专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有改进的波度的层压玻璃结构-CN201880068514.7有效
  • 金知满;金俊秀;李龟洙 - 康宁股份有限公司
  • 2018-10-19 - 2023-10-10 - B32B17/06
  • 提供了一种层压玻璃结构,其包括:基材,所述基材包括主表面和约0.5mm至约50mm的厚度;粘合剂,其具有约0.001MPa至0.2MPa的弹性模量E粘合剂;和挠性玻璃片,其具有不超过约300μm的厚度t玻璃。所述挠性玻璃片通过粘合剂被层压到基材的主表面。另外,粘合剂的厚度t粘合剂通过下式给出:t粘合剂δx AWt x(200\imlt玻璃)x(E粘合剂/0.1MPa),其中,δ是设置在150的波度常数,并且AWt是总波度差量(μm),总波度差量AWt在约0.125μη至2.5μη的范围内,并且被定义为基材的波度与玻璃片的波度之间的差。
  • 具有改进层压玻璃结构
  • [发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201910216931.8有效
  • 赵珉熙;金俊秀;李浩;金灿景;金会承;闵在泓;朴相郁;宋宇彬;李相遇 - 三星电子株式会社
  • 2019-03-21 - 2023-09-26 - H01L29/78
  • 提供了半导体装置及其形成方法。所述半导体装置可以包括半导体基底以及位于半导体基底中的有源区域,其中,有源区域可以包括具有氧的可变原子浓度的氧化物半导体材料。第一源/漏区可以位于有源区域中,其中,第一源/漏区可以具有氧化物半导体材料中的氧的第一原子浓度。第二源/漏区可以位于与第一源/漏区分隔开的有源区域中,沟道区域可以位于第一源/漏区与第二源/漏区之间,其中,沟道区域可以具有氧化物半导体材料中的氧的第二原子浓度,氧的第二原子浓度低于氧的第一原子浓度。栅电极可以位于沟道区域上并且可以在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸。
  • 半导体装置及其形成方法
  • [发明专利]操作消除-CN202310247443.X在审
  • 尼古拉斯·安德鲁·普兰特;约瑟夫·迈克尔·普斯德斯;金俊秀 - ARM有限公司
  • 2023-03-15 - 2023-09-22 - G06F9/30
  • 本发明提供了一种数据处理装置。重命名电路通过在存储电路中存储寄存器之间的映射来执行流水线的寄存器重命名级。该映射中的每一者与消除字段值相关联。操作消除电路用该存储电路中的标引目的地寄存器并且具有该消除字段值被设定的新映射来替换指示要对来自源寄存器并且存储在目的地寄存器中的数据执行的动作的操作。操作电路在消除字段值被设定时,通过获取源寄存器的内容、对该内容执行该动作以获得结果、以及返回该结果,来响应访问目的地寄存器的后续操作。
  • 操作消除
  • [发明专利]包含图案化反射器的背光-CN202180036897.1在审
  • 堵光磊;金俊秀 - 康宁公司
  • 2021-04-13 - 2023-04-04 - F21V8/00
  • 现公开背光,包括耦接基板的多个光源及在多个光源上面的图案化漫射片。图案化漫射片包括耦接图案化漫射体的多个图案化反射器,其中每一图案化反射器设置对准相应光源。背光具有纵向方向,基板和图案化漫射体在纵向方向上分别具有最大纵向基板尺度(LMax,S)和最大纵向图案化漫射体尺度(LMax,PDB)。背光在纵向方向的热对准容限在60℃下为500微米或以下,其中在60℃下的热对准容限为[LMax,S与LMax,PDB中的较小者]×[60℃‑23.5℃(室温)]×[基板热膨胀系数(CTES)‑导光板热膨胀系数(CTEPDB)]的绝对值。
  • 包含图案反射背光
  • [发明专利]半导体装置-CN201710605564.1有效
  • 赵珉熙;安佑松;崔民洙;山田悟;金俊秀;李盛三 - 三星电子株式会社
  • 2017-07-24 - 2022-05-31 - H01L29/423
  • 提供一种半导体装置,所述半导体装置包括:有源区,位于基底上;器件隔离膜,位于基底上以限定有源区;栅极沟槽,包括位于有源区中的第一部分和位于器件隔离膜中的第二部分;栅电极,包括嵌入在栅极沟槽的第一部分中的第一栅极和嵌入在栅极沟槽的第二部分中的第二栅极;第一栅极覆盖图案,位于第一栅极上并填充栅极沟槽的第一部分;第二栅极覆盖图案,位于第二栅极上并填充栅极沟槽的第二部分,第一栅极的上表面高于第二栅极的上表面,第一栅极覆盖图案和第二栅极覆盖图案具有不同的结构。
  • 半导体装置
  • [发明专利]执行果树作物种植棚功能的太阳能发电系统-CN201980101403.6在审
  • 赵宰永;金俊秀;朴娥荣 - 源珖电力(株)
  • 2019-12-27 - 2022-05-27 - H02S20/10
  • 本发明提供一种与农业并行的太阳能发电系统,使太阳能发电与果树作物的农业活动并行成为可能,且不仅不会为了设置太阳能发电装置而在林地进行大量土木工程等引起环境和农田的破坏,还可以提供与农业并行的太阳能发电系统的结构、形态和功能,从而提高太阳能发电的发电量的效率。据本发明,可以以低成本同时进行太阳能发电和果树作物的农业活动,为了与农业并行发电,通过不单独设置太阳能电池模块支架而兼顾现有作物挡雨棚的功能,可构建经济的系统,即使现有果园的作物不朝南,也可以通过太阳能面板可变更角度的结构物,容易实现发电量最大化。
  • 执行果树作物种植功能太阳能发电系统
  • [发明专利]包括字线驱动电路的集成电路装置-CN202111294848.6在审
  • 金俊秀;权珉禹 - 三星电子株式会社
  • 2021-11-03 - 2022-05-06 - G11C8/08
  • 一种集成电路装置包括多个存储器单元,多个存储器单元中的每一个包括沟道区、第一子字线、第二子字线和储存元件。字线驱动电路被配置为驱动第一子字线和第二子字线。字线驱动电路包括PMOS晶体管、NMOS晶体管、保持NMOS晶体管和第一保持PMOS晶体管。负电压被施加至NMOS晶体管的源极,负电压施加被至保持NMOS晶体管的源极,第一子字线连接至第一保持PMOS晶体管的源极,第二子字线连接至第一保持PMOS晶体管的漏极,并且负电压被施加至第一保持PMOS晶体管的栅极。
  • 包括驱动电路集成电路装置
  • [外观设计]家用机器人-CN202130045819.0有效
  • 玄尚旻;金俊秀 - 三星电子株式会社
  • 2021-01-22 - 2021-08-03 - 15-99
  • 1.本外观设计产品的名称:家用机器人。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于管家服务,可以根据用户指令监控家里以及与智能设备互联,使得家用机器人能够提供各种管家服务(例如个人护理或家庭管理)。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图1。
  • 家用机器人

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