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- [发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN201010213233.1有效
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丁建宁;袁宁一
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常州大学
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2010-06-29
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2010-11-10
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H01L31/065
- 本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法,特指利用带隙变化的纳米晶-非晶两相薄膜材料和单晶硅制备异质结太阳电池。属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明的特点是利用纳米晶-非晶两相硅薄膜和P型体硅制造硅基异质结太阳电池。纳米晶-非晶两相硅的带隙高于体硅的带隙(1.12eV),所以异质结的开路电压得到提高,另一方面,纳米晶-非晶两相硅的带隙从1.3eV变化到1.8eV,由于带隙是渐变的,p型体硅和纳米晶-非晶两相硅之间的能带缓慢变化硅基薄膜层利用了较厚本征纳米晶-非晶两相硅和极薄的n型纳米晶-非晶两相硅的组合,进一步降低了电子-空穴在纳米晶-非晶两相硅层中的复合概率,从而提高短路电流。
- 一种异质结太阳电池及其制备方法
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