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[发明专利]图形化膜层的方法、形成栅极、MOS晶体管的方法-CN201110139487.8有效
发明人：何其旸;张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种图形化膜层的方法、形成栅极、MOS晶体管的方法，所述图形化膜层的方法包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的牺牲层；在所述基底上形成需要图形化的膜层，所述膜层的上表面与所述图形化的牺牲层的上表面相平；在所述膜层上形成图形层，所述图形层和图形化的牺牲层共同定义出膜层图形化的图形；以所述图形层为掩膜刻蚀所述膜层，形成图形化的膜层；去除所述图形层、图形化的牺牲层。本技术方案以图形层为掩膜刻蚀膜层时即完成了对膜层的图形化，节省了刻蚀膜层的步骤。
图形化膜层方法形成栅极 mos 晶体管

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010026387.3在审
发明人：李强;苏波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成图形材料层；对图形材料层进行多次凹槽形成步骤，依次在图形材料层的多个位置形成凹槽，剩余的图形材料层作为图形层，凹槽形成步骤包括：在图形材料层上形成掩膜层，掩膜层包括第一掩膜层和位于第一掩膜层上的第二掩膜层，第二掩膜层具有开口；以第二掩膜层为掩膜，刻蚀图形材料层，在图形材料层中形成凹槽；位于图形材料层顶面的第一掩膜层作为保护层；去除第二掩膜层；形成图形层后，去除保护层。本发明实施例，形成图形层后，去除保护层，从而图形层顶面与所有的凹槽侧壁交界区域的材料只受到一次损伤，因此凹槽侧壁顶部的倒角较小，有利于优化半导体结构的电学性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]图形化掩膜层及其形成方法、存储器及其形成方法-CN201910496522.8在审
发明人：周震 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图形化掩膜层及其形成方法，一种存储器及其形成方法，所述图形化掩膜层的形成方法包括：形成掩膜材料层；对所述掩膜材料层进行图形化，形成具有若干阵列分布的子掩膜图形的子掩膜层；去除位于所述子掩膜层边缘区域内的子掩膜图形；在剩余的各个所述子掩膜图形侧壁表面形成侧墙，以形成所述图形化掩膜层。上述方法降低了图形化掩膜层的形成难度。
图形化掩膜层及其形成方法存储器

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710091164.X有效
发明人：桥本耕治 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成3层叠层膜并在其上形成作为掩模加工第1层的第1抗蚀剂图形，形成第1膜图形并在去除其后，利用第2抗蚀剂图形部分覆盖第1膜图形；通过蚀刻使露出的第1膜图形变细；去除第2抗蚀剂图形后以部分变细的第1膜图形为掩模加工第2层形成第2膜图形；利用第3抗蚀剂图形部分覆盖第2膜图形；蚀刻去除露出的区域的第1膜图形保留其下面的第2层的部分；去除第3抗蚀剂图形后在第2膜图形和保留的第2层的部分的侧壁部形成侧壁隔离物；形成侧壁隔离物后去除保留的第2层的部分；以第2膜图形和侧壁隔离物为掩模蚀刻第3层形成第3膜图形；形成第3膜图形后去除第2膜图形和侧壁隔离物保留第3膜图形。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110070488.5在审
发明人：崔元钧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括图形材料层；在图形材料层上形成多个沿第一方向延伸且在第二方向相间隔的第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜进行离子掺杂，形成多个间隔的掺杂层，剩余的图形材料层作为图形层；去除第一掩膜层；形成覆盖图形层且露出部分掺杂层的第二掩膜层；去除第二掩膜层露出的掺杂层，形成第一凹槽；去除第二掩膜层；去除图形层，形成第二凹槽。本发明实施例中，图形层上先后形成有第一掩膜层和第二掩膜层，图形层与有机材料层的接触时间较少，第一掩膜层和第二掩膜层中的C不易扩散到图形层中，去除图形层时，图形层不易存在残留，相应的第二凹槽的形貌质量较佳
半导体结构形成方法

[发明专利]掩膜图形、半导体结构及其制备方法-CN202110340696.2在审
发明人：宛强;占康澍;夏军;李森;徐朋辉;刘涛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩膜图形的制备方法，包括：形成由下至上叠置的图形转移层、刻蚀停止层、牺牲层及硬掩膜层；图形化硬掩膜层及牺牲层，以得到牺牲图形，牺牲图形暴露出刻蚀停止层；于牺牲图形的侧壁形成侧墙结构；去除牺牲图形；于侧墙结构之间形成填充层，侧墙结构与填充层的刻蚀选择比大于100；去除侧墙结构，以形成初始掩膜图形；基于初始掩膜图形刻蚀刻蚀停止层及图形转移层，以将初始掩膜图形的图案转移至图形转移层，以得到目标掩膜图形
图形半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种大面积制作纳米图形的方法-CN201510114412.2有效
发明人：许南发;郭明灿;周雅慧;郭文平 -专利权人：山东元旭光电有限公司
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积制作纳米图形的方法包括以下步骤：取一模板;制作掩膜层：在模板上生长一层保护的掩膜层，掩膜层包括SiO2或SiNx;制作纳米图形层：利用电子束蒸发或离子束蒸发，在设有一层掩膜层的模板上镀上一层Ag、Ni或ITO纳米图形层;制作纳米掩膜层：利用纳米图形层保护对掩膜层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，在掩膜层上制得纳米掩膜图形;制作纳米图形：利用纳米图形层和纳米掩膜层保护对模板进行干法或湿法刻蚀，在模板上制作纳米图形;清洗：除去多余的纳米图形层和纳米掩膜层，得到表面具有纳米图形结构和纳米结构图层的模板。采用本发明的方法，可以实现大面积、低成本和工业化的纳米图形制作。
一种大面积制作纳米图形方法

[发明专利]图形化方法-CN201310383321.X有效
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种图形化方法，包括提供基底；在所述基底上由下至上依次形成待刻蚀层、柱体材料层和硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层和柱体材料层，形成图形化的硬掩膜层和柱体；在所述图形化的硬掩膜层和柱体侧壁形成侧墙；去除所述图形化的硬掩膜层和柱体；去除所述图形化的硬掩膜层和柱体后，以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的待刻蚀层。本技术方案提供的图形化方法可以得到尺寸精确的图形化的待刻蚀层。
图形方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210927471.1在审
发明人：刘选军;谢岩 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，通过形成图形化的第一掩膜层于基底上，图形化的第一掩膜层中形成有暴露基底表面的第一开口；填充第二掩膜层于第一开口中；形成图形化的第三掩膜层于图形化的第一掩膜层和第二掩膜层上，图形化的第三掩膜层中形成有同时暴露出部分图形化的第一掩膜层和部分第二掩膜层的第二开口；刻蚀去除第二开口暴露出的图形化的第一掩膜层或第二掩膜层，以形成暴露基底表面的第三开口；填充第四掩膜层于第三开口中；去除图形化的第一掩膜层和第二掩膜层；以第四掩膜层为掩膜图形化基底形成目标图形。本发明的技术方案使得在光刻机限制的条件下实现具有更小尺寸线宽的目标图形，且目标图形具有很好的线宽均匀性和形貌。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置-CN201810097795.0在审
发明人：胡海峰;张明;丁贤林;马伟杰;刘欢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置，该制作方法包括：在基底上形成膜层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶图形，光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，第一光刻胶图形对应待形成的膜层图形，第二光刻胶图形位于第一光刻胶图形的至少相对的两侧，与第一光刻胶图形间隔设置；对待构图的膜层进行湿刻，使得第一光刻胶图形和第二光刻胶图形之间的膜层被刻蚀，第二光刻胶图形下方的膜层从基底上脱离，第一光刻胶图形下方的膜层形成膜层图形采用上述方法形成的膜层图形，能够避免底切问题，从而提高了显示产品良率及性能。
光刻胶图形膜层膜层图形显示基板显示装置掩膜版基底制作光刻胶层间隔设置显示产品刻胶层底切刻蚀良率显影曝光脱离

[发明专利]三维电极图形制作方法-CN201310393450.7有效
发明人：林丙涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种三维电极图形制作方法，包括以下步骤：在基片正面分别制作图形化掩膜层和图形化光刻胶，所述图形化光刻胶形成于所述图形化掩膜层上；蚀刻所述基片形成凹槽结构；腐蚀所述图形化掩膜层；依次沉积电极膜层和保护膜金属图层，所述图形化掩膜层和所述电极膜层材料相同；剥离所述图形化光刻胶以及所述图形化光刻胶上面沉积的电极膜层和保护膜金属图层；腐蚀所述图形化掩膜层得到三维电极图形。上述方法采用剥离工艺实现三维电极图形的制作，无需购置专用的喷涂胶设备，工艺制作过程简单且图形制作精度高。
三维电极图形制作方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202010211618.8在审
发明人：邵克坚;张大明;陈云;刘昭 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括如下步骤：提供待刻蚀材料层；于待刻蚀材料层的表面形成第一掩膜层；得到包括图形化区域的第一图形化掩膜层，图形化区域内包括若干个间隔排布的图形结构；于图形结构的表面、相邻图形结构的间隙底部及第一图形化掩膜层的表面形成侧墙材料层；于侧墙材料层表面形成第二掩膜层；得到第二图形化掩膜层，第二图形化掩膜层包括开口；开口位于图形化区域外侧；基于第二图形化掩膜层对侧墙材料层、第一图形化掩膜层及待刻蚀材料层进行刻蚀；去除第二图形化掩膜层；并继续刻蚀待刻蚀材料层以于待刻蚀材料层内形成第一沟槽及第二沟槽。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备-CN202011435880.7在审
发明人：梁时元;贺晓彬;刘金彪;杨涛;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：该制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成掩膜层；对掩膜层进行图形化，以形成第一掩膜图形；在第一掩膜图形上淀积氧化硅膜层；去除第一掩膜图形及其顶部的氧化硅膜层，从而形成氧化硅图形；贴着氧化硅图形的侧边形成氮化硅膜层，从而形成第二掩膜图形；以第二掩膜图形为掩膜，对半导体衬底进行图形化，以形成所述半导体结构。本公开中，通过氮化硅膜层来补强氧化硅图形，可使氧化硅图形顶部和底部之间的关键尺寸差异最小化，可消除氧化硅图形倾倒或剥落不良。可以最佳化氧化硅图形下方半导体衬底中膜层最终图形的关键尺寸。
半导体结构及其制作方法存储器电子设备

[发明专利]双重图形化膜层的方法-CN201210365182.3有效
发明人：孟晓莹;何其旸;韩秋华;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种双重图形化膜层的方法，双重图形化膜层后形成的图形呈长条状结构，包括：提供基底，所述基底上形成有膜层；在所述膜层上形成具有第一图形的第一掩膜层，所述第一图形在长度方向定义出待形成的相邻两个长条状结构之间的距离；形成填充层，填充所述第一图形之间的空隙，所述填充层为有机材料；在所述填充层上形成具有第二图形的第二掩膜层，所述第二图形在垂直长度方向定义出待形成的两个长条状结构之间的距离；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀所述膜层形成长条状结构采用本发明的双重图形化膜层的方法，提高了器件性能。
双重图形化膜层方法

[发明专利]金属微细结构的制备方法-CN202111406278.5在审
发明人：张永恩 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供一种金属微细结构的制备方法，包括：1)于基底上形成硬掩膜层；2)于硬掩膜层上形成光刻胶图形；3)刻蚀硬掩膜层，以在硬掩膜层中形成凹槽图形，去除光刻胶图形；4)在凹槽图形内和硬掩膜层表面形成金属层；5)对金属层进行平坦化处理，使凹槽图形内的金属层顶面与硬掩膜层顶面齐平，以获得位于凹槽图形内的图形金属层；6)于图形金属层上形成保护图形；7)通过干法刻蚀去除硬掩膜层，并去除保护图形，以获得位于基底上的图形金属层本发明可以有效改善现有金属剥离工艺中的金属图形侧壁及表面容易出现不规则毛刺的问题以及改善金属图形两侧底部容易出现接触不良的问题。
金属微细结构制备方法

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