应变式材料的敏感度，极大地提高了本发明监测装置的灵敏度。
一种检测震动转动分量监测装置

[发明专利]含前侧应变超晶格层和背侧应力层的半导体器件和方法-CN200680042735.4无效
发明人： K·V·劳 -专利权人：梅尔斯科技公司
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种半导体器件，该半导体器件可以包括：半导体衬底，其具有前后表面；与所述半导体衬底的前表面相邻并且包括多个堆叠的层组的应变超晶格层；以及，应力层，在所述衬底的后表面上，并且包括与半导体衬底不同的材料。所述应变超晶格层的每个层组可以包括：限定基本半导体部分的多个堆叠的基本半导体单层；以及至少一个非半导体单层，其被限制在相邻的基本半导体部分的晶格内。
含前侧应变晶格应力半导体器件方法