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[发明专利]半导体器件的封装方法以及半导体器件的封装结构-CN202310641219.9在审
发明人：王矿伟;赖志国;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种半导体器件的封装方法以及封装结构。其中，方法包括：提供第一晶圆，并在第一晶圆的待键合面上形成器件结构层和密封结构层；器件结构层经过图案化处理，以在第一晶圆的待键合面上分隔出多个半导体器件区和位于各半导体器件区之间的划片道；密封结构层包括多个第一密封图案和若干第二密封图案；多个第一密封图案分别用于形成与多个半导体器件区相对应的密封环；第二密封图案至少包封一半导体器件区以及该半导体器件区周围的部分划片道；提供第二晶圆，并以第二晶圆的待键合面朝向第一晶圆的待键合面的方式，将第二晶圆键合在第一晶圆上；形成贯穿第二晶圆的导电通孔，导电通孔用于为半导体器件区提供导电连接通道。
半导体器件封装方法以及结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110152109.3有效
发明人：金亨涣;林性洙;朴星恩;表承锡;姜旼澈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和一种形成半导体器件的方法，所述半导体器件包括由镶嵌图案分隔开的多个第一导电图案、掩埋在所述镶嵌图案中的第二导电图案以及处在所述第二导电图案与所述第一导电图案之间的包含有气隙的间隔件
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110333182.4在审
发明人：张权;董金文;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。制备方法包括：提供半导体器件，其中，所述半导体器件上设有非晶硅层；透过所述非晶硅层识别被所述非晶硅层覆盖的布线以进行曝光对准，图案化所述非晶硅层；在图案化后的所述非晶硅层的侧壁形成间隔层；去除图案化后的所述非晶硅层；以所述间隔层为掩膜刻蚀所述半导体器件。本发明解决了半导体器件的制备时间较长，成本较高的技术问题。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810324131.3有效
发明人：李南宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：半导体器件及其制造方法。可以提供半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括形成在基板上方的源线。所述半导体器件可以包括沟道图案，所述沟道图案包括设置在所述源线上方的连接部和沿着第一方向从所述连接部突出的柱部。所述半导体器件可以包括阱结构，所述阱结构沿着所述第一方向从所述连接部突出并且与所述源线分隔开。所述半导体器件可以包括源接触结构，所述源接触结构沿着所述第一方向从所述源线突出并且穿过所述连接部。所述半导体器件可以包括栅极堆叠物，所述栅极堆叠物设置在所述源接触结构和所述阱结构之间并且包围所述连接部上方的所述柱部。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统-CN202111357585.9在审
发明人：安在昊;金智源;黄盛珉;任峻成;成锡江 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：提供了半导体器件和包括其的数据存储系统。所述半导体器件包括：半导体衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；背侧绝缘层，位于半导体衬底的所述第二表面下方；外部输入/输出导电图案，位于背侧绝缘层下方；电路器件，包括栅电极和源极/漏极区，电路器件位于半导体衬底的第一表面上；内部输入/输出导电图案，位于半导体衬底的第一表面上，内部输入/输出导电图案具有与栅电极的至少一部分设置在同一水平高度上的至少一部分；贯通电极结构，穿透半导体衬底和背侧绝缘层，并电连接到内部输入/输出导电图案和外部输入/输出导电图案；以及存储单元阵列区域，在半导体衬底的第一表面上设置在比电路器件高的水平高度上。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]半导体器件结构和其制造方法-CN202080005485.7有效
发明人：黃敬源;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供半导体器件结构和其制造方法。所述半导体器件结构包含衬底、所述衬底上的半导体层以及安置在所述衬底上且被所述半导体层覆盖的图案化电介质层。所述图案化电介质层经配置以防止所述半导体层中的成分扩散到所述衬底中。所述半导体器件结构还包含所述半导体层上的第一氮化物半导体层和所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。
半导体器件结构制造方法

[发明专利]一种半导体器件制作方法、半导体结构和半导体器件-CN202010793753.8有效
发明人：张坤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件制作方法、半导体结构和半导体器件，所述半导体器件包括至少一半导体结构，所述制作方法包括以下所述半导体结构的制作过程：提供一图案化晶圆；提供一伪晶圆；将所述图案化晶圆的背面与所述伪晶圆表面相键合；在所述图案化晶圆正面制作堆叠电路结构。采用本发明方法既可以作为基本半导体结构来防止器件单元在仓储过程中的翘曲变形，也可以作为零部件来与其他器件单元键合组装，另外本发明中在后期移除后的伪晶圆可以重复利用，能够降低生产成本。
一种半导体器件制作方法半导体结构

[发明专利]半导体器件和用于形成该半导体器件的方法-CN201210020290.7无效
发明人：金正三 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-01-29 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件和用于形成该半导体器件的方法。在埋入式位线处形成反熔丝，以使反熔丝所占据的面积小于常规的平面栅极型反熔丝所占据的面积，并且使绝缘膜的断开效率提高。这样提高了半导体器件的可靠性和稳定性。半导体器件包括：线图案，其形成在半导体基板上；器件隔离膜，其形成在线图案的中心部分处；接触部分，其形成在线图案的两侧处，并且被构造为包括形成在线图案上的氧化物膜；以及位线，其形成在线图案之间的底部处并且与接触部分相连
半导体器件用于形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910157621.X有效
发明人：黄昌渊 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。用湿式蚀刻法形成接触插塞。SAC的高宽比减小并且SAC失败减小，从而保证工序裕量。半导体器件包括：半导体基板，其包括有源区和限定有源区的器件隔离层；导电图案，其形成于半导体基板上；以及氮化物层，其与导电图案垂直地形成于半导体基板上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有矩阵冷却的数据中心3D固态驱动-CN201711383612.3有效
发明人：邱进添;姬忠礼;H.塔基亚 -专利权人：晟碟信息科技（上海）有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：公开了一种固态驱动，所述固态驱动包含用于数据中心的半导体器件的共面阵列，以及用于冷却所述半导体器件的共面阵列的系统。所述半导体器件可以以栅格图案布置，彼此间隔开，以便在所述半导体器件周围和半导体器件之间限定流动路径或冷却通道的行和列。
具有矩阵冷却数据中心固态驱动

[发明专利]曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法-CN200910157620.5有效
发明人：宋柱京;尹炯舜 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开一种曝光掩模及使用该曝光掩模来制造半导体器件的方法，包括：利用包括遮光图案和平行于遮光图案布置的辅助图案的曝光掩模来执行曝光和显影工序，以避免在半导体基板上的晶胞区域中形成主要图案时产生浮渣现象，从而改善半导体器件的特性、可靠性和成品率。因此，该方法使得可以实现半导体器件的高度集成。
曝光使用掩模来制造半导体器件方法

[发明专利]有机半导体器件的制备方法-CN201811007229.2有效
发明人：陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本揭示提供了有机半导体器件的制备方法。所述方法包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在绝缘层上形成栅电极，从图案化的有机半导体层上分离牺牲层及衬底，以及在图案化的有机半导体层上形成源漏电极本揭示能提供简单有效的有机半导体器件的制备方法。
有机半导体器件制备方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN201310142777.7有效
发明人：金兑京;权贤律 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：多个辅助图案，所述多个辅助图案形成在半导体衬底之上；多个栅极线图案，所述多个栅极线图案彼此平行地布置在所述多个辅助图案之间的半导体衬底之上；以及气隙，所述气隙形成在所述多个栅极线图案之间、以及所述多个栅极线图案中的每个栅极线图案与所述多个辅助图案中的每个辅助图案之间。
栅极线图案辅助图案半导体存储器件衬底气隙半导体彼此平行制造

[发明专利]覆晶薄膜型半导体封装及其制造方法-CN201480002926.2在审
发明人：金成振;金俊一;金学模 -专利权人：东部HITEK株式会社;金成振
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种覆晶薄膜(COF)型半导体封装，作为用在显示设备中的驱动器集成电路(IC)的半导体封装，其包括柔性薄膜、在柔性薄膜上形成的电极图案、电连接至电极图案的导电块、通过导电块电连接至电极图案并安装在电极图案上的半导体器件、以及在电极图案的至少一部分上形成用于密封导电块和半导体器件的第一保护层，其中所述第一保护层包括用于消散半导体器件产生的热量的导热材料。
薄膜半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710143735.X无效
发明人：朱星中 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及半导体器件的制造方法。该半导体器件可包括：半导体衬底；层间介电层，形成于该半导体衬底上，具有镶嵌图案；扩散阻碍件，形成于镶嵌图案中，且由三价材料制成；籽晶层，形成于该扩散阻碍上；以及铜互连件，形成于该籽晶层上。本发明将非结晶层用作扩散阻碍件来避免铜的扩散，提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法