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[发明专利]一种显影洗边设备和显影洗边方法-CN202010000504.9有效
发明人：程志;申文帅;于军洋;张新波;陈建宇;高志虎 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种显影洗边设备和显影洗边方法，显影洗边设备包括显影液喷洒部和冲洗部；冲洗部内的冲洗喷头安装在晶圆面上方的移动架体上，并可随移动架体一起沿晶圆径向往复移动；显影洗边设备还包括能够喷洒洗边用溶液的洗边部，所述洗边部的洗边喷头设置在所述晶圆面的上方，并能够在设定洗边起始位置与晶圆边缘之间往复移动。使用本发明显影洗边设备和显影洗边方法中可以将显影与洗边工序合二为一，简化了工序步骤，在洗边的过程中其通过将洗边用溶液喷涂在旋转的晶圆边缘从而在显影过程中直接进行光刻胶及有害残留物的清洗，不仅去边能力强，去胶效果佳，而且能够在曝光冲洗后甩干晶圆的同时进行洗边，节省工艺时间，提高了生产效率。
一种显影设备方法

[发明专利]一种套刻对准标记结构及相关方法和器件-CN202111347473.5有效
发明人：方超;高志虎 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种套刻对准标记结构及其制作方法、套刻精度测量方法及半导体器件，包括：基底；位于基底一侧表面的实体参考标记；以及，覆盖实体参考标记背离基底一侧的薄膜覆盖层，薄膜覆盖层背离基底一侧包括凹槽测量标记，实体参考标记与凹槽测量标记组合为套刻对准标记；凹槽测量标记与实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且在交叠区域裸露实体参考标记的至少一侧边。由于凹槽测量标记与实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且交叠区域裸露实体参考标记的至少一侧边，能够通过CDSEM测量机台获取更为清晰且精确的实体参考标记和凹槽测量标记在交叠区域处的形貌，进而对该清晰且精确的形貌进行套刻精度测量，能够保证套刻精度的测量误差小。
一种对准标记结构相关方法器件

[发明专利]一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版-CN202210774574.9在审
发明人：朱宏斌;高志虎 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版；其中，所述三维存储器包括：衬底；位于衬底上的堆叠结构，堆叠结构包括沿衬底平面方向上间隔排布的若干存储单元区，所述存储单元区在平行于所述方向的第一方向上的端部为栅极连接端；填充材料层，填充在堆叠结构的至少一部分之上以及存储单元区之间的衬底之上；其中，沿平行于衬底平面方向的第二方向上的相邻两存储单元区之间具有第一间距，第二方向垂直于第一方向；沿第一方向上的相邻两存储单元区之间具有第二间距；第一间距小于等于第二间距。
一种三维存储器及其制备方法光刻掩膜版

[发明专利]一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版-CN201911261873.7有效
发明人：朱宏斌;高志虎 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版；其中，所述三维存储器包括：衬底；位于衬底上的堆叠结构，堆叠结构包括沿衬底平面方向上间隔排布的若干存储单元区，所述存储单元区在平行于所述方向的第一方向上的端部为栅极连接端；填充材料层，填充在堆叠结构的至少一部分之上以及存储单元区之间的衬底之上；其中，沿平行于衬底平面方向的第二方向上的相邻两存储单元区之间具有第一间距，第二方向垂直于第一方向；沿第一方向上的相邻两存储单元区之间具有第二间距；第一间距小于等于第二间距。
一种三维存储器及其制备方法光刻掩膜版

[实用新型]一种脱扣机构的改良结构-CN202121141218.0有效
发明人： 高志虎 -专利权人：乐清市嘉隆电气有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01H71/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脱扣机构的改良结构，属于断路器技术领域，其包括第一机构侧板和第二机构侧板，所述第二机构侧板设有用于固定脱扣器的卡接板和安装板，所述脱扣器下端设有复位板，所述卡接板相对第二机构侧板朝向远离第一机构侧板该侧折弯，复位板相对第二机构侧板向下折弯呈折弯结构，将卡接板向第二机构侧板下部弯折，并开有第一安装槽，复位板向下折弯，此时卡接板、复位板和安装板三者所处的位置相对向下，再将脱扣器左右两端安装至卡接板和安装板上，进一步实现了降低脱扣器的安装高度，使得脱扣机构安装便捷，且体积小的优点。
一种机构改良结构

[发明专利]一种套刻对准标记结构及相关方法和器件-CN202010472791.3有效
发明人：方超;高志虎 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种套刻对准标记结构及其制作方法、套刻精度测量方法及半导体器件，包括基底；位于基底一侧表面的实体参考标记；覆盖实体参考标记背离基底一侧的薄膜覆盖层，薄膜覆盖层背离基底一侧包括凹槽测量标记，实体参考标记与凹槽测量标记组合为套刻对准标记；凹槽测量标记与实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且在交叠区域裸露实体参考标记的至少一侧边。由于凹槽测量标记与实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且在交叠区域裸露实体参考标记的至少一侧边，通过CDSEM测量机台获取更为清晰且精确的实体参考标记和凹槽测量标记在交叠区域处的形貌，进而对该清晰且精确的形貌进行套刻精度的测量，能够保证套刻精度的测量误差小。
一种对准标记结构相关方法器件

[发明专利]新的肺特异性转移肝癌细胞及其制备-CN201710100755.2有效
发明人：王慧;李晓光;高志虎 -专利权人：中国科学院上海营养与健康研究所
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C12N5/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种肺特异性转移肝癌细胞3B‑LM，具体地，所述细胞3B‑LM是中国典型培养物保藏中心的保藏号为CCTCC NO：C2016173的HEP‑3B器官特异性转移细胞系LM。
特异性转移肝癌细胞及其制备

[发明专利]新的骨特异性转移肝癌细胞及其制备-CN201710099943.8有效
发明人：王慧;李晓光;高志虎 -专利权人：中国科学院上海营养与健康研究所
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C12N5/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种骨特异性转移肝癌细胞3B‑BM，具体地，所述细胞3B‑BM是中国典型培养物保藏中心的保藏号为CCTCC NO：C2016174的HEP‑3B器官特异性转移细胞系BM。
特异性转移肝癌细胞及其制备

[发明专利]用于在半导体制造中定位图案的标记-CN202010361086.6有效
发明人：张豆豆;邱瑾玉;宋之洋;何骏;高志虎;冯耀斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了半导体制造方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成标记的方法，所述标记用于在半导体制造中定位图案。将晶片划分成多个画面。所述多个画面中的每一个画面包括半导体芯片管芯。随后在所述多个画面中的四个相邻画面的四个角处分别图案化锁定角标记的四个四分之一。所述锁定角标记的每一个四分之一与所述锁定角标记的相邻四分之一对称并且与所述锁定角标记的所述相邻四分之一分开标称上相同的距离。将所述锁定角标记设定为用于在半导体制造中定位所述四个相邻画面中的至少一个画面中的图案的原点。
用于半导体制造定位图案标记

[发明专利]晶圆承载装置-CN202010002190.6有效
发明人：陈建宇;申文帅;程志;张新波;于军洋;高志虎 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种晶圆承载装置，包括：承载本体，在对晶圆进行光刻工艺处理过程中，所述晶圆设置在所述承载本体上；限位部件，在对所述晶圆进行光刻工艺处理过程中，通过所述限位部件限制所述晶圆在所述承载本体上的移动；所述限位部件包括：第一部分及第二部分；其中，所述第一部分设置在所述承载本体的上表面上，且所述第一部分中靠近晶圆的侧面与所述承载本体的上表面垂直；所述第二部分设置在所述第一部位上，且所述第二部分中靠近晶圆的侧面与所述第一部分中靠近晶圆的侧面之间的角度大于90度且小于180度。如此，能够很好地满足在对晶圆进行光刻工艺处理过程中的实际承载要求。
承载装置

[发明专利]一种标记的处理方法、套刻精度的量测方法以及标记-CN201910113810.0有效
发明人：郭芳芳;万浩;陆聪;李伟;高志虎;冯耀斌;卢绍祥 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种标记的处理方法、套刻精度的量测方法、三维存储器的制备方法、标记以及三维存储器，所述标记的处理方法包括以下步骤：提供基底结构，执行第一次光刻工艺，在所述基底结构的上表面形成第一标记，在所述基底结构的上表面具有围绕在所述第一标记四周的顶层结构层；从所述基底结构的上表面向下去除一定厚度的所述顶层结构层，以使所述第一标记与所述顶层结构层具有第一高度差。
一种标记处理方法精度以及

[发明专利]三维存储器曝光系统中套刻偏差的补偿装置及方法-CN201910302724.4有效
发明人：李伟;陆聪;万浩;郭芳芳;高志虎;冯耀斌;卢绍祥 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器曝光系统中套刻偏差的补偿方法，该方法包括：获取已曝光的晶圆的裸晶中不同区域的套刻偏差值，根据各区域及对应的套刻偏差值建立区域套刻偏差模型；根据所述区域套刻偏差模型补偿光罩图案；根据经补偿的光罩图案对待曝光的晶圆的裸晶进行曝光。与现有技术相比，本发明提供一种套刻补偿方法及三维存储器，根据大量的扫描电镜切片数据建立起局部应力引起套刻偏差的规律性的区域套刻偏差模型，根据该模型对当前层的光罩图案进行补偿，从而降低裸晶整体范围内的套刻偏差，解决因套刻偏差引起的良率损失问题。
三维存储器曝光系统中套偏差补偿装置方法

[发明专利]一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版-CN201911259258.2有效
发明人：朱宏斌;高志虎 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种三维存储器及其制备方法、一种光刻掩膜版；其中，所述三维存储器包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿所述衬底平面方向上间隔排布的若干存储单元区；填充在至少两相邻存储单元区之间的填充材料层；其中，所述堆叠结构还包括分布在所述存储单元区之间的应力缓冲区，所述填充材料层在所述至少两相邻存储单元区之间被所述应力缓冲区间隔。
一种三维存储器及其制备方法光刻掩膜版

[发明专利]用于在半导体制造中定位图案的标记-CN201980000333.5有效
发明人：张豆豆;邱瑾玉;宋之洋;何骏;高志虎;冯耀斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了半导体制造方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成标记的方法，所述标记用于在半导体制造中定位图案。将晶片划分成多个画面。所述多个画面中的每一个画面包括半导体芯片管芯。随后在所述多个画面中的四个相邻画面的四个角处分别图案化锁定角标记的四个四分之一。所述锁定角标记的每一个四分之一与所述锁定角标记的相邻四分之一对称并且与所述锁定角标记的所述相邻四分之一分开标称上相同的距离。将所述锁定角标记设定为用于在半导体制造中定位所述四个相邻画面中的至少一个画面中的图案的原点。
用于半导体制造定位图案标记

[发明专利]一种测试结构及测试方法-CN201911099814.4在审
发明人： 高志虎 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种测试结构及测试方法，该测试结构包括设置于晶圆切割道上的第一、第二测试焊盘及并联连接于第一、第二测试焊盘之间的第一、第二电路，其中，第一电路包括第一开关元件与第一待测试金属层，第二电路包括第二开关元件与第二待测试金属层，第一、第二待测试金属层位于晶圆的不同层，且当第一开关元件导通时，第二开关元件关断，当第二开关元件导通时，第一开关元件关断。本发明通过改进电路设计，使得位于不同层的第一、第二待测试金属层的电阻测试可以使用同一对测试焊盘实现，也就是用同样的切割道面积可以测两层金属层的电阻，从而节约空间；通过测试焊盘之间的正负电压控制即可实现不同金属层电阻测试的切换，具有量测方便的优点。
一种测试结构方法

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