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[发明专利]基于无机钙钛矿的多级阻变存储器及制备方法与应用-CN201810297318.9在审
发明人：韩素婷;王燕;周晔;王展鹏;陈锦锐 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于无机钙钛矿的多级阻变存储器及制备方法与应用，其中，多级阻变存储器从下至上依次包括：基底、透明底电极、CsPbBr3钙钛矿阻变层和顶电极。本发明将CsPbBr3钙钛矿薄膜单独作为阻变层，由于CsPbBr3钙钛矿具有良好的光电特性，可以通过吸收不同波段的光来改变材料高阻态电阻值，使得基于CsPbBr3钙钛矿的多级阻变存储器具有多阻态，测试表明其开关比超过
阻变存储器钙钛矿无机钙钛矿阻变层制备钙钛矿薄膜高阻态电阻改变材料光电特性底电极顶电极开关比波段基底阻态应用测试透明吸收

[发明专利]一种二维Ti₃C₂-MXene薄膜材料及其制备方法和在阻变存储器中的应用-CN201910451981.4在审
发明人：马国坤;赵青尧;王浩;蔡恒梅 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维Ti₃C₂‑MXene薄膜材料及其制备方法和在阻变存储器中的应用，属于膜制备以及微电子功能器件技术领域。本发明首次采用新型二维材料MXene来替代传统的阻变材料应用于存储器领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括硬质衬底、底电极、阻变层、顶电极，其中：所述阻变层材料为二维Ti₃C₂‑MXene薄膜材料，所述阻变层的厚度100～450nm，制得的器件在断电时能保持原来的阻态，为非易失性存储器，且该器件连续多次循环后仍能保持稳定，具备循坏耐受性。
制备阻变存储器薄膜材料阻变层二维薄膜耐受性应用非易失性存储器导电基底表面存储器领域多次循环二维材料功能器件一步溶液阻变材料传统的底电极顶电极膜制备衬底成膜硬质阻态微电子断电替代

[发明专利]一种可抑制串扰电流的三端阻变存储器及其制备方法-CN202011471922.2有效
发明人：尹奎波;李京仓;熊雨薇;孙立涛 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可抑制串扰电流的三端阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器件包括基电极、置位电极、复位电极、阻变介质、二极管和绝缘介质。其中基电极、置位电极和复位电极，用于阻变存储器件的置位、复位和数据输出。所述阻变介质在置位模式下可形成导电通道，器件由高阻态转变为低阻态；在复位模式下导电通道断开，器件由低阻态转变为高阻态；在输出模式下将器件状态读出。所述二极管可以是PN结二极管、肖特基二极管，利用其整流特性可抑制阻变存储器交叉阵列结构的串扰问题。所述绝缘介质在置位操作中，限制电流过大，在读取操作时，抑制串扰电流。
一种可抑制电流三端阻变存储器及其制备方法

[发明专利]隧穿二极管整流器件及其制造方法-CN201210026070.5无效
发明人：刘明;谢宏伟;龙世兵;吕杭炳;刘琦;李颖弢;谢长青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件与存储器技术领域，公开了一种用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件及其制造方法，该隧穿二极管整流器件包括：下电极；下电极之上的整流功能层；上电极。本发明的整流器件能够提供较高的电流密度，与阻变存储器串联后形成的1S1R结构能有效抑制阻变存储器阵列中的串扰现象，在不增加存储单元面积的情况下，有效提高存储密度，提高器件的集成度。本发明的用于阻变存储器的整流器件具有结构简单，易集成，成本低等优点，有利于本发明的广泛推广与应用。
二极管整流器件及其制造方法

[发明专利]一种基于三维垂直阻变存储器的视频动作识别方法和装置-CN202210578058.9有效
发明人：时拓;刘琦 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06V20/40 文献下载
摘要：本发明属于非易失性存储器技术领域，涉及一种基于三维垂直阻变存储器的视频动作识别方法和装置，该方法包括：步骤一，搭建基于自整流器件的三维垂直阻变存储器；步骤二，采集并预处理用于视频动作识别的训练集图像和测试集图像；步骤三，构造三维卷积神经网络模型；步骤四，使用训练集图像，在三维垂直阻变存储器上仿真训练三维卷积神经网络模型；步骤五，利用在三维垂直阻变存储器上训练好的三维卷积神经网络模型，输入测试集图像，进行视频动作识别本发明基于的三维垂直阻变存储器具有高整流率，可以实现较低的读写误差，同时由于本发明的三维堆叠结构的设计，具有高度并行性，可以快速高效的从视频中识别动作。
一种基于三维垂直存储器视频动作识别方法装置

[发明专利]基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及制备方法-CN201110292265.X有效
发明人：郭太良;李福山;吴朝兴;张永志;谢剑星;张永爱 -专利权人：福州大学
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚合物/金属离子复合体系的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括绝缘衬底，设置于绝缘衬底上的底电极、顶电极及位于所述电极之间的聚酰亚胺/金属离子复合薄膜。本发明提供的阻变存储器重复性高、响应速度快、可靠性强、结构简单、制造成本低，用于高度集成的大容量多值存储器领域，具有很高的应用价值。
基于聚合物金属离子复合体系存储器制备方法

[发明专利]阻变随机存储器的控制方法和控制系统-CN202210946698.0在审
发明人：陈义豪;陈刚;李志刚;边昳;鲁华祥 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C11/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种阻变随机存储器的控制方法，应用于控制单元，控制单元与驱动电路电连接，驱动电路与阻变随机存储器电连接，控制方法包括：向驱动电路发送驱动信号，以使得驱动电路根据驱动信号向阻变随机存储器发送脉冲序列，以及驱动电路根据脉冲序列生成反馈信息；根据反馈信息确定阻变随机存储器的当前阻值；在当前阻值不符合目标阻值范围的情况下，迭代地根据反馈信息确定新的驱动信号，其中，新的驱动信号包括脉冲类型和与脉冲类型对应的脉冲幅值，脉冲类型包括电压脉冲或电流脉冲；向驱动电路发送新的驱动信号，以使得驱动电路根据新的驱动信号生成新的反馈信息；根据新的反馈信息确定阻变随机存储器的新的当前阻值。
随机存储器控制方法控制系统

[发明专利]一种对阻变存储器阵列进行测试的系统-CN201310218444.8有效
发明人：姚志宏;余兆安;吕杭炳;霍宗亮;谢常青;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种对阻变存储器阵列进行测试的系统，包括探针台，用于承载待测阻变存储器阵列；探针卡，用于实现硬件地址电路与待测阻变存储器阵列的良好连接；硬件地址选择电路，用于完成待测阻变存储器阵列指定端口的地址译码和选通工作针对具有特殊结构阻变存储器阵列的性能无法评估的问题，本发明利用现有实验设备，不仅低成本地实现了器件性能的测试和评估，而其为后续其它阵列结构器件的测试和检测提供了一种思路和方法。
一种存储器阵列进行测试系统

[发明专利]一种阻变存储器及制备方法-CN201810459344.7有效
发明人：周晔;韩素婷;吕子玉;陈朦 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及制备方法，所述阻变存储器包括：底电极、顶电极以及设置在所述底电极与所述顶电极之间的介质层；其中，所述介质层的材料为掺杂量子点的生物基材料。本发明通过将量子点作为光响应单元掺杂在生物基材料中，从而赋予存储器光响应属性。本发明所述阻变存储器具有光响应性好、功耗低、存储密度高、质量轻的特点，而且有利于多级存储体系的开发。
一种存储器制备方法

[发明专利]一种高一致性阻变存储器及其制备方法-CN201610809598.8有效
发明人：蔡一茂;王宗巍;黄如;康健;方亦陈;喻志臻;杨雪 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高一致性的阻变存储器件及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的下电极‑阻变薄膜‑上电极结构，下电极位于衬底之上，上、下电极之间为阻变薄膜，所述阻变薄膜的局部掺杂金属，所述掺杂区域为器件工作区域的50％—10％。本发明阻变存储器的到底通道更加容易在局域化掺杂的区域形成熔断，从而将导电通道的随机产生与熔断限定在局部掺杂的区域内，有效降低了导电通道的随机性，从而提高阻变存储器的一致性。
一种一致性存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法-CN201810366934.5有效
发明人：韩素婷;周晔;吕子玉;徐振庭 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法，其中，阻变存储器包括阻变层，采用短肽组装体作为所述阻变层。短肽组装体作为一种生物材料，易于获取，成本较低，具有良好的生物相容性和可降解性，有利于制备绿色环保的存储器件，并且短肽组装体还具有很好的热稳定性和化学稳定性，电子传输效率高。
一种基于组装存储器制备方法

[发明专利]一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法-CN202310277621.3在审
发明人：李渊;秦澜浩;翟天佑 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括衬底、设置在所述衬底上的功能层及设置在所述功能层上的两端电极，所述功能层为具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片，通过所述功能层的本正离子迁移来改变所述阻变存储器的阻态。本发明将具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片应用于功能层，使得阻变存储器的阻态变化由功能层本征离子迁移导致，可摆脱对活性金属电极的依赖。
一种基于离子机理存储器及其制备方法

[发明专利]基于阻变式存储器的模型在线迁移训练方法、装置及芯片-CN202111591016.0在审
发明人：施正;张涌;曹国忠;萧得富;张硕 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阻变式存储器的模型在线迁移训练方法、装置及芯片。该方法包括：通过获取需要映射至阻变式存储器上的神经网络模型的各层对应的神经网络权重，神经网络权重基于对神经网络模型的离线训练过程得到，并获取阻变式存储器所支持的多个电导的电导偏移函数，从而根据电导偏移函数，通过迭代训练对神经网络模型进行在线迁移训练，以对神经网络权重进行更新，进一步的，根据更新后的神经网络权重，对忆阻器阵列电导值进行更新，得到训练后的阻变式存储器。如此，使得映射至阻变式存储器的阵列上的神经网络权重具有更好的适应性，有效解决了传统在线训练方法在单一时间下执行迁移训练的过拟合问题。
基于阻变式存储器模型在线迁移训练方法装置芯片

[发明专利]一次编程存储器及其制备方法-CN201110355203.9无效
发明人：刘明;张康玮;龙世兵;谢常青;吕杭炳;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G11C17/10 文献下载
摘要：本发明公开了一次编程存储器及其制备方法。本发明一次编程存储器包括：下电极；上电极；以及包含于上电极和下电极之间的阻变功能薄膜；上电极和阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒，阻变功能薄膜和下电极之间形成欧姆接触。本发明利用阻变功能薄膜低阻态时所具有的整流特性能够有效的抑制交叉阵列结构中的读串扰，便于存储器件和外围电路的集成，简化了器件的制备工艺。
一次编程存储器及其制备方法

[发明专利]一种钛锡酸锶薄膜的用途-CN201010110227.3无效
发明人：翟继卫;周歧刚 -专利权人：同济大学
申请日： 2010-02-20 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛锡酸锶薄膜在阻变存储器中的应用。所述钛锡酸锶薄膜的化学组成为SrTi(1-x)SnxO3，其中0.01≤x≤0.25。本发明的钛锡酸锶薄膜具有优良的电阻切变特性，可作为阻变存储器的介质层。将该薄膜用于阻变存储器中，可使具有“底电极/SrTi(1-x)SnxO3薄膜/顶电极”结构的存储单元表现出优异的具有记忆效应的电脉冲诱发电阻切变性能，具有新一代非挥发性阻变存储器的特点，并且具备新一代存储器所需要的高速度
一种钛锡酸锶薄膜用途