专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]形成垂直场效应晶体管(VFET)器件的方法-CN202011079803.2在审
  • 全辉璨;徐康一;任廷爀 - 三星电子株式会社
  • 2020-10-10 - 2021-04-13 - H01L21/336
  • 提供了形成垂直场效应晶体管(VFET)器件的方法。所述方法可以包括在基板上形成初始VFET。初始VFET可以包括在基板上的底部源极/漏极区域、在底部源极/漏极区域上的沟道区域、在沟道区域上的顶部源极/漏极区域、在沟道区域的侧表面上的图案化的牺牲层、以及绝缘层。顶部源极/漏极区域和图案化的牺牲层可以由绝缘层围绕。所述方法还可以包括:形成延伸穿过绝缘层并暴露图案化的牺牲层的部分的接触开口;通过经由接触开口去除图案化的牺牲层,在沟道区域和绝缘层之间形成空腔;以及在空腔中形成栅电极。
  • 形成垂直场效应晶体管vfet器件方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911270314.2在审
  • 崔承勋;具滋应;金官性;金保延;金完敦;尹普彦;任廷爀;全艺伶 - 三星电子株式会社
  • 2019-12-12 - 2020-08-04 - H01L27/11519
  • 一种半导体器件和制造半导体器件的方法,所述半导体器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域;层间绝缘层,位于所述半导体衬底上,所述层间绝缘层包括:第一开口,所述第一开口在所述第一区域上,并且具有第一宽度;以及第二开口,所述第二开口在所述第二区域上,并且具有第二宽度,所述第二宽度大于所述第一宽度;至少一个第一金属图案,所述至少一个第一金属图案填充所述第一开口;第二金属图案,所述第二金属图案位于所述第二开口中;以及填充图案,所述填充图案在所述第二开口中位于所述第二金属图案上,其中,所述至少一个第一金属图案和所述第二金属图案均包括相同的第一金属材料,所述填充图案由非金属材料形成。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911003483.X在审
  • 李宪福;金大容;金完敦;任廷爀;郑元根;崔孝锡;玄尚镇 - 三星电子株式会社
  • 2019-10-22 - 2020-06-09 - H01L29/417
  • 一种半导体器件包括:有源图案,位于衬底上,所述有源图案在第一方向上延伸;栅电极,位于所述有源图案上,所述栅电极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸,并且包括沿着所述第二方向布置的第一部分和第二部分;第一接触插塞,位于所述栅电极上,所述第一接触插塞连接到所述栅电极的所述第二部分的顶表面;源极/漏极区,位于在所述栅电极的侧壁上的所述有源图案中;以及源极/漏极接触,位于所述源极/漏极区上,所述源极/漏极接触的顶表面的高度高于所述栅电极的所述第一部分的顶表面的高度,并且低于所述栅电极的所述第二部分的所述顶表面的高度。
  • 半导体器件及其制造方法

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