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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610809546.0有效
发明人：朴世准;尹壮根;黄盛珉;文安植;夏志良 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：交替并重复地堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅极；在基本垂直于衬底上表面的第一方向上延伸穿过栅极的沟道图案；在沟道图案和衬底之间的半导体图案；以及在沟道图案和半导体图案之间的导电图案导电图案将沟道图案电连接到半导体图案。导电图案接触沟道图案的底部边缘和半导体图案的上表面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括嵌入式半导体器件的半导体封装件-CN202010489044.0在审
发明人：金知晃;姜廷旻;金炫圭;沈钟辅;崔敬世 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括封装件衬底。封装件衬底包括衬底图案和至少部分地包围衬底图案的衬底绝缘层。封装件衬底具有凹槽。外部连接端子布置在封装件衬底下方。嵌入式半导体器件布置在封装件衬底的凹槽内。嵌入式半导体器件包括第一衬底。第一有源层布置在第一衬底上。第一芯片焊盘布置在第一有源层上。埋置绝缘层布置在封装件衬底的凹槽内，并且埋置绝缘层至少部分地包围嵌入式半导体器件的侧表面的至少一部分。安装式半导体器件布置在封装件衬底上，并且连接至封装件衬底和嵌入式半导体器件。
包括嵌入式半导体器件半导体封装

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910039205.3在审
发明人：金真范;金亨燮;崔成钦;金镇用;朴台镇;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社;成均馆大学研究与商业基金会
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。
半导体材料栅电极源图案半导体器件半导体氧化物层方向延伸衬底图案方向交叉侧壁穿透制造

[发明专利]形成有机半导体层图案的方法-CN200610092596.8有效
发明人：朴钟辰;卢泰用;金明淑;李晟熏;郑银贞;申东雨;夫龙淳 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种施主衬底及利用该施主衬底形成有机半导体层图案的方法。在该方法中，利用具有可热分解取代基的有机半导体前体，通过湿法形成施主衬底。施主衬底中的有机半导体前体衬底以图案的方式转移至受主衬底并加热，由此转变成有机半导体。从而，得到有机半导体层图案。该方法可用于制备各种器件，如OLED和OTFT。通过湿法而不是通过沉积，可以形成低分子量的有机半导体层图案。因而，利用该方法可以低成本方便地制备平板显示器件。
形成有机半导体图案方法

[发明专利]使用单元二极管的相变存储器件及其制造方法-CN200610009594.8有效
发明人：赵佑荣;金杜应;辛允承;卞贤根;姜尚范;赵栢衡;郭忠根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有单元二极管的相变存储器件及其制造方法。所述相变存储器件包括：第一导电型的半导体衬底；设置在半导体衬底上的多条平行字线，所述字线具有不同于第一导电型的第二导电型并且具有基本平的顶表面；沿各条字线的字线长度方向一维排列的多个第一半导体图案，第一半导体图案具有第一导电型或第二导电型；堆叠在第一半导体图案上的具有第一导电型的第二半导体图案；提供于具有第二半导体图案的衬底上的绝缘层，所述绝缘层填充字线之间的间隙区、第一半导体图案间的间隙区和第二半导体图案之间的间隙区；以及二维排列于绝缘层上多个相变材料图案，并且所述相变材料图案分别电连接到第二半导体图案。
使用单元二极管相变存储器件及其制造方法

[发明专利]制作包括接触插塞的半导体器件的方法及半导体器件-CN202211688293.8在审
发明人：李允雅;朴相郁;尹铉喆;李玟知;洪定杓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种制作包括接触插塞的半导体器件的方法及半导体器件。一种制作半导体器件的方法包括在下结构上形成互连结构。在所述互连结构之间形成绝缘层。图案化所述绝缘层以形成绝缘图案。在所述绝缘图案之间形成绝缘围栏。在所述绝缘围栏上形成第一保护图案。在形成所述第一保护图案之后蚀刻所述绝缘图案以形成接触孔。在所述接触孔中形成接触插塞。
制作包括接触半导体器件方法

[发明专利]具有台阶状侧壁的半导体芯片及其制造方法-CN202211083789.2在审
发明人：金俊亨;李钟旼;崔慜贞;崔智旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：可以提供半导体芯片、半导体封装和半导体芯片制造方法。该半导体芯片包括：包括器件区域和边缘区域的基板；顺序堆叠在基板上的器件层和布线层；在器件区域上的子焊盘和在边缘区域上的残留测试图案，其中残留测试图案的侧壁与基板的侧壁对准；以及覆盖子焊盘和残留测试图案的上电介质堆叠上电介质堆叠可以暴露残留测试图案的顶表面的一部分。上电介质堆叠的侧壁可以具有台阶区域。
具有台阶侧壁半导体芯片及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410020654.0有效
发明人：李炫虎 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底，在衬底上限定有接触区和单元区；子图案，形成在衬底上接触区内；以及绝缘图案和导电图案，沿着子图案交替地层叠。
半导体器件衬底子图案导电图案交替地层绝缘图案单元区接触区制造

[发明专利]形成半导体器件中精细图案的方法-CN200910163305.3有效
发明人：闵在豪;权五益;金汎洙;金明哲;金东灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明提供了形成半导体器件中精细图案的方法。形成半导体器件的方法可以通过采用自对准反转构图来同时形成多个掩模图案而提供，该多个掩模图案包括具有不同宽度的各自的掩模图案元件。
形成半导体器件精细图案方法

[发明专利]制造半导体器件的方法、由此获得的半导体器件和适合该方法中使用的浆料-CN200780014643.X无效
发明人：斯丹·科尔迪克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造具有衬底(11)和半导体本体(2)的半导体器件(10)的方法，所述半导体器件配置有至少一个半导体元件，并且所述半导体器件的表面由通过化学机械抛光工艺形成图案的铝层(3)覆盖，其中半导体器件(10)覆盖有铝层的一侧(3)压在抛光垫(5)上，并且半导体器件(10)和抛光垫(5)相对运动，将pH值小于12的包含研磨剂的浆料(6)设置在抛光垫(5)和半导体器件(10)之间，并且继续抛光工艺直至已经去除足够数量的铝层根据本发明，在器件(10)和抛光垫(5)之间的浆料(6)具有小于5的pH值，这通过只使用其铝盐能够很好地溶解在浆料(6)中的酸来获得。通过这种方法，可以以可重复的方式获得器件(10)，所述器件(10)具有包括反射的和没有缺陷的铝图案(3)。采用包括乳酸的浆料(6)，已经获得好的结果。
制造半导体器件方法由此获得适合使用浆料

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202010112269.4在审
发明人：任桐贤;李气范;金旲炫;魏胄滢;尹成美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括半导体基底：包括限定有源区的沟槽；掩埋介电图案，位于沟槽中；氧化硅层，位于掩埋介电图案与沟槽的内壁之间；以及多晶硅层，位于氧化硅层与沟槽的内壁之间，其中，多晶硅层具有与半导体基底接触的第一表面以及与氧化硅层接触的第二表面，并且其中，第二表面包括均匀分布的多个硅晶粒。
半导体器件制造方法

[发明专利]用于形成半导体层的方法和用于制造发光器件的方法-CN201010621008.1有效
发明人：姜大成;韩尚勋 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于形成半导体层的方法和用于制造发光器件的方法。根据本发明的实施例的用于制造发光器件的方法包括：制备生长衬底；在生长衬底上选择性地形成突出图案；在生长衬底和突出图案上形成第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层上形成有源层；在有源层上形成第二导电类型半导体层；以及执行隔离蚀刻，该隔离蚀刻用于选择性地去除包括突出图案的第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层。
用于形成半导体方法制造发光器件

[发明专利]具有金属互连的半导体器件、制造方法及半导体集群设备-CN200810127762.2无效
发明人：崔庆寅;李贤培;崔吉铉;李钟鸣;洪琮沅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括提供具有导电图案的半导体衬底和在导电图案和半导体衬底上形成绝缘层。对绝缘层进行构图以形成露出一部分导电图案的开口。本发明还提供通过该方法制造的半导体器件和用于制造该半导体器件的半导体集群设备。
具有金属互连半导体器件制造方法半导体集群设备

[发明专利]制造DMOS器件的方法-CN200710302134.9无效
发明人：尹喆镇 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体器件的方法，具体是制造DMOS器件的方法。所述半导体器件可以为漏极扩展的金属－氧化物－半导体(DMOS)器件。所述方法包括：在具有有源区的半导体衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅极；通过使用栅极作为掩模注入低浓度杂质离子在半导体衬底上形成低浓度源极区和低浓度漏极区；在栅极的侧面上形成隔离物；在半导体衬底上形成覆盖栅极和低浓度漏极区的一部分的硅化物区域阻挡(SAB)图案；和通过使用SAB图案作为掩模注入高浓度杂质离子在半导体衬底上形成高浓度源极区和高浓度漏极区。
制造 dmos 器件方法

[发明专利]无光刻胶制备有机半导体微器件的光刻方法及微器件-CN202210225965.5有效
发明人：况永波;吴艳玲;刘德宇;乐家波 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种无光刻胶制备有机半导体微器件的光刻方法及微器件。所述光刻方法包括：提供有机半导体材料层，并在其上覆设图案化掩模，使其表面的选定区域从图案化掩模中露出；以功能化改性剂与选定区域接触，同时以选定波长的光照射选定区域，从而将选定区域内的有机半导体材料转化为能够被选定溶剂溶解的物质；去除图案化掩模，并以选定溶剂充分清洗经上一步处理后的有机半导体材料层，从而获得图案化的有机半导体材料层。本发明所提供的光刻方法无需使用光刻胶及相应的显影剂和刻蚀剂等，对基底材料不会造成损伤，提高了有机半导体微器件的性能；并且该光刻方法工艺过程简便、可控，能够显著地降低有机半导体微器件的制造成本。
光刻制备有机半导体器件方法

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