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- [发明专利]半导体装置-CN202310161418.X在审
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梁正吉;宋寅铉;郑主护
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三星电子株式会社
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2023-02-24
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2023-08-29
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H01L27/092
- 一种半导体装置可包括：第一沟道图案和第二沟道图案，它们分别设置在第一有源图案和第二有源图案上，并分别包括第一半导体图案和第二半导体图案；以及栅电极，其与第一沟道图案和第二沟道图案交叉并在第一方向上延伸。栅电极可包括第一外栅电极和第二外栅电极，它们分别设置在第一半导体图案和第二半导体图案中的最上面的半导体图案上，并且它们中的每一个包括按次序堆叠的第一金属图案、比第一金属图案薄的第二金属图案、以及填充金属图案。还可在第一金属图案和第一半导体图案之间设置第三金属图案。第三金属图案和第二金属图案可分别包括p型功函数金属和n型功函数金属。第二外栅电极的第一金属图案和第二金属图案可具有共面的最顶上的表面。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN202211326451.5在审
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宋寅铉;权五成;梁正吉;郑主护
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三星电子株式会社
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2022-10-27
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2023-05-05
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H01L27/088
- 一种半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅电极，在第二方向上延伸并与有源区交叉，栅电极包括第一电极层和第二电极层；沟道层，在第三方向上彼此间隔开，并且至少部分地被栅电极围绕；源极/漏极区，在栅电极的每一侧有至少一个源极/漏极区，源极/漏极区与沟道层电连接；以及气隙区，沿第三方向在沟道层之间以及最下面的沟道层与有源区之间位于第二电极层中。第一电极层或第二电极层在沟道层的在第三方向上相邻的沟道层之间具有第一厚度，并且在沟道层的侧表面上具有大于第一厚度的第二厚度。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111344437.3在审
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宋寅铉;梁正吉;金民柱
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三星电子株式会社
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2021-11-12
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2022-08-16
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H01L27/092
- 公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案；包括第一半导体图案的第一沟道图案；包括第二半导体图案的第二沟道图案；第一沟道图案和第二沟道图案上的栅电极；以及栅电极与第一沟道图案和第二沟道图案之间的栅介电层。所述栅电极包括：第一半导体图案之间的第一内栅电极；第二半导体图案之间的第二内栅电极；以及第一半导体图案和第二半导体图案外部的外栅电极。所述第一内栅电极和所述第二内栅电极在最上方第一半导体图案和最上方第二半导体图案的底表面上。所述外栅电极在所述最上方第一半导体图案和所述最上方第二半导体图案的顶表面和侧壁上。所述第一内栅电极和所述第二内栅电极具有不同的功函数。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN202111212561.4在审
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郑秀真;姜明吉;梁正吉;朴俊范
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三星电子株式会社
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2021-10-18
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2022-07-29
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H01L29/06
- 一种半导体器件，包括：第一源极/漏极；第二源极/漏极，在水平方向上与所述第一源极/漏极隔离以不直接接触；沟道，在所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间延伸；栅极，围绕所述沟道；上内间隔物，在所述栅极与所述第一源极/漏极之间并且在所述沟道上方；以及下内间隔物，在所述栅极与所述第一源极/漏极之间并且在所述沟道下方，其中，所述沟道包括：基部，在所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间延伸；上突出部，从所述基部的顶表面向上突出；以及下突出部，从所述基部的底表面向下突出，并且所述上突出部的顶端与所述下突出部的底端隔离以不直接接触所沿的方向相对于竖直方向倾斜。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN202011549549.8在审
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金相秀;朴俊范;梁正吉
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三星电子株式会社
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2020-12-24
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2021-07-30
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H01L29/78
- 一种半导体器件包括：有源图案，位于衬底上，并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上纵长地延伸；栅极结构，位于所述有源图案上，所述栅极结构在与所述衬底的所述上表面平行且与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；沟道，沿着与所述衬底的所述上表面垂直的第三方向彼此间隔开，每个所述沟道沿着所述第一方向延伸穿过所述栅极结构；源极/漏极层，位于所述有源图案的在所述第一方向上与所述栅极结构相邻的部分上，所述源极/漏极层接触所述沟道；内部间隔物，位于所述栅极结构与所述源极/漏极层之间，所述内部间隔物接触所述源极/漏极层；以及沟道连接部分，位于每个所述内部间隔物与所述栅极结构之间，所述沟道连接部分将所述沟道彼此连接。
- 半导体器件
- [发明专利]集成电路-CN202010223071.3在审
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宋昇珉;徐凤锡;梁正吉;郑秀真
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三星电子株式会社
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2020-03-26
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2020-12-18
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H01L29/78
- 一种集成电路包括：鳍式有源区，从衬底突出；多个半导体图案，位于所述鳍式有源区的上表面上；栅电极，围绕所述多个半导体图案并且包括主栅极部分和子栅极部分，所述主栅极部分位于所述多个半导体图案中的最上面的半导体图案上，所述子栅极部分分别位于所述鳍式有源区与所述多个半导体图案中的最下方的半导体图案之间以及所述多个半导体图案之间；间隔物结构，设置在所述主栅极部分的侧壁上；以及源极/漏极区，位于所述栅电极的一侧。所述源极/漏极区连接到所述多个半导体图案并且接触所述间隔物结构的底表面。所述最上面的半导体图案的顶部部分具有第一宽度。所述最上面的半导体图案的底部部分具有小于所述第一宽度的第二宽度。
- 集成电路
- [发明专利]半导体装置-CN202010511924.3在审
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梁正吉;宋升珉;郑秀真;裴东一;徐凤锡
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三星电子株式会社
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2020-06-08
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2020-12-11
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H01L29/06
- 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区，其位于衬底上，并且包括在第一方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁；以及外延图案，其位于有源区上，其中，外延图案包括分别从第一侧壁和第二侧壁延伸的第一外延侧壁和第二外延侧壁，第一外延侧壁包括第一外延下侧壁、第一外延上侧壁以及连接第一外延下侧壁和第一外延上侧壁的第一外延连接侧壁，第二外延侧壁包括第二外延下侧壁、第二外延上侧壁以及连接第二外延下侧壁和第二外延上侧壁的第二外延连接侧壁，第一外延上侧壁与第二外延上侧壁之间的距离随着远离有源区而减小，并且第一外延下侧壁和第二外延下侧壁与衬底的顶表面平行地延伸。
- 半导体装置
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