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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202010682034.9在审
发明人：黄智雄;蔡仲恩;刘致为;郭观华;萧亦修 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：栅极堆叠位于基板上方并且包括栅极介电层、底部功函数金属层、顶部功函数金属层和填充金属。底部功函数金属层位于栅极介电层上方。顶部功函数金属层在底部功函数金属层上方并与其接触。顶部功函数金属层和底部功函数金属层中的至少一个包括掺杂剂，并且顶部功函数金属层比底部功函数金属层厚。填充金属位于顶部功函数金属层上方。磊晶结构位于基板上方并与栅极堆叠相邻。
半导体装置

[发明专利]PMOS晶体管金属栅极的制造方法-CN201110397349.X有效
发明人：平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及PMOS晶体管金属栅极的制造方法，通过形成低氧浓度功函数金属层和高氧浓度功函数金属层共同组成的功函数金属层，其中低氧浓度功函数金属层能够降低栅极消耗效应(Gate Depletion Effects)，所述高氧浓度功函数金属层能够提高功函数金属层的功函数值，从而提高金属栅极的功函数值，使采用金属栅极的功函数值能够达到现有技术中多晶硅栅极的功函数值，满足工艺要求，并提高PMOS晶体管的性能。
pmos 晶体管金属栅极制造方法

[发明专利]包含有效功函数可调功函数金属层的栅极结构及其制备方法-CN202310170250.9在审
发明人：陈时友;董沁华 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为包含有效功函数可调功函数金属层的栅极结构及其制备方法。本发明栅极结构包括半导体衬底、栅介质层、功函数金属层，材料为TiAlC；该功函数金属层通过改变密度，使得金属有效功函数调控为符合目标阈值电压所要求的有效功函数；以及其他栅极层。在栅介质层上形成功函数金属层过程中，通过不同工艺条件得到不同密度的功函数金属层，使得金属有效功函数调控为符合目标阈值电压所要求的有效功函数；不同工艺条件包括对栅介质层的预处理工艺和/或功函数金属层的沉积工艺本发明只需一层功函数金属层实现阈值电压的调节，满足多阈值电压器件，避免其他功函数调控方法的复杂工艺，降低制造成本。
包含有效函数可调金属栅极结构及其制备方法

[发明专利]一种三栅极结构的形成方法-CN201610985906.2有效
发明人：刘英明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种三栅极结构的形成方法，包括：第一步骤：在衬底上依次形成介质层、第一功函数金属层和硬掩膜层；第二步骤：形成硬掩膜层的图案；第三步骤：采用形成图案的硬掩膜层刻蚀第一功函数金属层，以形成第一功函数金属凸块；第四步骤：沉积第二功函数金属层，其中第二功函数金属层与第一功函数金属层为不同材料；第五步骤：对第二功函数金属层进行化学机械研磨，直到露出第一功函数金属凸块；第六步骤：刻蚀第二功函数金属层和介质层，从而形成在第一功函数金属凸块侧壁包围第二功函数金属侧壁的结构
一种栅极结构形成方法

[发明专利]太阳能电池及生产方法、光伏组件-CN202011556800.3有效
发明人：刘继宇;李华 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：太阳能电池包括：硅基底、掺杂氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；掺杂氮化钛层设置在硅基底的一面，低功函数金属层设置在掺杂氮化钛层的一面，金属电极层设置在低功函数金属层的一面；低功函数金属层包含的低功函数金属高于金属钛的活性；其中，掺杂氮化钛层中包含的低功函数金属是从低功函数金属层中扩散进入形成的。本申请中，由于低功函数金属层可以在退火处理的过程中发生扩散，从而生成掺杂有低功函数金属层中低功函数金属的掺杂氮化钛层，使得掺杂氮化钛层的功函数降低，促进电子输运，进而提高太阳能电池的效率。
太阳能电池生产方法组件

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110460017.5在审
发明人：李欣怡;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：沟道区域；栅极电介质层，位于沟道区域上；第一功函数调整层，位于栅极电介质层上，第一功函数调整层包括n型功函数金属；阻挡层，位于第一功函数调整层上；第二功函数调整层，位于阻挡层上，第二功函数调整层包括p型功函数金属，该p型功函数金属与n型功函数金属不同；以及填充层，位于第二功函数调整层上。
半导体器件方法

[发明专利]晶体管栅极结构及其形成方法-CN202110569082.1在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：沟道区域；栅极电介质层，位于沟道区域上；第一功函数调谐层，位于栅极电介质层上，第一功函数调谐层包含p型功函数金属；阻挡层，位于第一功函数调谐层上；第二功函数调谐层，位于阻挡层上，第二功函数调谐层包含n型功函数金属，n型功函数金属与p型功函数金属不同；以及填充层，位于第二功函数调谐层上。
晶体管栅极结构及其形成方法

[发明专利]具有HKMG的PMOS-CN201810330260.3在审
发明人：王世铭;黄志森;许佑铨 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有HKMG的PMOS，HKMG包括栅介质层和金属栅，在栅介质层和金属栅之间具有第一功函数层和第二功函数层，第一功函数层为PMOS的功函数层；第二功函数层为NMOS的功函数层，在第一功函数层和第二功函数层之间具有第一阻障层，第一功函数层、第一阻障层和第二功函数层形成叠加的结构，第一阻障层用于防止第二功函数层和金属栅的材料对第一功函数层的影响，使PMOS的性能稳定。本发明能防止金属栅的金属材料穿透到底部的PMOS管的功函数层中，从而能提高PMOS的稳定性；不需要额外增加光罩，不会增加工艺的复杂性，工艺成本低；不会影响到NMOS的特性。
功函数层金属栅阻障层栅介质层金属材料工艺成本光罩穿透叠加

[发明专利]半导体器件-CN201811567096.4在审
发明人：朴钟昊;金完敦;任廷爀;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括在衬底上并具有彼此不同的阈值电压的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的每个包括栅极绝缘层、第一功函数金属层和第二功函数金属层。第一晶体管的第一功函数金属层可以包括第一子功函数层，第二晶体管的第一功函数金属层可以包括第二子功函数层，第三晶体管的第一功函数金属层可以包括第三子功函数层，第一子功函数层、第二子功函数层和第三子功函数层可以具有彼此不同的功函数
晶体管功函数层功函数金属层半导体器件栅极绝缘层阈值电压功函数衬底

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201710233180.1在审
发明人：陈宜群;尹宗凡;邱意为;夏英庭;许立德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一实施例中，形成半导体结构的方法包括形成开口穿过绝缘层与形成第一功函数金属层于开口中。此方法亦包括使第一功函数金属层凹陷至开口中，以形成凹陷的第一功函数金属层；以及形成第二功函数金属层于开口中及凹陷的第一功函数金属层上。第二功函数调整层衬垫并悬于凹陷的第一功函数金属层上。
半导体结构形成方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法-CN201410454861.7有效
发明人：吕佳霖;陈俊隆;廖琨垣;张峰溢 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，包含有一基底、一设置于该基底上的第一金属栅极以及一设置于该基底上的第二金属栅极。该第一金属栅极包含有一第一功函数金属层与一形成于该第一功函数金属层上的第二功函数金属层，该第一功函数金属层包含有一渐尖形顶部，且该第一功函数金属层与该第二功函数金属层彼此互补。该第二金属栅极包含有该第二功函数金属层。
具有金属栅极半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种具有栅极填充结构的MOSFET管-CN202110219802.1在审
发明人：焦庆 -专利权人：中之半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明系提供一种具有栅极填充结构的MOSFET管，包括衬底，衬底上层叠有n个沟道模块，沟道模块两侧分别设有源极层和漏极层，顶部的沟道模块上设有第二功函数金属层，第二功函数金属层的两侧设有第二阻隔层，第二功函数金属层包覆有第二栅极介电层，第二功函数金属层上设有栅极金属层，栅极金属层的电阻小于第二功函数金属层的电阻，栅极金属层的顶部和两侧填充有间隔层；沟道模块包括第一功函数金属层、第一阻隔层和通道层，第一阻隔层设于第一功函数金属层的两侧，通道层位于第一功函数金属层和第一阻隔层的上方，第一功函数金属层包覆有第一栅极介电层。
一种具有栅极填充结构 mosfet

[发明专利]具有功函数金属堆叠的装置的制造方法-CN201810811790.X在审
发明人：陈彦瑜;吕玉琦;曹志彬;张世勳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：提供一种具有功函数金属堆叠的装置的制造方法。此方法包括下述操作。沉积介电层于基材上方。然后，沉积第一功函数金属层于介电层上方。接着，沉积虚设层于第一功函数金属层上方。然后，将杂质导入至第一功函数金属层中。之后，蚀刻虚设层。接下来，沉积第二功函数金属层于第一功函数金属层上方。
功函数金属层沉积功函数金属虚设层堆叠蚀刻沉积介电层介电层基材制造

[发明专利]金属栅极结构及其制造方法-CN201910231186.4在审
发明人：杨明仑 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅极结构，包括形成于半导体衬底表面的栅介质层、功函数层、电极阻挡层和金属栅，功函数层位于栅介质层顶部，电极阻挡层位于功函数层和金属栅之间；电极阻挡层中包括三元金属氮化物材料，三元金属氮化物材料的晶相结构中包括非晶相，利用三元金属氮化物的热稳定性和晶相特性来阻挡金属栅的金属向功函数层中扩散，并从而防止功函数层的功函数的大小产生偏移。本发明还公开了一种金属栅极结构的制造方法。本发明能阻挡金属栅的金属扩散到功函数层中，从而能使功函数层的功函数值保持稳定并从而能满足器件的电性要求。
功函数层三元金属氮化物金属栅极结构电极阻挡层栅介质层阻挡金属功函数金属栅半导体衬底表面电性要求金属扩散晶相结构热稳定性非晶相偏移制造金属扩散

[发明专利]钝化接触太阳能电池-CN201610948435.8在审
发明人：叶继春;曾俞衡;高平奇;童慧;王丹;廖明墩 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供的一种钝化接触太阳能电池，包括依次层叠的基底层、钝化隧穿层以及载流子选择层，其中，所述载流子选择层包括高功函数金属层或低功函数金属层，所述高功函数金属层的金属功函数大于等于5eV，所述低功函数金属层的金属功函数小于等于上述载流子选择钝化接触太阳能电池，叠层金属层由金属材料制备，结构简单；其中的载流子选择层金属材料调控功函数方式简单，制备高功函数层或低功函数层工艺简单，无需如制备磷掺杂、氮掺杂或硼掺杂的硅合金时需要的高温长时间处理过程
钝化接触太阳能电池

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