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[发明专利]半导体装置-CN201910171830.3在审
发明人： 齐藤泰伸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式提供一种抑制了开关时的电流振动和电子的捕获所带来的导通电阻的增加的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基板；设于基板上的第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设于第一氮化物半导体层上，带隙比第一氮化物半导体层大；设于第二氮化物半导体层上的源极电极；设于第二氮化物半导体层上的漏极电极；设于源极电极与漏极电极之间的栅极电极；以及在漏极电极与栅极电极之间的第二氮化物半导体层上与漏极电极分离地设置的p型的第三氮化物半导体层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201410447217.7在审
发明人：斋藤涉;齐藤泰伸 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种实现常断开动作的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：第1半导体层，包含Al_XGa_1-XN；第2半导体层，设于第1半导体层上，且包含非掺杂或n型Al_YGa_1-YN；第1电极，设于第2半导体层上；第2电极，设于第2半导体层上；第3半导体层，离开第1电极及第2电极而设于第2半导体层上的第1电极与第2电极之间，且包含p型Al_ZGa_1-ZN，其中0≤Z＜1；控制电极，设于第3半导体层上；第4半导体层，离开控制电极而设于第3半导体层上的第1电极与控制电极之间，且包含n型Al_UGa_1-UN；及第5半导体层，离开控制电极而设于第3半导体层上的控制电极与第2电极之间，且包含n型Al_UGa_1-UN。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410397429.9无效
发明人：增子真吾;安本恭章;梁濑直子;汤元美树;三村正人;齐藤泰伸;吉冈启;藤本英俊;内原士;大野哲也;仲敏行;小野祐 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201410052440.1在审
发明人：大野哲也;齐藤泰伸;藤本英俊;吉冈启;内原士;仲敏行;安本恭章;梁濑直子;增子真吾;小野祐 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种对由反转层、积累层、转移等引起的泄漏电流的流动进行抑制而能够实现耐压的提高的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的第一膜。进而上述装置具备在上述第一膜上形成的第一导电型或本征型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的上述第一导电型或本征型的第二半导体层。进而上述装置具备具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部的第二导电型在内的第三半导体层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201410061074.6在审
发明人：安本恭章;梁濑直子;阿部和秀;内原士;齐藤泰伸;仲敏行;吉冈启;小野祐;大野哲也;藤本英俊;增子真吾;古川大;八木恭成;汤元美树;饭田敦子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410051942.2在审
发明人：吉冈启;杉山亨;齐藤泰伸;津田邦男 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明为半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：n型第一GaN系半导体层；p型第二GaN系半导体层，位于第一GaN系半导体层上，具有第一GaN系半导体层侧的低杂质浓度区域和第一GaN系半导体层相反侧的高杂质浓度区域；n型第三GaN系半导体层，位于第二GaN系半导体层的与第一GaN系半导体层相反的一侧；栅电极，一端位于第三GaN系半导体层或第三GaN系半导体层上方，另一端位于第一GaN系半导体层，经由栅极绝缘膜与第三GaN系半导体层、低杂质浓度区域及第一GaN系半导体层相邻；第三GaN系半导体层上的第一电极；高杂质浓度区域上的第二电极；第一GaN系半导体层的与第二GaN系半导体层相反侧的第三电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201310729612.X在审
发明人：藤本英俊;齐藤泰伸;吉冈启 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够兼顾高耐压和低开启电阻的使用III族氮化物半导体的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备基板。第1层设在基板的第1面的上方，使用第1导电型的III族氮化物半导体形成。第2层设在第1层上，使用第2导电型的III族氮化物半导体形成。第3层部分地设在第2层的表面中的第1区域上，使用第1导电型的III族氮化物半导体形成。栅极电极的一端处于第3层的表面上方，经由第2层而另一端处于第1层内，与第1层、第2层及第3层绝缘。第1电极连接在第3层上。第2电极连接在第2层的表面中的第1区域以外的第2区域上。第3电极设在与第1面相反侧的基板的第2面上。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201310322235.8无效
发明人：吉冈启;齐藤泰伸;藤本英俊;内原士;梁濑直子;仲敏行;大野哲也;小野祐 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种具备了稳定的整流特性的实施方式的半导体装置具备导电性基板；肖特基势垒二极管，具有阳极电极、阴极电极，安装为所述导电性基板和所述阳极电极电连接，所述导电性基板和所述阳极电极相对；场效应晶体管，在表面具有源极电极、漏极电极、以及栅极电极，安装为所述场效应晶体管背面与所述导电性基板相对。而且，源极电极与阴极电极电连接，栅极电极与阳极电极电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201310376099.0无效
发明人： 齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;吉冈启;斋藤涉;仲敏行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式涉及的半导体装置具备：基板、第1半导体区域、第2半导体区域、第1电极、第2电极、控制电极、以及导通部。上述基板包含导电性区域。上述第1半导体区域包含设置于上述基板的第1面侧的AlxGa1－xN（0≤X≤1）。上述第2半导体区域包含设置于上述第1半导体区域的与上述基板相反一侧的AlYGa1－YN（0≤Y≤1，X≤Y）。上述第1电极设置于上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧，与上述第2半导体区域欧姆连接。上述控制电极与上述第1电极离开地设置。上述导电部电连接上述第1电极与上述导电性区域。
半导体装置

[发明专利]整流电路-CN201310071378.6有效
发明人：西胁达也;吉冈启;齐藤泰伸;新井雅俊 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：一种不使用碳化硅等高价半导体材料也能实现反向恢复时间短、高耐压且高可靠性的整流电路。整流电路具备在第1端子及第2端子间串联连接的整流元件及单极场效应晶体管。整流元件具有第1电极及第2电极。在进行直流动作时，当反向偏置时流过整流元件的第1漏电流大于当在场效应晶体管的栅电极及源电极间施加了阈值以下的电压时流过源电极及漏电极的第2漏电流，并且第2漏电流与漏电极及源电极间的电压之间的关系处在场效应晶体管的安全工作区内，在进行交流动作时，当整流元件切换为反向偏置时，在反向偏置的期间内向整流元件的结电容的充电完成，并且充电过程中从整流元件流过场效应晶体管的电流处在场效应晶体管的安全工作区内。
整流电路

[发明专利]具有氮化物层的半导体元件-CN201210315883.6有效
发明人：吉冈启;齐藤泰伸;斋藤涉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据一个实施方式，提供一种半导体元件，该半导体元件具有半导体基板、氮化物的第一至第四半导体层、第一至第三电极以及栅电极。上述第一半导体层直接或隔着缓冲层设置在上述半导体基板上。上述第二半导体层从上述第一半导体层离开地设置。上述第三半导体层设置在上述第二半导体层上，具有比上述第二半导体层大的带隙。上述第四半导体层将上述第一半导体层及上述第二半导体层进行绝缘。上述第一电极与上述第一至上述第三半导体层形成欧姆接合。上述第二电极设置在上述第三半导体层上。上述栅电极设置在上述第一电极和上述第二电极之间。上述第三电极与上述第一半导体层形成肖特基结。
具有氮化物半导体元件

[发明专利]氮化物半导体元件-CN201210315907.8有效
发明人：斋藤涉;齐藤泰伸;藤本英俊;吉冈启;大野哲也;仲敏行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。
氮化物半导体元件

[发明专利]氮化物半导体装置-CN201210320351.1有效
发明人：吉冈启;齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;斋藤涉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的实施方式的氮化物半导体装置，具备基板（1）、第一氮化物半导体层（3）、第二氮化物半导体层（4）以及在第二氮化物半导体层上（4）设置的源电极（5）、漏电极（6）、第一栅电极（9）、肖特基电极（10）和第二栅电极（12）。在第二氮化物半导体层（4）与第一氮化物半导体层（3）之间的界面处，形成二维电子气。第一栅电极（9）是常截止型FET（20）的栅电极，设置在源电极（5）与漏电极（6）之间。肖特基电极（10）设置在第一栅电极（9）与漏电极（6）之间。第二栅电极（12）是常导通型FET（21）的栅电极，设置在肖特基电极（10）与漏电极（6）之间。
氮化物半导体装置

[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法-CN201110255497.8有效
发明人：吉冈启;齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;斋藤涉;杉山亨 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN201110254450.X在审
发明人： 齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;吉冈启;斋藤涉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种氮化物半导体装置，具备第一半导体层、第二半导体层、GaN的第三半导体层、第四半导体层、第一电极、第二电极和第三电极。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层在第一半导体层上设置，具有第一半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第三半导体层在第二半导体层上设置。第四半导体层在第三半导体层上设置成在一部分具有间隙，具有第二半导体层的禁带宽度以上的禁带宽度，包括氮化物半导体。第一电极在第三半导体层上设置于没有设置第四半导体层的部分。第二电极在第四半导体层上设置于第一电极的一侧，与第四半导体层欧姆接合。第三电极在第四半导体层上设置于第一电极的另一侧，与第四半导体层欧姆接合。
氮化物半导体装置及其制造方法

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