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[发明专利]一种双势垒纳米硅阻变存储器及其制备方法-CN201810056850.1有效
发明人：马忠元;谭定文;孙杨 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种超低功耗纳米硅阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：纳米硅基阻变层由含氢富硅碳化硅阻变层作为中间层，上下两层为相同同化学配比的含氢富碳碳化硅薄膜，阻变层上表面的条形电极和下表面的条形电极互相垂直；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，通过含氢碳化硅薄膜的化学配比调控，从而调节构成阻变存储器导电通道的势垒高度，进而达到调控电压，实现功率可调的功能，使纳米硅基阻变存储器可切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。
一种双势垒纳米硅阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种初始周期高低阻态稳定的阻变存储器及其制备方法-CN202210224538.5在审
发明人：高海霞;钱梦依;段毅伟;孙宇昕;武书良 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种初始周期高低阻态稳定的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器从下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变介质层、量子点层、顶电极层和保护层。本发明通过在阻变介质层和顶电极层之间旋涂量子点层，能够提高顶电极层对阻变介质层中氧离子的捕获能力，并引导导电细丝的形成与断裂，从而提高阻变存储器的稳定性，降低器件的功耗，进一步消除器件的初始化过程，使阻变存储器初始周期中的高低阻态保持稳定
一种初始周期高低稳定存储器及其制备方法

[发明专利]一种有机电极阻变存储器及其制备方法-CN201611206793.8有效
发明人：闫小兵;张磊;赵建辉 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电极阻变存储器，其结构是在衬底上依次形成有PCBM有机电极介质层、Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层和Ag电极层。同时公开了该阻变存储器的制备方法：包括清洗、干燥衬底；将PCBM溶液旋涂于衬底上真空干燥后形成PCBM有机电极介质层；在PCBM有机电极介质层上通过磁控溅射法生长Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层；在Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层上生长Ag电极层。本发明提供的阻变存储器使用了PCBM薄膜作为阻变存储器的有机电极介质层，其有别于传统使用氧化物制备的存储器件，其结构独特，性能表现良好，是一种存储性能更为稳定、耐久性强、应用前景更为广阔的阻变存储器。
一种有机电极存储器及其制备方法

[发明专利]一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法-CN201610202876.3有效
发明人：蔡一茂;王宗巍;黄如;刘业帆;潘越;余牧溪 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面非易失性阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器在衬底的水平方向上形成电极‑阻变层‑电极的平面结构；采用侧墙结构制备阻变层，通过适当的设计可以在一定程度上控制侧墙的厚度和宽度；利用侧墙加上选择性腐蚀工艺可以实现小尺寸纳米级水平“宽度”的阻变层，也就是制作平面阻变存储器所需的两个电极之间的间隙。采用这种方法巧妙的避开了工艺和设备带来的局限性，即使不采用现有最先进的工艺也可实现小尺寸纳米级的器件，并且本发明中所采用的工艺完全兼容CMOS的工艺制程，扩大了其应用的范围；纳米平面阻变存储器的制备不仅对于阻变存储器的研究有着重要意义，对于业界阻变存储器的制备工艺也起着重要作用。
阻变存储器制备阻变层电极非易失性阻变存储器尺寸纳米侧墙选择性腐蚀工艺工艺和设备侧墙结构平面结构制备工艺重要意义衬底制程避开兼容制作应用研究

[发明专利]一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法-CN202211347114.4在审
发明人：王玉婵;许楠楠;袁一鸣;曾福嘉;陈光昊;冉倩;张文霞 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器制备技术领域。本发明公开了一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器，自下而上依次由衬底、底电极、阻变层、顶电极层叠组成，其中阻变层为掺杂Cs2AgSbBr6该阻变存储器通过改变掺入Cs2AgSbBr6纳米晶体的质量比能够实现对存储性能的调控，具有双极性非易失存储的特点。
一种基于复合薄膜性能可调存储器及其制备方法

[实用新型]一种基于GeTe的互补型阻变存储器-CN201820713577.0有效
发明人：马国坤;何玉立;王浩;陈钦;陈傲;刘春雷 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于GeTe的互补型阻变存储器，涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。本实用新型的互补型阻变存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极。本实用新型的阻变存储器元件具有非常简单的“金属/介质/金属”的“三明治”结构，大大简化了互补型阻变存储器件的结构。另外，本实用新型通过电激励和限制电流使GeTe薄膜介质层发生阻态切换实现互补型阻变功能，能有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题。本实用新型的互补型存储器性能稳定、可微缩性好，在开发高存储密度、低功耗、纳米尺寸非易失性存储器方面非常具有发展潜力和应用价值。
互补型本实用新型阻变存储器薄膜介质层导电电极上表面三明治非易失性存储器阻变存储器元件阻变存储器件金属存储器性能功能器件十字交叉限制电流有效解决阻态切换低功耗电激励纳电子顶层串扰微缩存储应用开发

[发明专利]一种固态电解质阻变存储器及其制备方法-CN201810863849.X有效
发明人：闫小兵;裴逸菲;任德亮 -专利权人：河北大学
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态电解质阻变存储器，其是在作为底电极的衬底上依次形成有PbS阻变介质层、Ga2O3阻变转换层，在Ga2O3阻变转换层上表面沉积有上电极层。同时本发明还公开了该阻变存储器的制备方法，该方法是将干燥洁净的衬底置于退火炉的托盘上，取PbS溶液滴加到衬底上，待溶液自动扩展并覆盖整个衬底表面后，进行退火处理，形成网络状的PbS阻变介质层；然后再依次溅射沉积Ga2O3阻变转换层和上电极层。本发明提供的阻变存储器添加了网络状PbS作为阻变存储器的介质层，对传统使用氧化物制备的存储器件在重复特性、保持特性、开启电压等方面起到了优化作用，其结构独特，性能表现良好，是一种存储性能佳、能耗低、应用前景更为广阔的阻变存储器
一种固态电解质存储器及其制备方法

[发明专利]一种适用于非易失性存储器存算一体阵列的运算单元-CN202210999390.2在审
发明人：毛伟;周浩翔;洪海桥;刘定邦;刘俊;余浩 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于非易失性存储器存算一体阵列的运算单元，所述运算单元包括至少一个阻变存储器，与所述阻变存储器电连接的反相器，与所述反相器电连接的电容器。本发明实施例中通过插入反相器以实现隔离阻变存储器的电阻失配和比率较低的因素，采用电容采样将阻变存储器失配的限制转移到电容，能够较大程度削弱非易失性存储器存算一体阵列中运算单元的失配率与功耗。
一种适用于非易失性存储器一体阵列运算单元

[发明专利]一种基于不同空位浓度的氧化锌阻变存储器性能优化方法-CN202110871673.4在审
发明人：王倩;王诗楠;王涛;施荣;李宁 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于不同空位浓度的氧化锌阻变存储器性能优化方法，具体包括以下步骤：以阻变层作为氧化锌阻变存储器的研究对象，采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，构建ZnO单晶胞模型，在此基础上将ZnO单晶胞模型向A、B、C三个方向扩展得到3×2×2的ZnO超晶胞模型及2×2×1的ZnO超晶胞模型，在超晶胞模型上构建空位缺陷态，得到五种氧化锌阻变层模型，基于第一性原理方法使五种氧化锌阻变层模型体系能量降到最低、结构最优，实现氧化锌阻变存储器性能优化。本发明通过对氧化锌阻变存储器的能态结构进行研究，以确定最佳阻变层空位浓度，可以有效增加导电细丝的形成速度，提高阻变存储器的存储性能。
一种基于不同空位浓度氧化锌存储器性能优化方法

[发明专利]一种电极结构复用的阻变存储器及其制备方法-CN201910309479.X在审
发明人：魏凌;尹延锋;孙献文 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制备方法,该阻变存储器从上到下依次是多个上电极，热导率低的绝缘介质层，阻变层，多个下电极层；其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压E_T1小于阻变层薄膜的热击穿电压E_T2，阻变层需要施加触发电压E_TC将阻变层材料的电阻开关功能触发,使阻变层位于高阻态或低阻值态，其中E_TC＜E_T2，未触发和疲劳时的阻变层为绝缘介质层，本发明得到很小的实际电极，降低了成本，优化了器件，在操作电流/电压大大减小的同时还使阻变存储器的性能参数更加集中，减小波动。该存储器结构解决了目前的当存储器电极下的阻变材料局部失效时，不能够再次利用该电极的问题。
阻变层阻变存储器绝缘介质层下电极层热击穿电极减小制备绝缘介质薄膜存储器电极存储器结构操作电流触发电压从上到下电极结构电阻开关功能触发欧姆接触实际电极性能参数再次利用阻变材料高阻态热导率触发复用薄膜疲劳施加优化

[发明专利]一种无需软击穿过程的阻变存储器及其制备方法-CN201610256942.5在审
发明人：朱玮;李杰 -专利权人：长安大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无需软击穿过程的阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器具有上下两个电极和位于上下电极中间的有源层，有源层材料为富铝的Al_xO_y纳米薄膜。一般的阻变存储器都需要一个软击穿过程来激发气阻变特性，但发明所示阻变存储器无需软击穿过程即可激发阻变特性，这是该器件在工业应用中的一个优势。同时，该存储器运行基于导电丝原理，同时采用物理与化学方法制备，器件具有制备简单，成本低廉等特点。
一种无需击穿过程存储器及其制备方法

[发明专利]一种抗读干扰的阻变存储器读方法-CN201510188989.8在审
发明人：张锋;项中元 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗读干扰的阻变存储器读方法，包括：判断读使能是否有效，如果无效继续等待读使能有效；读使能有效后对读地址进行译码，映射到相应的阻变存储器的字；在读地址选中的阻变存储器的字的各个阻变单元上加相应的正向读电压Vr，持续时间T；将读出的数据写入读出寄存器buffer；判断读出的数据中阻变单元存储的数据是否存在“0”，如果存在“0”则执行下一步，否则返回继续判断读使能是否有效；在后台对阻变单元存储的数据为“0”的阻变单元进行一次ReRead操作；完成以上操作后返回继续判断读使能是否有效。本发明通过在阻变存储器的读过程中添加了后台ReRead过程，解决了由于读干扰导致的数据翻转失效问题，提高了阻变存储器数据存储的可靠性。
一种干扰存储器方法

[发明专利]相变和阻变随机存取存储器及其执行突发模式操作的方法-CN200910253065.6有效
发明人：李光振;文荣国;金荣珌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：提供一种相变和阻变随机存取存储器设备，该存储器设备包括相变或阻变存储器单元阵列和配置为放大从所述相变存储器单元阵列读取的数据的读出放大器。这些随机存取存储器设备配置为从所述相变或阻变存储器单元阵列的第一字线读取数据，并且在突发模式操作期间当第一边界跨越发生时，插入其中没有数据读取的伪突发。也提供了一种在突发模式中操作相变和/或阻变随机存取存储器设备的相关方法。
相变随机存取存储器及其执行突发模式操作方法

[发明专利]一种减小阻变存储器阻值离散性的方法-CN201010163100.8有效
发明人：康晋锋;高滨;陈冰;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法，该方法包括：S1、在Forming过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态；S2、在SET过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低阻态；S3、在RESET过程中施加一个反向电压脉冲，使阻变存储器的阻变材料从低阻态转为高阻态。本发明提出的电流电压控制方法可以显著的减小器件阻值的离散性，并同时可以提高低阻态的阻值，从而减小器件的工作电流，降低功耗。
一种减小存储器阻值离散方法

[发明专利]用于阻变存储器阵列的参考电压发生器-CN201880071320.2有效
发明人：尼古拉斯·亨德里克森 -专利权人：纽蒙有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G11C7/02 文献下载
摘要：提供了一种用于将数据存储在磁随机存取存储器(MRAM)中的设备。该MRAM可以将数据存储在一个或多个基于阻变的存储器单元中，并且可以包括多个比较器，以将基于该基于阻变的存储器单元产生的电压与参考电压进行比较，以确定存储的逻辑状态。在一些实施方式中，参考电压可以由多个基于阻变的存储器单元产生。通过将不同的逻辑状态存储在基于阻变的存储器单元内，可以将参考电压调节得更高或更低。
用于存储器阵列参考电压发生器