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[发明专利]半导体器件和形成用于半导体器件的图案的方法-CN201910669908.4在审
发明人：严大成 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体器件和形成用于半导体器件的图案的方法。一种半导体器件包括第一导电图案，该第一导电图案具有在第一方向上延伸的第一线部分以及从第一线部分延伸的第一弯曲部分。该半导体器件还包括设置在封闭区域中的第二导电图案，该第二导电图案与第一导电图案间隔开。
半导体器件形成用于图案方法

[发明专利]三维半导体存储器件-CN201911014685.4在审
发明人：孙荣晥;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：提供了三维(3D)半导体存储器件。一种3D半导体存储器件包括衬底上的电极结构。电极结构包括堆叠在衬底上的栅电极。栅电极包括电极焊盘区。该3D半导体存储器件包括穿透一个电极焊盘区的虚设竖直结构。虚设竖直结构包括虚设竖直半导体图案和从虚设竖直半导体图案的一部分朝向衬底延伸的接触图案。
三维半导体存储器件

[发明专利]具有带有注入侧壁的栅极沟槽的功率半导体器件及相关方法-CN201780074996.2在审
发明人： D·J·里切特恩沃尔纳;E·R·万布鲁特;B·胡尔;A·V·苏沃洛弗;C·卡派尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体层结构，半导体层结构具有宽带隙半导体漂移区域，宽带隙半导体漂移区域具有第一导电类型。栅极沟槽被设置在半导体层结构的上部部分中，栅极沟槽具有在半导体层结构的上部部分中在第一方向上延伸的相对的第一侧壁和第二侧壁。这些器件进一步包括深屏蔽图案和深屏蔽连接图案，深屏蔽图案在栅极沟槽的底部表面下方的半导体层结构中、具有与第一导电类型相反的第二导电类型，深屏蔽连接图案在栅极沟槽的第一侧壁中、具有第二导电类型。器件包括栅极沟槽的第二侧壁中的具有第一导电类型的半导体沟道区域。
栅极沟槽半导体层结构第一导电类型宽带隙半导体导电类型第二侧壁第一侧壁漂移区域屏蔽连接屏蔽图案功率半导体器件半导体沟道半导体器件图案底部表面侧壁延伸

[发明专利]TFT器件-CN202210693259.3在审
发明人：梁群芳 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种TFT器件，该TFT器件包括衬底、依次设置于衬底一侧的半导体沟道层、欧姆接触层、源漏极层，在沟道区，半导体沟道层远离衬底的一侧表面设置有补偿图案，补偿图案与半导体沟道层为不同型的半导体；通过在半导体沟道层远离衬底的一侧表面设置补偿图案，补偿图案与半导体沟道层为不同型的半导体；补偿图案能进一步提升PNP结构的导电性，或者，补偿图案能进一步减少NPN结构的漏电流。
tft 器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111344437.3在审
发明人：宋寅铉;梁正吉;金民柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案；包括第一半导体图案的第一沟道图案；包括第二半导体图案的第二沟道图案；第一沟道图案和第二沟道图案上的栅电极；以及栅电极与第一沟道图案和第二沟道图案之间的栅介电层所述栅电极包括：第一半导体图案之间的第一内栅电极；第二半导体图案之间的第二内栅电极；以及第一半导体图案和第二半导体图案外部的外栅电极。所述第一内栅电极和所述第二内栅电极在最上方第一半导体图案和最上方第二半导体图案的底表面上。所述外栅电极在所述最上方第一半导体图案和所述最上方第二半导体图案的顶表面和侧壁上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810326639.7有效
发明人：赵珉熙;金俊秀;金熙中;安泰玧;山田悟;李元锡;全南镐;郑文泳;许基宰;弘载昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及制造其的方法。具有衬底的半导体器件可以包括下半导体层、在下半导体层上的上半导体层、以及在下半导体层与上半导体层之间的掩埋绝缘层。第一沟槽可以在上半导体层中，具有在掩埋绝缘层之上的最下表面，凹入第一沟槽中的第一导电图案。第二沟槽可以在下半导体层、掩埋绝缘层和上半导体层中。第二导电图案可以在第二沟槽中，并且第一源极/漏极区可以在第一导电图案与第二导电图案之间的上半导体层中。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202011643609.2在审
发明人：金一球;杨涛;张月;胡艳鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件的制备方法，涉及半导体器件制备技术领域，以解决由于图案化的硬掩模的纵横比较大，在湿法清洗工艺中会发生塌陷或者倾斜的现象。半导体器件的制备方法包括：提供衬底。该衬底包括图案化的硬掩模层，图案化的硬掩模层包括多晶硅层或非晶硅层。使用第一工艺气体对图案化的硬掩模层进行等离子体处理，使得多晶硅层或非晶硅层的亲水性降低。对进行等离子体处理的图案化的硬掩模层进行湿法清洗，去除图案化的硬掩模层在图案化过程中形成的残留物。本发明提供的半导体器件的制备方法用于半导体器件。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810166814.7无效
发明人：全幸林 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件及其制造方法。半导体器件制造方法包括：在半导体衬底上形成氮化物层图案；通过使用所述氮化物层图案作为掩模蚀刻所述半导体衬底来形成沟槽；在所述半导体衬底的整个表面上形成绝缘层；通过抛光所述绝缘层以暴露所述氮化物层图案来形成器件隔离图案；移除所述氮化物层图案并且因此在所述半导体衬底的整个表面上形成第一多晶硅层；蚀刻所述第一多晶硅层以暴露所述器件隔离图案并且因此在所述器件隔离图案之间形成浮置栅极；形成覆盖所述浮置栅极的绝缘层并且在所述绝缘层上形成第二多晶硅层；和图案化所述第二多晶硅层和所述绝缘层并且因此形成控制栅电极和绝缘层图案。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及形成方法-CN201911029603.3有效
发明人：靳颖;牟睿;牛健;张凯 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，采用电阻温度系数小于300ppm的材料形成电阻图案，并将电阻图案电连接到半导体器件的其它结构，提高了电阻图案的稳定性，能够提高半导体器件的可靠性。
一种半导体器件形成方法

[发明专利]半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备-CN202111482407.9在审
发明人：李恋恋;都安彦;田国良;杨红;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体集成电路器件及其制作方法、电子设备，其中半导体集成电路器件包括：半导体衬底，具有在其中设置的至少一对相邻的第一区域，以及在相邻的一对第一区域之间设置的第二区域；其中，在所述第一区域中具有Dummy图案。该半导体集成电路器件，通过在低的图案密度区域中增加Dummy图案，避免半导体集成电路器件在经过化学机械抛光后，表面出现蝶形缺陷，进而提高了半导体集成电路器件制备过程中的效率和良率。
半导体集成电路器件及其制作方法电子设备

[发明专利]半导体器件及制备方法、电子装置-CN202310195353.0在审
发明人：储金星;周文杰;杨晶杰 -专利权人：海信家电集团股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供半导体器件及制备方法、电子装置，涉及半导体的领域。半导体器件设置有多个凹陷部，多个凹陷部用于连接引线；多个凹陷部呈多行多列设置；半导体器件还设置有至少一个凹陷连通部，凹陷连通部用于连接同一行中相邻的两个凹陷部，或者，凹陷连通部用于连接同一列中相邻的两个凹陷部；多个凹陷部和凹陷连通部共同形成接触图案，接触图案可用于识别半导体器件的规格信息。本申请能够解决不同类型的半导体器件的识别难度大，易出现半导体器件连接错误的问题。
半导体器件制备方法电子装置

[发明专利]半导体器件及电子装置-CN202310195352.6在审
发明人：储金星;周文杰;杨晶杰 -专利权人：海信家电集团股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供半导体器件及电子装置，涉及半导体的领域。半导体器件具有第一安装面，以及与第一安装面相背的第二安装面；半导体器件还包括多个焊盘，多个焊盘的部分设置于第一安装面，多个焊盘的另一部分设置于第二安装面；多个焊盘中设置于第一安装面的部分用于连接基板，多个焊盘设置于第二安装面的部分设置有接触图案，接触图案可用于识别半导体器件的规格信息。本申请解决了不同类型的半导体器件的识别难度大，易出现半导体器件连接错误的问题。
半导体器件电子装置

[发明专利]半导体发光器件-CN200980120377.8有效
发明人：林祐湜 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：实施例公开一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电半导体层；有源层，所述有源层在第一导电半导体层上；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在有源层上；第一电极，所述第一电极被形成在第一导电半导体层下方并且包括预定形状的图案；以及氮化物半导体层，所述氮化物半导体层在第一电极的图案之间。
半导体发光器件

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN201210406251.0有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及半导体器件的制造方法。其中该半导体器件的制造方法包括提供具有半导体层的绝缘体上半导体，图案化所述半导体层以在所述半导体层上形成凹槽，两个相邻所述凹槽之间为凸起；形成应力改变层覆盖所述凹槽和所述凸起；图案化所述应力改变层以在所述应力改变层上形成沟槽本发明所提供的半导体器件的制造方法通过设置该应力改变层来调整半导体器件多数载流子的迁移率，改善该半导体器件的电性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]掩膜版、光刻系统以及半导体器件的制作方法-CN202111067882.X在审
发明人：张翩;谭锦丹;孙畅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种掩膜版、光刻系统以及半导体器件的制作方法。所述掩膜版包括：器件图案，用于在曝光时显影至覆盖半导体结构的光刻胶中；标记图案，用于监测所述器件图案与设计版图之间的偏差，包括：第一子标记图案，用于在所述曝光时显影至覆盖所述半导体结构的所述光刻胶中；其中，所述第一子标记图案与所述器件图案相同；和/或，第二子标记图案，用于在所述曝光时在覆盖所述半导体结构的所述光刻胶中不成像。
掩膜版光刻系统以及半导体器件制作方法