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[发明专利]掩模版及其制备方法-CN202310109271.X有效
发明人：季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩模版及其制备方法。该掩模版中设置有至少两层相位移层，通过对相位移层进行灵活的组合搭配以形成相位移量不同的多种相位移区，从而满足不同掩模图案对相位移量的需求，提高图形的对比度，并且还有利于规避相邻区域之间出现相位移量的超大跨度的直接变化，进而改善由此引发的“鬼影”的问题。此外，还能够降低OPC修正的难度，有效改善小尺寸、高密度的掩模图案容易受到空间限制而难以进行OPC修正的问题。
模版及其制备方法

[发明专利]衬底回收方法、再生的光掩模基版及光掩模版的制造方法-CN202310819731.8有效
发明人：季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底回收方法、再生的光掩模基版及光掩模版的制造方法，所述衬底回收方法用于对报废的光掩模版进行衬底回收，所述光掩模版包括衬底和形成于所述衬底上的掩模结构，所述衬底回收方法包括：提供一等离子体刻蚀系统；将所述等离子体刻蚀系统设定为等离子体化学刻蚀模式，以去除所述掩模结构且避免损伤所述衬底表面；将所述等离子体刻蚀系统设定为等离子体超级抛光模式，以对所述衬底表面进行抛光。本发明的技术方案能够降低成本且最大程度避免损伤衬底表面，使得光掩模版的品质得到提升，且能多次回收衬底再生使用。
衬底回收方法再生光掩模基版模版制造

[发明专利]衬底的抛光装置、方法以及光掩模基版的制造方法-CN202310819751.5在审
发明人：季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底的抛光装置、方法以及光掩模基版的制造方法，所述衬底的抛光装置包括：离子发生器，用于向衬底表面发射等离子体或离子束；至少一个线圈，设置于所述衬底的外围，所述线圈用于产生平行于所述衬底表面的磁场，以使得所述等离子体或所述离子束在所述磁场的作用下向平行于所述衬底的方向发生偏转。本发明的技术方案使得在抛光过程中避免损伤衬底表面，从而使得明显提高衬底表面的平整度，改善衬底表面的粗糙度。
衬底抛光装置方法以及光掩模基版制造

[发明专利]曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机-CN202310251679.0在审
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括：第一反射式光掩模版，包括第一透光基底和第一反射式掩模图形；第二反射式光掩模版，包括第二透光基底和第二反射式掩模图形；反射装置；曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射出的光线可界定出同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案，以通过组合投影图案在晶圆上实现一次性曝光。本发明可有效提高光刻机的分辨率和对比度，并简化光刻工艺。
曝光成像结构反射式光掩模版投影光刻

[发明专利]用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法-CN202210817896.7有效
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于DUV光刻的光掩模版结构及其制备方法，光掩模版结构包括：第一透光基底，第一透光基底包括相对的第一面和第二面；第一遮光掩模图形，设置于第一透光基底的第一面；第二透光基底，第二透光基底包括相对的第一面和第二面；第二遮光掩模图形，设置于第二透光基底的第一面；第一透光基底与第二透光基底堆叠设置，第一遮光掩模图形与第二遮光掩模图形不重叠，能在曝光系统投影的同一平面上的投影共同形成光掩模版结构所需的光掩模精细图案。基于本发明的光掩模版结构的光刻分辨率得到了较大的提升，晶圆上的图案缺陷得到了显著改善，同时光刻工艺的过程也得到了简化。
用于 duv 光刻模版结构及其制备方法

[发明专利]相移光掩模结构及其制备方法-CN202211614581.9在审
发明人：季明华;黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种相移光掩模结构及其制备方法，制备方法包括：提供一石英基底；通过第一阻挡层图形在石英基底中定义出相移区域；通过离子注入工艺将第一反应离子注入至石英基底的相移区域表层，第一反应离子与石英基底反应形成相移材料层，相移材料层的顶面与石英基底的顶面在同一平面上；去除第一阻挡层图形；通过离子注入工艺制备遮光材料层。本发明通过离子注入方式，可在同一石英基底上实现移相区和遮光区，大大拓展了光掩模的适用范围；通过离子注入反应的方式形成较薄的相移材料层或遮光材料层，可以实现较为理想的衰减和相移，可在晶圆上获得更好的分辨率和对比度，同时大大简化了光掩模的制作工艺。
相移光掩模结构及其制备方法

[发明专利]EUV光掩模基版、EUV光掩模版及其制造方法、衬底回收方法-CN202210594695.5有效
发明人：季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种EUV光掩模基版、EUV光掩模版及其制造方法、基底，利用低成本、热膨胀系数接近于0的有机聚合物衬底，与具有深间隙填充能力、良好的热稳定性以及局部和全局的平面化能力的旋涂碳层(Spin‑on Carbon，SOC)相结合，提供表面缺陷较少且表面更加平坦的衬底，进而能制造更低成本、更少缺陷、更高性能的EUV光掩模版。进一步地，本发明还提供一种衬底回收方法，利用该旋涂碳层做牺牲层，在依次去除吸收层、反射膜堆栈层而暴露出旋涂碳层之后，采用等离子体灰化工艺很容易地去除该旋涂碳层，进而回收有机聚合物衬底，以用于新的EUV光掩模版的制造，进一步降低新的EUV光掩模版的制造成本。
euv 光掩模基版模版及其制造方法衬底回收

[发明专利]EUV光掩模体的缺陷检测方法及系统-CN202210493423.6有效
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种EUV光掩模体的缺陷检测方法及系统,能够在不破坏待测EUV光掩模体(包括EUV掩模坯体或者具有相应图案的EUV光掩模版)的前提下，采用不同波长的极紫外激光对待测EUV光掩模体的至少一个待测位置点进行扫描，得到相应的反射率，通过对这些反射率的分析，得到相应的待测位置点的缺陷信息，包括横向上的分布范围以及深层次内的信息。
euv 光掩模体缺陷检测方法系统

[实用新型]抛光拓展装置及抛光机-CN202222803997.7有效
发明人：林岳明;冯涛;赵志伟;季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及抛光机技术领域，具体涉及一种抛光拓展装置及抛光机，该抛光拓展装置通过设置抛光载体，抛光载体具有抛光表面，抛光表面设有可容纳抛光件的凹槽，在抛光件置于凹槽状态下，凹槽与抛光件相抵接，在抛光件抛光状态下，抛光件的待抛面与抛光平面平齐，以使抛光载体的抛光表面与抛光件的待抛面相靠近；在抛光过程中，抛光载体的抛光表面与抛光件的待抛面同时被抛光，由于抛光载体的抛光表面与抛光件的待抛面相靠近以接近于一个完整的平面，使得抛光件的待抛面边缘不会被过度打磨，防止待抛面边缘弧形发生损伤，保护了抛光件边角，提高了抛光质量。
抛光拓展装置抛光机

[发明专利]用于EUV光刻的反射式光掩模版结构及其制备方法-CN202211615566.6在审
发明人：季明华;黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的反射式光掩模版结构及其制备方法，包括：提供一石英基底；于所述石英基底上沉积反射叠层，于所述反射叠层中形成贯穿槽，以形成吸收图案，所述吸收图案以外的所述反射叠层区域形成反射图案。本发明在石英基底上仅设置反射层而不设置吸收层，通过在反射层中设置贯穿槽显露出底部的石英基底，并直接采用石英基底对13.5纳米波长的曝光光线进行吸收，不需要在反射层上设置吸收层，大大简化了光掩模版的结构和制备工艺，相比于传统结构，本发明可以有效消除吸收层对反射光的影响，提高光刻的分辨率和对比度。
用于 euv 光刻反射式光掩模版结构及其制备方法

[实用新型]光刻设备-CN202222203974.2有效
发明人：林岳明;季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种光刻设备。该光刻设备包括光源模块、反射式掩模版、反射投影模块及工件台；光源模块包括第一光源、第二光源及光源控制组件；第一光源用于输出第一预设波长的极紫外光；第二光源用于输出第二预设波长的深紫外光，所述第二预设波长大于所述第一预设波长；光源控制组件用于控制第一光源及第二光源的工作状态，以输出目标曝光光线；反射式掩模版具有用于在待光刻的晶圆上成像的掩模图案；反射投影模块用于按照预设倍数对掩模图案进行缩小，并反射至工件台；工件台用于承载待光刻的晶圆。该光刻设备能够通过光源控制组件对第一光源及第二光源的工作状态进行控制，无需更换不同的曝光机就可以满足不同光刻过程中对DUV或EUV的需求。
光刻设备

[实用新型]一种真空包装封口用防油污结构-CN202222819165.4有效
发明人：高航;黄早红;程文祥;周实;唐福星 -专利权人：湖北周黑鸭食品工业园有限公司
申请日： 2022-10-22 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： B65B55/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种真空包装封口用防油污结构，涉及真空包装设备用辅助下料结构的技术领域，其包括同轴套设于料斗外侧的吹风环，所述吹风环靠近料斗进料口的一侧与料斗密封固定、靠近料斗出料口的一侧与料斗之间留有间隙，所述吹风环与料斗之间设有连通间隙的通风腔，所述吹风环外周壁上开设有用于供外部空气通入通风腔的通气孔；本申请能够在料斗外侧形成环抱吹气机构，通过高压空气将沾染于料斗外壁上的油污或产品碎渣吹离料斗，有效减少了料斗外壁上的油污或产品碎屑残留。
一种真空包装封口油污结构

[实用新型]掩模版保护装置及掩模结构-CN202222519821.9有效
发明人：林岳明;季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本申请涉及一种掩模版保护装置及掩模结构。本申请提供的掩模版保护装置，包括：保护框，设置于掩模版的至少一侧；以及，保护膜，无胶键合于所述保护框背离所述掩模版的表面，并密封所述保护框的开口。本申请提供的掩模版保护装置，能够避免由于保护膜与保护框采用粘合剂进行粘接而导致掩模版表面雾化的问题，减少掩模版的损耗，避免掩模版受到污染进而损坏其上掩模图案，有利于实现掩模版的重复使用和长期使用。
模版保护装置结构

[发明专利]单晶SiC/Si晶圆基底、异质结构及其制备方法-CN202110619695.1在审
发明人： 黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶SiC/Si晶圆基底、异质结构及其制备方法。所述单晶SiC/Si晶圆基底包括：Si衬底，所述Si衬底上形成有图案化的多个单元区域，多个所述单元区域彼此由间隔区间隔开，并且每一单元区域包括形成于相应的单元区域上的单晶SiC层。所述异质结构包括前述的单晶SiC/Si和GaN层。所述制备方法包括通过退火工艺使所述含碳材料层与凹槽中暴露出的所述Si衬底反应以选择性地生长单晶SiC层。相似地，通过MOCVD外延生长工艺使所述含氮气体和含镓的气相材料在图案化的单晶SiC/Si晶圆基底上反应形成单晶GaN层。所得到的单元区域内的单晶SiC和GaN结构具有高质量和低缺陷密度。
sic si 基底结构及其制备方法

[发明专利]EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法-CN202211075952.0有效
发明人：季明华;董于虎;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩模版及其制造方法，在基底上覆盖具有负热膨胀系数的有机聚合物材料层，并对有机聚合物材料层进行诱导裂纹处理，形成相应的裂纹，进一步在有机聚合物材料层的裂纹中以及表面上覆盖旋涂碳层（Spin‑on Carbon，SOC），使得所述EUV级衬底表面的热膨胀系数小于或等于0.1ppm/℃，进而可以获得低成本、高性能、低缺陷的EUV级衬底、EUV掩模基版、EUV掩摸版。
euv 衬底掩模基版模版及其制造方法

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