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[发明专利]在薄膜太阳能电池与碳基透明电极之间的欧姆接触-CN201280026299.7无效
发明人： B·切恩德拉;A·J·洪;J·吉姆;D·K·萨达纳;G·S·土尔艾瓦斯盖 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：光伏设备和方法包括具有N掺杂层（112）、P掺杂层（108）和本征层（110）的光伏栈。透明电极形成在光伏栈上并且包括碳基层（105）和高功函数金属层（107）。高功函数金属层被布置在碳基层与P掺杂层之间的分界面处以使得高功函数金属层形成降低的势垒接触并且是光透射的。
薄膜太阳能电池透明电极之间欧姆接触

[发明专利]具有金属栅极结构的半导体元件的功函数调整方法-CN201510584677.9有效
发明人：张云慈;周仕旻;赖国智;张净云;颜湘婕;陈彦臻;吕泱儒;何念葶;许启茂 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种具有金属栅极结构的半导体元件的功函数调整方法，包括下列步骤。在基底上提供具有相同结构的第一堆叠栅极结构与第二堆叠栅极结构。第一堆叠栅极结构与第二堆叠栅极结构分别包括第一型的第一功函数金属层。形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层暴露出第一堆叠栅极结构的第一功函数金属层且覆盖第二堆叠栅极结构的第一功函数金属层。对图案化硬掩模层所暴露出的第一堆叠栅极结构的第一功函数金属层进行第一气体处理。第一气体处理所使用的气体包括含氮气体或含氧气体。上述半导体元件的功函数调整方法可通过简易的制作工艺来进行。
具有金属栅极结构半导体元件函数调整方法

[发明专利]制造金属栅极的方法-CN201380021611.8有效
发明人：吕新亮;赛沙德利·甘古利;阿蒂夫·努里;梅特伊·马哈贾尼;陈世忠;雷雨;傅新宇;唐薇;斯里尼瓦斯·甘迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。
制造金属栅极方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法-CN201110174511.1有效
发明人：廖柏瑞;蔡宗龙;林建廷;徐韶华;王彦鹏;林俊贤;杨建伦;黄光耀;陈信琦;施宏霖;廖俊雄;梁佳文 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，首先提供一表面形成有一第一晶体管与一第二晶体管的基底，且该第一晶体管内形成有一第一栅极沟槽。接下来依序于该第一栅极沟槽内形成一第一功函数金属层与一牺牲掩模层、随后移除部分该牺牲掩模层以暴露出部分该第一功函数金属层。之后，移除暴露的部分该第一功函数金属层，以于该第一栅极沟槽内形成一U形功函数金属层。而在形成该U形功函数金属层之后，移除该牺牲掩模层。
具有金属栅极半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110279223.6在审
发明人：苏博;亚伯拉罕·庾;吴汉洙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底，位于所述衬底上的层间介质层，覆盖所述层间介质层的栅介质层，以及覆盖所述栅介质层的功函数层，覆盖所述衬底和所述功函数层的金属栅极层；刻蚀所述金属栅极层和所述功函数层，形成第一凹槽，所述第一凹槽露出所述栅介质层的顶部；在所述第一凹槽和所述栅介质层上方形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一开口，所述第一开口露出所述金属栅极层和所述功函数层，并进行离子注入工艺；去除所述第一开口露出的所述金属栅极层和所述功函数层；去除所述第一掩膜层和所述栅介质层，并露出所述衬底。
半导体结构形成方法

[发明专利]用于中间隙半导体设备的金属栅极结构及其制造方法-CN201310547473.9有效
发明人：金勳;崔起植 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于中间隙半导体设备的金属栅极结构及其制造方法，一种基于PFET的半导体栅极结构，其提供用于控制定限电压的中间隙功函数(在NFET与PFET的功函数之间)，建立该中间隙功函数是藉由包含退火相对厚TiN层以支配以及使整体功函数向下移离开PFET的功函数。该结构有覆盖高介电常数电介质的PFET基底、一层退火TiN、一层未退火TiN、在该未退火TiN上面的薄阻障层以及在该薄阻障层上面的n型金属。
用于间隙半导体设备金属栅极结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201010215854.3有效
发明人：韩锴;王文武;王晓磊;马雪丽;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、栅介质层和金属功函数层；在所述金属功函数层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成金属吸氧层；对所述器件进行热退火处理，以使所述金属吸氧层吸除界面层中的氧，使界面层的厚度减小并且使所述扩散阻挡层阻止金属吸氧层中的吸氧金属扩散到所述金属功函数层中。通过本发明能够在减小界面层厚度的同时，阻止吸氧金属扩散进入功函数层和/或栅介质层，从而在不影响器件的阈值电压的前提下减少等效氧化层的厚度。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]具有氮化硼合金接触层的III族氮化物半导体器件及其制造方法-CN201880067455.1有效
发明人：孙海定;李晓航 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种用于形成III族氮化物半导体器件的方法，所述方法包括确定第一III族氮化物接触层和第一金属接触的功函数。第一III族氮化物接触层的功函数是基于第一III族氮化物接触层的III族元素确定的。基于所确定的第一III族氮化物接触层的功函数和第一金属接触的功函数，确定应该调节的第一III族氮化物接触层的功函数。形成III族氮化物半导体器件包括：与第二III族氮化物接触层相邻的第一III族氮化物接触层、布置在第一III族氮化物接触层上的第一金属接触、以及布置在第二III族氮化物接触层上的第二金属接触。所形成的III族氮化物半导体器件的第一III族氮化物接触层是具有一定量的硼的氮化硼合金，以相对于基于第一III族氮化物接触层的III族元素确定的第一金属层的功函数来调节第一III族氮化物接触层的功函数。
具有氮化合金接触 iii 氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]金属栅极、半导体器件及其制造方法-CN201711107856.9在审
发明人：邓浩;徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供一种金属栅极、半导体器件及其制造方法，所述金属栅极包括功函数层，所述功函数层的上表面和/或下表面上形成有掺杂硅和/或锗的功函数保护层，硅和/或锗的掺入能够形成非晶结构，能够将原本纯的基材中沿垂直方向生长的柱状晶结构细化，并演变为等轴晶或者无明显晶粒边界的结构，致密性显著提高，在用于PMOS晶体管时可以阻挡外界的铝原子等向所述功函数层中扩散，在用于NMOS晶体管时可以阻挡所述功函数层中的铝原子等向外界扩散，从而能够改善铝等扩散对金属栅极的功函数的影响
功函数层金属栅极半导体器件功函数铝原子扩散阻挡柱状晶结构电学性能非晶结构晶粒边界保护层掺杂硅等轴晶上表面下表面致密性掺入基材细化制造生长

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010285550.8有效
发明人：李洋;蔡巧明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括阱区，所述阱区中形成有第二漂移区以及位于所述第二漂移区中的第三隔离结构；栅极结构，位于所述隔离结构之间的半导体衬底上，所述栅极结构包括依次位于半导体衬底上的栅介电层、阻挡层、栅极以及位于所述栅介电层、所述阻挡层和所述栅极两侧的侧墙，所述栅极包括沿沟道宽度方向交替排布的多晶硅层以及第一功函数金属层和沿沟道长度方向排布的第二功函数金属层，所述第一功函数金属层的类型与所述阱区的类型相反所述第一功函数金属层可以降低栅极阈值电压；所述第二功函数金属层可以弱化双峰效应。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]集成电路装置-CN202011437524.9在审
发明人：莫如娜·阿比里杰斯·柯德博;方子韦;林耕竹;曹学文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路装置包括在基板上方的多个第一半导体层、第一栅极介电层和第一栅极电极。第一栅极电极包括第一填充金属层和设置在第一栅极介电层与第一填充金属层之间的功函数金属层。集成电路装置还包括在基板上方的多个第二半导体层、第二栅极介电层和第二栅极电极。第二栅极电极包括直接接触第二栅极介电层的第二填充金属层。第二填充金属层的顶表面在第二多个半导体层的最顶层上方延伸。半导体层的材料具有中间能隙。功函数金属层的功函数低于中间能隙。填充金属层的功函数高于中间能隙。
集成电路装置

[发明专利]PMOS和NMOS的集成结构及其制造方法-CN202010242676.7有效
发明人：杨名;黄志森;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS和NMOS的集成结构，PMOS具有第一栅极结构，NMOS具有第二栅极结构；第一栅极结构包括栅介质层、第一功函数层和金属栅；第二栅极结构包括栅介质层、第二功函数层和金属栅；第一功函数层由第一镍层组成；第二功函数层由镍钽合金层组成，镍钽合金层由第一镍层和形成于第一镍层表面的第二钽层在热退火处理作用下金属互相扩散形成。本发明不需要对第一功函数层进行刻蚀，能减少对栅介质层的破坏，提高制程工艺窗口，还能降低工艺复杂性。
pmos nmos 集成结构及其制造方法

[发明专利]具有功函数金属的半导体器件-CN201610019041.4有效
发明人：金柱然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了具有功函数金属的半导体器件。在所述半导体器件中，第一活性区、第二活性区和第三活性区形成在基底上。第一栅电极形成在第一活性区上，第二栅电极形成在第二活性区上，第三栅电极形成在第三活性区上。第一栅电极具有第一P功函数金属层、第一覆盖层、第一阻挡金属层和第一导电层。第二栅电极具有第二覆盖层、第二N功函数金属层、第二阻挡金属层和第二导电层。第三栅电极具有第二P功函数金属层、第三覆盖层、第三N功函数金属层和第三阻挡金属层。第三栅电极不具有第一导电层和第二导电层。
有功函数金属半导体器件

[发明专利]具有功函数金属的半导体器件-CN201710805103.9有效
发明人：金柱然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：提供了具有功函数金属的半导体器件。在所述半导体器件中，第一活性区、第二活性区和第三活性区形成在基底上。第一栅电极形成在第一活性区上，第二栅电极形成在第二活性区上，第三栅电极形成在第三活性区上。第一栅电极具有第一P功函数金属层、第一覆盖层、第一阻挡金属层和第一导电层。第二栅电极具有第二覆盖层、第二N功函数金属层、第二阻挡金属层和第二导电层。第三栅电极具有第二P功函数金属层、第三覆盖层、第三N功函数金属层和第三阻挡金属层。第三栅电极不具有第一导电层和第二导电层。
有功函数金属半导体器件

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010607648.0在审
发明人：程仲良;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：形成n型功函数层于第一区中的基板上，但不形成n型功函数层于第二区中的基板上。形成p型功函数层于第一区中的n型功函数层与第二区中的基板上。p型功函数层直接接触第二区中的基板。p型功函数层包括金属氧化物。
半导体装置形成方法