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- [发明专利]半导体装置-CN202210416703.7在审
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李義福;金完敦;金洛焕
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三星电子株式会社
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2022-04-20
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2023-02-03
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H01L23/522
- 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：FEOL层，在基底上，包括多个单独的器件；以及第一金属层、第二金属层和第三金属层，顺序地堆叠在FEOL层上。第二金属层包括层间绝缘层和层间绝缘层中的互连线。互连线包括电连接到第一金属层的下过孔部分、电连接到第三金属层的上过孔部分以及下过孔部分与上过孔部分之间的线部分。互连线的上部的线宽在远离基底的竖直方向上逐渐减小，并且互连线的下部的线宽在远离基底的竖直方向上逐渐增大。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN202210793148.X在审
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李义福;金洛焕;金完敦;卢宣颖;张瀚珉
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三星电子株式会社
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2022-07-05
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2023-01-13
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H01L27/105
- 一种半导体器件，包括：下部结构，包括衬底；第一互连层，在下部结构上沿第一方向延伸并且包括第一金属；第一通路，与第一互连层的上表面的一部分接触并且包括第二金属；第二通路，与第一通路的上表面的至少一部分接触，并且具有比第一通路的最大宽度窄的最大宽度；以及第二互连层，连接到第二通路并在第二方向上延伸。第一互连层具有倾斜侧表面，在第一互连层的倾斜侧表面中第一互连层的宽度朝向第一互连层的上部区域变窄，并且第一通路具有倾斜侧表面，在第一通路的倾斜侧表面中第一通路的宽度朝向第一通路的上部区域变窄。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体装置-CN202110651929.0在审
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金文铉;姜明吉;金完敦
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三星电子株式会社
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2021-06-11
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2022-04-22
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H01L27/092
- 公开了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：基底；有源图案，位于基底的上部中并且在第一方向上延伸；栅电极，与有源图案交叉并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一栅极间隔件，覆盖栅电极的侧表面；第一抑制层，位于栅电极与第一栅极间隔件之间；以及栅极绝缘层，位于栅电极与有源图案之间。栅极绝缘层可以包括高k介电层和栅极氧化物层。栅极氧化物层可以位于高k介电层与有源图案之间。高k介电层可以局部地设置在栅极氧化物层与栅电极之间。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN202110932691.9在审
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李将银;李民妵;金完敦;申铉振;李贤培;林炫锡
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三星电子株式会社
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2021-08-13
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2022-03-11
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H01L27/108
- 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离层，所述元件隔离层限定有源区；多条字线，所述多条字线在第一方向上横贯所述有源区；和多个位线结构，所述多个位线结构位于所述衬底上并且连接到所述有源区，所述多个位线结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述多个位线结构中的每一个位线结构包括：钌线路布线，所述钌线路布线包括底表面和与所述底表面相对的顶表面；下石墨烯层，所述下石墨烯层与所述钌线路布线的所述底表面接触并且沿着所述钌线路布线的所述底表面延伸；以及布线覆盖层，所述布线覆盖层沿着所述钌线路布线的所述顶表面延伸。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体装置-CN202110935286.2在审
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金仅祐;金完敦;李宪福;黄允泰
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三星电子株式会社
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2021-08-16
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2022-03-01
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H01L27/088
- 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，在基底上沿第一方向延伸；栅极结构，沿不同于第一方向的第二方向延伸跨过鳍型有源区；源/漏区，位于栅极结构的一侧上的鳍型有源区中；以及第一接触结构和第二接触结构，分别连接到源/漏区和栅极结构，其中，第一接触结构和第二接触结构中的至少一者包括位于栅极结构和源/漏区中的至少一者上且包含第一结晶金属的种子层以及位于种子层上且包含不同于第一结晶金属的第二结晶金属的接触插塞，并且第二结晶金属在种子层与接触插塞之间的界面处与第一结晶金属基本晶格匹配。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN202110953205.1在审
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裵洙瀯;朴钟昊;李东洙;金完敦
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三星电子株式会社
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2021-08-19
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2022-02-22
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H01L27/088
- 一种半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案，设置在衬底上；场绝缘膜，设置在第一有源图案和第二有源图案之间；与第一有源图案交叉的第一栅极结构；以及与第二有源图案交叉的第二栅极结构，其中第一栅极结构包括在第一有源图案上的第一栅极绝缘膜、在第一栅极绝缘膜上的第一上插入膜以及在第一上插入膜上的第一上导电膜，第二栅极结构包括在第二有源图案上的第二栅极绝缘膜、在第二栅极绝缘膜上的第二上插入膜以及在第二上插入膜上的第二上导电膜。第一上插入膜和第二上插入膜中的每个可以包括铝氮化物膜。第一上导电膜和第二上导电膜中的每个可以包括铝。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610424289.9有效
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李厚容;金完敦;宋在烈;玄尚镇
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三星电子株式会社
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2016-06-15
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2021-05-18
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H01L29/78
- 一种半导体器件包括穿过衬底的有源图案的栅极结构。所述半导体器件可以包括所述衬底与所述栅电极之间的栅极介电图案。所述栅极结构包括栅电极、所述栅电极上的盖图案以及至少部分地覆盖所述盖图案的一个或多个侧壁的一个或多个低k介电层。所述栅极结构可以包括位于所述栅电极的相对的侧壁处的间隔件以及位于所述盖图案与所述间隔件之间的分离的低k介电层。所述盖图案的宽度可以小于所述栅电极的宽度。所述盖图案具有第一介电常数，并且所述一个或多个低k介电层具有第二介电常数。所述第二介电常数小于所述第一介电常数。所述第二介电常数可以大于或等于1。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN202010971697.2在审
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朴钟昊;宋在烈;金完敦;李炳训;M.哈桑
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三星电子株式会社
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2020-09-16
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2021-03-19
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H01L29/06
- 半导体器件包括：第一和第二有源图案，分别在衬底的第一和第二有源区上；一对第一源极/漏极图案和在其间的第一沟道图案，其中所述一对第一源极/漏极图案在第一有源图案的上部中；一对第二源极/漏极图案和在其间的第二沟道图案，其中所述一对第二源极/漏极图案在第二有源图案的上部中；以及第一和第二栅电极，分别与第一和第二沟道图案交叉。第一和第二栅电极中的每个包括与第一和第二沟道图案中的对应一个相邻的第一金属图案。第一和第二沟道图案包括SiGe。第二沟道图案的Ge浓度高于第一沟道图案的Ge浓度。第二栅电极的第一金属图案的厚度大于第一栅电极的第一金属图案的厚度。
- 半导体器件
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