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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310339574.7无效
发明人：周明杰;黄辉;冯小明;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极，阴极包括层叠于电子注入层表面的三元掺杂层及层叠于三元掺杂层表面的金属掺杂层；三元掺杂层的材料包括铼的氧化物、掺杂在铼的氧化物中的钝化材料及酞菁化合物，钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种；金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在低功函数金属中的高功函数金属，低功函数金属的功函数为-2.0eV～-3.5eV，高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN202011169638.X在审
发明人：李欣怡;洪正隆;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了用于调整半导体器件中的栅极电极的有效功函数的方法以及由该方法形成的半导体器件。在实施例中，一种半导体器件，包括：沟道区域，在半导体衬底之上；栅极电介质层，在沟道区域之上；以及栅极电极，在栅极电介质层之上，该栅极电极包括：第一功函数金属层，在栅极电介质层之上，该第一功函数金属层包括铝(Al)；第一功函数调整层，在第一功函数金属层之上，该第一功函数调整层包括铝钨(AlW)；以及填充材料，在第一功函数调整层之上。
半导体器件方法

[发明专利]金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法-CN201410279864.1在审
发明人：徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法。所述金属栅极功函数层的制备方法包括沉积功函数层；在含N气氛下对所述功函数层进行退火，以在所述功函数层的表面形成氮化物层。本发明为了解决目前功函数层容易被氧化的问题，提供了一种新的制备方法，在所述方法中在沉积功函数层之后在含N气氛下进行退火来代替常规的Ar气氛下进行的退火，通过所述方法可以使功函数层的表面氮化，从而形成一层氮化物层，防止所述功函数层在退火以及工艺等待过程中被氧化，避免了功函数层功函的漂移，同时还可以使制备得到的功函数层更加致密，以提高器件的性能和良率。
金属栅极函数制备方法半导体器件

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310567473.5在审
发明人：周明杰;冯小明;张娟娟;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括导电阳极基底、阴极、层叠设置于导电阳极基底的阳极层及阴极之间的至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层，电荷生成层包括依次层叠的低功函数金属层、第一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层及高功函数金属层，低功函数金属层的材料为功函数为3.0～4.4eV的金属，高功函数金属层的材料为功函数为5.0eV～7.0的金属，第一半导体氧化物层的材料为功函数为4.4eV～4.7eV的金属氧化物，第二半导体氧化物层的材料为功函数为4.47eV～5.0eV的金属氧化物。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201210475974.6有效
发明人：鲍宇;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明的半导体器件，包括栅极结构，所述栅极结构中包括功函数金属层，其中，所述功函数金属层的中间区域与边缘区域的厚度不同。这一半导体器件，由于功函数金属层的中心区域和边缘区域厚度不同，可以起到调节栅极的功函数的作用，在一定程度上减小了半导体器件的短沟道效应。本发明的半导体器件的制造方法包括形成栅极的功函数金属层的步骤，其形成的功函数金属层的中间区域与边缘区域的厚度不同。该半导体器件的制造方法，通过将功函数金属层的中心区域和边缘区域设置为不同厚度，调节了栅极的功函数，减小了制造的半导体器件的短沟道效应。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810654945.3在审
发明人：李东洙;郑元根;罗勋奏;裵洙瀯;宋在烈;李钟汉;丁炯硕;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：第一晶体管和第二晶体管的每个包括竖直地堆叠在基板上且彼此竖直地间隔开的多个半导体图案以及填充半导体图案之间和所述基板与所述多个半导体图案中的最下面的半导体图案之间的空间的栅极电介质图案和功函数图案。第一晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层，第二晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层和第二功函数金属层，第一晶体管和第二晶体管中的每个的第一功函数金属层具有比第二功函数金属层的功函数大的功函数，并且第一晶体管具有比第二晶体管的阈值电压小的阈值电压
晶体管功函数金属层功函数半导体图案基板半导体器件图案阈值电压竖直栅极电介质堆叠填充制造

[发明专利]P型半导体器件及其制造方法-CN201911133329.4在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型半导体器件，栅极结构包括依次叠加的栅介质层和金属栅，在栅介质层和所述金属栅之间具有由TiN层组成的P型功函数层。P型功函数层具有功函数调节结构，功函数调节结构是由对TiN层进行表面处理形成。P型功函数层的功函数通过功函数调节结构调节。P型半导体器件的阈值电压由P型功函数层的功函数确定并由功函数调节结构调节。本发明能在厚度参数之外调节TiN层组成的P型功函数层的功函数并从而调节器件的阈值电压，从而能使P型功函数层的功函数调节不受到厚度的限制，有利于在等比例缩小的器件的应用。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210228598.0有效
发明人：韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-07-02 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双功函数金属栅的CMOS晶体管的制造方法，其中，在不同MOS区域，形成不同厚度的栅极材料，然后，将金属铝作为调节功函数的金属引入，通过退火工艺，利用Al停留在栅极层可以获得较低功函数、进入栅绝缘层可以获得较高功函数的特点，实现了CMOS晶体管的双功函数金属栅，简化了双功函数晶体管的集成工艺。
半导体器件制造方法

[发明专利]金属栅晶体管的制造方法-CN202210713425.1在审
发明人：张鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅晶体管的制造方法，包括：步骤一、提供形成有金属栅的底部阻障层的半导体衬底，定义出第一区域和第二区域并在第一区域中形成第一薄膜，第一薄膜选用能抑制后续第一功函数金属层生长的材料。步骤二、进行第一功函数金属层的生长，利用第一薄膜具有抑制所述第一功函数金属层的生长的特性，使第一功函数金属层仅在第二区域中进行生长。步骤三、去除第一区域的所述第一薄膜。本发明能实现功函数金属层的选择性生长，能避免功函数金属层的刻蚀工艺对底部阻障层产生损伤或对功函数金属层本身产生侧向刻蚀作用，从而能提高器件的可靠性和防止器件的阈值电压产生漂移。
金属晶体管制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310407721.X在审
发明人：库尔班·阿吾提 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，先在所述半导体衬底上形成N型功函数金属层，然后在所述NMOS区上形成第二图案化掩膜层，以所述第二图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述PMOS区上的N型功函数金属层，随后在所述半导体衬底上形成栅极金属层，避免N型功函数金属层扩散到P型功函数金属层中影响其功函数值，从而防止PMOS的阈值电压Vt变高，因此提高了半导体器件的可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种新型金属栅的结构及其制造方法-CN202110718743.2在审
发明人：麻尉蔚;徐晓林;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型金属栅的结构及其制造方法。PMOS具有第一栅极结构，NMOS具有第二栅极结构；第一栅极结构包括第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层、第二金属层、第三阻挡层和金属栅；第二栅极结构包括第一阻挡层、第二阻挡层、第二金属层、第三阻挡层和金属栅；第一栅极结构的第一金属层作为PMOS的第一功函数层；第二栅极结构的第二金属层作为NMOS的第二功函数层；第一功函数层和第二功函数层被第二阻挡层分隔开。本发明通过第二阻挡层分隔开第一功函数层和第二功函数层，从而隔离金属栅以及NMOS的第二金属层对PMOS的第一金属层的影响，进而提高了PMOS阀值电压(Vt)面内均匀性，提高良率。
一种新型金属结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110473591.4在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：第一沟道区域；第二沟道区域；以及包围所述第一沟道区域和所述第二沟道区域的栅极结构，所述栅极结构包括：栅极电介质层；位于所述栅极电介质层上的第一p型功函数金属，所述第一p型功函数金属包括氟和铝；位于所述第一p型功函数金属上的第二p型功函数金属，所述第二p型功函数金属的氟浓度和铝浓度低于所述第一p型功函数金属的氟浓度和铝浓度；以及位于所述第二p型功函数金属上的填充层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910152043.4有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，阱区和漂移区交界处的基底上形成有初始金属栅结构，初始金属栅结构包括初始功函数层，初始金属栅结构一侧的阱区内形成有源区，初始金属栅结构另一侧的漂移区内形成有漏区；去除位于漂移区基底上靠近漏区一侧部分宽度的初始金属栅结构，形成开口，剩余初始金属栅结构作为金属栅结构，剩余初始功函数层作为功函数层；对开口露出的功函数层进行离子掺杂处理，当形成NMOS晶体管时，离子掺杂处理用于增大靠近漏区一侧功函数层的功函数，当形成PMOS晶体管时，离子掺杂处理用于减小靠近漏区一侧功函数层的功函数；形成填充开口的隔离结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]晶体管栅极结构及其形成方法-CN202110539991.0在审
发明人：李欣怡;林加明;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构；包围第一纳米结构和第二纳米结构的栅极电介质，栅极电介质包含电介质材料；以及栅极电极，栅极电极包括：在栅极电介质上的功函数调谐层，功函数调谐层包含纯功函数金属，功函数调谐层的纯功函数金属和栅极电介质的电介质材料将第一纳米结构与第二纳米结构之间的区域完全填充，纯功函数金属具有大于95％原子百分比的金属的成分；以及在功函数调谐层上的填充层。
晶体管栅极结构及其形成方法

[发明专利]功函数层的制作方法、金属栅极及具有其的半导体器件-CN202211037095.5在审
发明人：吴左生 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种功函数层的制作方法、金属栅极及具有其的半导体器件。该方法包括：提供设置有绝缘介质层的衬底，绝缘介质层中有间隔的第一类型栅沟槽和第二类型栅沟槽，第一类型栅沟槽和第二类型栅沟槽的底部有高k栅介质层；形成金属层，金属层至少覆盖第一类型栅沟槽和第二类型栅沟槽的侧壁及高k栅介质层；采用非金属材料与金属层反应形成至少覆盖第一类型栅沟槽的侧壁和高k栅介质层的第一功函数层；采用第一金属与功函数值大于第一金属的金属层反应形成功函数值小于第一功函数层，且至少覆盖第二类型栅沟槽的侧壁和高k栅介质层的第二功函数层。上述方法增大了金属功函数的可调范围，提升了金属功函数制程工艺的适用性。
函数制作方法金属栅极具有半导体器件

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