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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种检测光刻工艺中电荷损伤的方法-CN201310627626.0在审
发明人：沈今楷;李亮;刘春玲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种检测光刻工艺中电荷损伤的方法，包括如下步骤：步骤1，在芯片设计时在芯片或者划片槽中增加检测图形；步骤2，制备相应的光刻版；步骤3，用带有检测图形的光刻版进行光刻工艺，在检测图形区域电荷积聚；步骤4，进行湿法工艺；步骤5，对检测图形进行缺陷检测和光刻工艺电荷损伤的评估。采用本发明方法，可以方便及时有效地评估光刻工艺产生的电荷损伤，及早发现优化光刻工艺条件存在的缺陷，及早发现排除光刻设备的故障，提高芯片成品率和可靠性。
一种检测光刻工艺电荷损伤方法

[发明专利]光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法-CN201910400738.X在审
发明人：柯顺魁 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，包括步骤：步骤一、建立光刻工艺，确定光刻工艺条件。步骤二、采集原始版图数据。步骤三、采用光刻工艺中的曝光后烘烤的上限温度和下限温度范围内，逐渐改变曝光后烘烤的温度并得到和对应的光刻图形，根据光刻图形对原始版图进行OPC修正得到对应OPC修正结果；步骤四、对各OPC修正结果进行比较选取最佳的本发明能实现光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取，在选取的最佳温度下能使整个版图范围内的光刻工艺效果达到最佳。
光刻工艺烘烤曝光光刻图形原始版图光刻工艺条件采集

[发明专利]一种相变存储器光刻工艺优化方法-CN202210276000.9在审
发明人：张家睿;周智全;钟旻;冯高明;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。
一种相变存储器光刻工艺优化方法

[发明专利]一种基于图像的离线的光刻工艺稳定性控制方法-CN202011459019.4有效
发明人：许博闻;时雪龙;燕燕;周涛;李立人 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于图像的离线的光刻工艺稳定性控制方法，其包括训练集和验证集的生成步骤、在进行模型训练之前将空间像和CDSEM图像对齐步骤、遍历N组空间像‑CDSEM图像数据对完成神经网络模型的训练的步骤、以及基于神经网络模型计算出的CDSEM图像反向推导出光刻工艺参数的步骤。本发明代替了使用散射仪和专门设计的光栅图样，从散射轮廓曲线来推断实际光刻工艺参数的传统方式，提出离线的空间像到CDSEM图像的方式，完成对光刻工艺参数的推导，缩短了时间周期和器件的使用成本，实现了离线的光刻工艺稳定性的控制
一种基于图像离线光刻工艺稳定性控制方法

[发明专利]制作兼容多线宽节点的高阻器件的光刻工艺方法-CN202211009604.3在审
发明人：董献国 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作兼容多线宽节点的高阻器件的光刻工艺方法，包括：步骤一、设计高阻器件的电阻材料层的厚度和图形结构的线宽并根据线宽设置光刻工艺。通过增加图形结构的线宽来减少不同线宽节点的图形结构的光刻工艺的差异，使光刻工艺兼容多个线宽节点。步骤二、在底层结构上形成电阻材料层。步骤三、进行光刻工艺定义出高阻器件的图形结构。步骤四、对电阻材料层进行刻蚀得到高阻器件的图形结构。本发明能使一套光刻工艺的条件不变化或经过小量变化即可应用于不同线宽节点的高阻器件的制作并保证高阻器件的电学性能满足要求。
制作兼容多线宽节点器件光刻工艺方法

[发明专利]OPC修正方法-CN202211390279.X在审
发明人：柯顺魁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种OPC修正方法，包括：步骤一、在最佳光刻工艺条件下进行OPC建模数据收集建立基准OPC模型。步骤二、在偏离最佳光刻工艺条件下进行OPC建模数据收集建立验证OPC模型。步骤三、采用基准OPC模型对原始版图进行OPC修正得到OPC修正后的版图。采用验证OPC模型对OPC修正后的版图进行图形仿真得到验证仿真图形；判断验证仿真图形是否超出规格，如果超出规格，则重复步骤二进行OPC建模数据补充测量；如果没有超出规格，则验证OPC模型有效。本发明OPC模型能包含光刻工艺的制程参数的变化信息，当光刻工艺的制程参数在最佳光刻工艺附近变化时，依然能保证OPC修正的准确性。
opc 修正方法

[发明专利]外延生长工艺方法-CN201510148323.X在审
发明人：李伟峰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长工艺方法，步骤包括：1)在晶圆衬底上，形成光刻标记；2)生长外延；3)在步骤2)生长的外延上，利用前一次形成的光刻标记做对准，进行光刻工艺，形成新的光刻标记；4)重复步骤2)～3本发明通过将一次EPI工艺分成两次以上的EPI工艺，并在分次的EPI工艺中加入光刻工艺，即一次EPI后做一次光刻标记的工艺，使最后一次EPI后仍能得到较好的光刻标记，从而维持了后续光刻工艺的稳定性和准确性
外延生长工艺方法

[发明专利]一种优化光刻工艺参数的方法-CN201811560902.5有效
发明人：郭奥;袁伟;王鹏飞;李琛 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化光刻工艺参数的方法，包括如下步骤：S01：利用机器学习模型仿真芯片设计版图的最佳焦距，同时测量实际晶圆制造过程中的在线工艺数据；S02：将上述仿真出来的最佳焦距和测量出来的在线工艺数据相结合，对整片晶圆的光刻结果进行预测，得出预测结果，同时测量晶圆光刻之后的实际结果；S03：将所述预测结果和实际结果进行自动验证，若预测结果与实际结果之间的误差小于阈值，保留该预测结果并进入步骤S04；S04：利用上述保留的预测结果对实际光刻工艺进行参数优化。本发明提供的一种优化光刻工艺参数的方法，自动实现整个光刻工艺参数的优化流程，为实现智能化光刻工艺奠定了基础，具有非常重要的应用价值。
一种优化光刻工艺参数方法

[发明专利]监测光刻质量的方法-CN200810044125.9无效
发明人：陈福成;吴鹏;阚欢 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种监测光刻质量的方法，通过以下步骤进行监测：第一步，设置特征图形；在光刻工艺层中设置多个特征图形，所述光刻工艺层包括多种不同的衬底，每种衬底上分别放置有特征图形；两种不同衬底的交界处放置有特征图形；第二步，监测光刻质量；所述多个特征图形同时进行监测，通过比对各特征图形与各特征图形所在处的光刻图案之间的差异情况，监测光刻机台在特定光刻工艺层的曝光焦距和工艺窗口的情况。本发明能够简单、准确、有效地监测光刻机台在特定的工艺光刻工艺层的光刻工艺窗口。
监测光刻质量方法

[发明专利]一种基于砷化镓晶圆电极预置金锡BUMP的制作方法-CN202210077381.8在审
发明人：杜晶;徐健;孙世刚 -专利权人：四川科尔威光电科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于砷化镓晶圆电极预置金锡BUMP的制作方法，包括以下步骤：步骤1、清洗砷化镓晶圆；步骤2、将步骤1所得的产品进行第一次光刻工艺，第一光刻工艺中露出金属电极；步骤3、将步骤2所得的产品进行种子层磁控溅射；步骤4、将步骤3所得的产品进行第二次光刻工艺，第二次光刻工艺中露出金属电极图形区域：步骤5、将步骤4所得的产品进行金锡电沉积工艺；步骤6、将步骤5所得的产品进行第一次去光刻胶处理；步骤7、将步骤6所得的产品进行种子层去除工艺；步骤8、将步骤7所得的产品进行第二次去光刻胶处理；步骤9、清洗步骤8所得产品。
一种基于砷化镓晶圆电极预置 bump 制作方法

[发明专利]光刻胶掩模方法-CN200710177425.X有效
发明人：朴云峰;朴春培 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻胶掩模方法，包括：将敷掩板与基板贴合在一起；在所述敷掩板的敷掩图案上涂敷光刻胶；从基板一侧对所述光刻胶进行烘烤；从基板上移开敷掩板，形成所需的光刻胶图案。本发明通过采用敷掩板的光刻工艺，将现有光刻工艺的涂敷光刻胶、前烘、曝光、显影和后烘五个步骤简化为光刻胶涂敷和后烘二个步骤，最大限度地简化了光刻工艺，缩短了工艺时间，提高了产能，同时节省了设备投资，降低了设备维护
光刻胶掩模方法

[发明专利]一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法-CN201310264809.0有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，包括如下步骤：提供一用于确认光刻工艺窗口的晶圆；设定所述晶圆中的基准芯片；将所述晶圆中的非基准芯片按照光刻能量与焦距的矩阵分布排列；先后对所述基准芯片、所述非基准芯片进行曝光；先后对所述曝光后的基准芯片、所述曝光后的非基准芯片进行缺陷检测；将所述曝光后的基准芯片的缺陷检测结果与所述曝光后的非基准芯片的缺陷检测结果进行比对，以得到确认的光刻工艺窗口；其中，所述基准芯片为确定基准光刻工艺条件的芯片。本发明可以对光刻工艺进行准确的定量分析，得到的光刻工艺窗口确认数据，具有非常好的精确性和容易理解的高可读性。
一种准确定量缺陷检测确认光刻工艺窗口方法

[发明专利]一种制造半导体器件的光刻工艺方法-CN201110455246.4无效
发明人：胡华勇;丁丽华;林益世 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的光刻工艺方法，包括下列步骤：a)在要制作半导体器件的硅片表面涂覆光刻胶；b)对所述硅片实施对准工艺；c)对所述涂覆光刻胶的硅片进行曝光和显影；和d)用含有增塑剂的溶液对所述硅片的表面进行冲洗根据本发明的光刻工艺方法能够降低光刻工艺过程中引起的高线宽粗糙度，保证器件的性能和一致性。
一种制造半导体器件光刻工艺方法

[发明专利]减少光刻工艺中掩模版的加热和/或冷却的影响的方法-CN201680068476.6有效
发明人： N·肯特;M·J·H·吕蒂克霍夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及减少光刻工艺中的掩模版加热和/或冷却的影响的方法，包括步骤：使用系统辨识方法来校准线性时不变掩模版加热模型；使用所述掩模版加热模型和光刻工艺中的输入来预测掩模版的变形；和基于所预测的掩模版的变形来计算和应用光刻工艺中的校正
减少光刻工艺模版热和冷却影响方法

[发明专利]光刻极限应力的确定方法及改善光刻工艺质量的方法-CN202310265959.7有效
发明人：杨尚勇;邱杰振;颜天才 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻极限应力的确定方法及改善光刻工艺质量的方法，属于半导体制造技术领域。光刻极限应力的确定方法包括以下步骤：确定测试图案；提供多个已被执行光刻前工序的晶圆；测量各晶圆的中心到边缘的应力值；将测试图案形成于最小应力值位置和最大应力值位置；测量各晶圆上测试图案位置的聚焦值；将聚焦值与相应的应力值对应起来；找到超出光刻工艺窗口的临界聚焦值，将具有临界聚焦值的晶圆作为目标晶圆，目标晶圆上最大应力值和最小应力值的差值作为光刻工艺的极限应力。在改善光刻工艺质量的方法中，在光刻之前判断晶圆的应力是否超出光刻工艺的极限应力，实现在光刻前对质量进行控制，改善光刻的质量，提高光刻的成品率。
光刻极限应力确定方法改善工艺质量

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