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[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN201611096922.2在审
发明人：武咏琴 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括:提供半导体衬底；采用F基等离子体对所述半导体衬底进行干法刻蚀，以对所述半导体衬底的表层进行图案化；执行激光表面处理，以去除所述表层上的F基残留物。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，在采用F基等离子体对半导体衬底进行干法刻蚀，以对所述半导体衬底的表层进行图案化的过程中，在所述半导体衬底表层残留F基残留物，通过执行激光表面处理，有效去除所述半导体衬底表层的F基残留物，从而保证半导体器件的性能稳定。
衬底半导体半导体器件等离子体激光表面处理干法刻蚀图案化去除制作残留保证

[实用新型]具有对位标记的半导体器件以及显示装置-CN201220547425.0有效
发明人：杨俊平;张大鹏 -专利权人：天钰科技股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有对位标记的半导体器件以及显示装置。该半导体器件包括半导体衬底及对位标记。该对位标记包括设置在该半导体衬底上的第一层状结构，该第一层状结构包括间隔设置的多个第一图案；及设置在该第一层状结构上的该第二层状结构，该第二层状结构包括第二图案；该多个第一图案及该第二图案均为非透明图案，该多个第一图案围绕该第二图案设置。该半导体器件的对比度较高。
具有对位标记半导体器件以及显示装置

[发明专利]半导体器件-CN201510040725.8有效
发明人：仮屋崎修一;及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。目的是提高半导体器件的噪声抗扰性。半导体器件的布线基板包括：形成传送信号的布线的第一布线层，和与第一布线层的上层或下层相邻地安装的第二布线层。第二布线层包括：其中在厚度方向上与布线(23)的一部分重叠的位置处形成开口部分的导体平面，和安装在导体平面的开口部分内的导体图案。导体图案包括：与导体平面隔离的主图案部即网格图案部，和耦合主图案部与导体平面的多个耦合部。
半导体器件

[发明专利]发光器件、发光器件封装及包括发光器件封装的照明系统-CN201010135738.0有效
发明人：金鲜京 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件、一种发光器件封装以及一种包括所述发光器件封装的照明系统。该发光器件可包括：发光结构、介电图案、第二电极层和谐振腔结构。发光结构可包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。介电图案可设置在第二导电型半导体层上。第二电极层可设置在包括介电图案的第二导电型半导体层上。谐振腔结构可设置在发光结构上。
发光器件封装包括照明系统

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202210948237.7在审
发明人：张世明;赖昱泽;王昱夫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开总体涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种制造半导体器件的方法中，在电介质层的表面区域中形成导电图案，在电介质层之上形成包括在导电图案之上的开口的掩模图案，将导电图案的一部分转换为高电阻部分，该高电阻部分的电阻率高于穿过开口进行转换之前的导电图案的电阻率，以及去除掩模图案。
制造半导体器件方法

[发明专利]光电子器件及其制造方法-CN202180056459.1在审
发明人： A·J·齐尔克;H·尼卡宁;F·皮特斯;C·S-C·蔡;余国民 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：公开了一种光电子器件。所述器件包括：绝缘体上硅平台，所述绝缘体上硅平台包括形成在硅器件层中的硅波导、硅衬底和腔；基于III‑V族半导体的器件，所述基于III‑V族半导体的器件位于所述绝缘体上硅平台的所述腔内并包含耦合到所述硅波导的基于III‑V族半导体的波导。位于所述基于III‑V族半导体的器件与所述衬底之间的所述腔的床的区域包括图案化表面，所述图案化表面被配置为与所述基于III‑V族半导体的器件的所述基于III‑V族半导体的波导内的光信号相互作用。
光电子器件及其制造方法

[发明专利]不平坦图案化的基底上的高质量非极性/半极性半导体器件及其制造方法-CN201080038311.7有效
发明人：南玉铉;俞根镐 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司;韩国产业技术大学校产学协力团
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有降低的缺陷密度以及提高的内部量子效率和光提取效率的高质量非极性/半极性半导体器件及其制造方法。所述制造方法是用于制造半导体器件的方法，在所述半导体器件中，模板层和半导体器件结构形成在具有用于生长非极性或半极性氮化物半导体层的晶面的蓝宝石基底上。蚀刻所述蓝宝石基底，以形成不平坦图案，并且在其中形成有所述不平坦图案的所述蓝宝石基底上形成包括氮化物半导体层和GaN层的模板层。
平坦图案基底质量极性半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有金属膏的基板贯通过孔和重分布层-CN200980143290.2无效
发明人：弗雷迪·罗泽博姆;埃里克·科尼利斯·厄伯特斯·范格林斯文;弗朗西斯·休伯特斯·玛丽·圣德斯;玛丽亚·马瑟·安东尼塔·伯户恩 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，其用在该半导体器件和其他半导体器件的堆叠配置中。该半导体器件包括：基板(5)，所述基板(5)包括在其第一侧面提供的电子电路(7)的至少一部分。该半导体器件还包括：图案化掩模层(15)，在所述基板(5)的第一侧面上。图案化掩模层(15)至少包括完全延伸通过图案化掩模层(15)的沟槽(16)。该沟槽(16)已填充有重分布导体(20)。基板过孔和重分布导体(20)包括金属膏(MP)并一起形成为一体。本发明的半导体器件的特征的效果在于，在基板贯通过孔(10)和重分布导体(20)之间没有物理界面。由于本发明，减少了该电连接的寄生电阻，这产生了半导体器件的更好的电性能。本发明还涉及一种制造这种半导体器件的方法。本发明还涉及一种包括多个这种半导体器件的堆叠配置的半导体组件。
具有金属贯通分布

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN201510512428.9有效
发明人： D·T·埃默森;K·哈贝雷恩;M·J·伯格曼;D·斯拉特;M·多诺夫里奥;J·埃蒙德 -专利权人：克利公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件及其制造方法。该发光器件，包括：p型半导体层、n型半导体层、以及n型半导体层和p型半导体层之间的有源区域；不透明部件，位于与有源区域相对的n型半导体层上；以及图案化的欧姆接触，位于与有源区域相对的p型半导体层上，其中，图案化的欧姆接触与不透明部件对齐。
发光器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200910132611.0无效
发明人：朴相勋;曹允硕;曹祥薰;李春熙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及制造半导体器件的方法。在制造具有垂直沟道的半导体器件的方法及图案化该半导体器件的栅电极的方法中，通过多个蚀刻工艺来移除初始导电层。
制造半导体器件方法

[实用新型]半导体器件-CN201520762772.9有效
发明人：舩津胜彦;佐藤幸弘;金泽孝光;小井土雅宽;田谷博美 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，其目的在于，抑制半导体器件的可靠性降低。半导体器件具有：形成在陶瓷衬底(CS1)上的多个金属图案(MP)；和搭载在多个金属图案(MP)中的一部分上的半导体芯片(CP)。另外，在多个金属图案(MP)的周缘部形成有多个凹部(DP)。另外，在多个金属图案(MP)中的与半导体芯片(CP)重叠的区域不形成多个凹部(DP)。另外，在多个金属图案(MP)中的、配置在最靠近陶瓷衬底(CS1)的上表面(CSt)的周缘部的位置的多个金属图案(MPT)上设置有多个凹部(DP)。
半导体器件

[发明专利]发光器件-CN201310176523.7有效
发明人：林贤哲;崔宰熏 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及有源层，置于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间。该第二导电类型半导体层包括电子阻挡区域，布置为靠近有源层且具有图案，该图案具有彼此隔开的多个元件。本发明的发光器件通过使用EBL阻挡电子溢出并提高空穴注入效率，从而提高其内部量子效能。
发光器件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201811200304.7有效
发明人：林孟汉;邱德馨;吴伟成;邓立峯;张健宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括半导体衬底和至少一个图案化的介电层的半导体结构。半导体衬底包括半导体部分、至少一个第一器件、至少一个第二器件和至少一个第一伪环。在通过半导体部分围绕的第一区上设置至少一个第一器件。在第二区上设置至少一个第二器件和至少一个第一伪环，并且第二区围绕第一区。至少一个图案化的介电层覆盖半导体衬底。本发明的实施例还提供了另一种半导体结构和一种制造半导体结构的方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]MOS晶体管失配特性的测量方法、版图图案及其形成方法-CN200710039249.3有效
发明人：黄艳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种MOS晶体管失配特性的测量方法，包括：生成至少一组包含两个或两个以上相同MOS晶体管的第一版图图案；至少生成一组与所述第一版图图案相同但摆放角度不同的第二版图图案；将所述第一和第二版图图案转移到半导体晶片上，在所述半导体晶片上生成至少两组具有不同摆放角度的半导体器件；测量所述半导体器件中的MOS晶体管的电性参数；计算所述每一组半导体器件中结构及制造工艺相同的MOS晶体管的电性参数的差异；计算相同摆放角度半导体器件的所述差异的标准差，并比较不同摆放角度的半导体器件的所述标准差的大小。本发明还提供一种版图图案及其形成的方法。本发明能够较真实和全面的反映相同的MOS晶体管的失配特性。
mos 晶体管失配特性测量方法版图图案及其形成方法

[发明专利]发光器件和发光器件封装-CN201010547555.X有效
发明人：金俊亨 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件和发光器件封装。根据实施例的发光器件包括基板；基板上的缓冲层；缓冲层上的电极，该电极包括穿过电极的顶表面和底表面形成的贯通图案；电极上的第一半导体层；第一半导体层上的有源层；以及有源层上的第二半导体层。第一半导体层通过经过贯通图案延伸到贯通图案的顶表面上同时接触缓冲层。
发光器件封装