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[发明专利]一种制备高开关比TaOx阻变随机存储器的方法-CN201810069096.5在审
发明人：王伟;高磊雯;贺洋 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高开关比TaOx阻变随机存储器的方法，包括以下步骤：1)选用低阻的P型硅作为基片，对基片进行清洗和干燥处理；2)通过直流反应磁控溅射法在步骤1)所得基片上沉积TaOx阻变层；3)在步骤2)所得TaOx阻变层上通过磁控溅射法沉积Ag电极，得到存储器基体；4)对步骤3)所得到的存储器基体进行退火处理提高TaOx阻变层的含氧量及改善其结晶程度，得到高开关比TaOx阻变随机存储器。本发明通过直流反应磁控溅射结合氧气退火的方式获得TaOx阻变层，在施加偏压测试时，能够使阻变随机存储器的漏电电流显著减小，开关比显著提升，不易发生永久性击穿，循环周次增加。
随机存储器开关比阻变层存储器沉积制备直流反应磁控溅射法直流反应磁控溅射退火磁控溅射法永久性击穿干燥处理漏电电流退火处理含氧量循环周电极低阻减小氧气清洗施加测试

[发明专利]阻变存储器及其制造方法-CN201110068633.2无效
发明人：刘明;张康玮;龙世兵;谢常青;刘琦;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：下电极；下电极之上的第一阻变功能层，以及第一阻变功能层之上的第二阻变功能层，所述第一阻变功能层和第二阻变功能层具有相反的多数载流子类型；第二阻变功能层之上的上电极通过具有相反多数载流子类型的第一阻变功能层和第二阻变功能层，在存储器的阻变功能层内形成pn结，由于不用外接整流的二极管或三极管，便可实现阻变和抑制串扰，不会增加存储单元的面积，从而有效提高存储密度，进而提高器件的集成度
存储器及其制造方法

[发明专利]一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法-CN201110154094.4无效
发明人：林殷茵;田晓鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属半导体存储器技术领域，涉及一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法。本存储器中，在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。所述存储介质层为阻变材料和相变材料双层叠层或相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构。本发明的相变阻变多层结构存储器为一种工艺简便、成本低廉、可有效提高器件的均匀性和稳定性，及明显降低写操作电流的存储器，所述相变材料和阻变材料叠层结构与单层阻变材料相比，电场更容易集中在相变材料的多晶低阻区域，器件的稳定性和均匀性更好，可有效提高器件可靠性，同时由于采用多层结构，阻态也较单层结构高，降低功耗。
一种相变多层结构存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法-CN201810819082.0有效
发明人：马国坤;何玉立;王浩;周潇文;蔡恒梅 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Zr元素掺杂的钙钛矿阻变存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器，从上至下依次包括顶电极、介质层、底电极和玻璃基底，其中：所述介质层为Zr元素掺杂的卤化物钙钛矿材料。本发明的阻变存储器，结构简单，保持了传统阻变存储器的构造，不需要增加额外的结构层，仅通过在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本发明制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，极大地降低了器件功耗，同时还增加了器件的稳定性和均一性另外，本发明的阻变存储器制备成本低，工艺简单，易操作，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。
阻变存储器元素掺杂制备钙钛矿介质层卤化物钙钛矿半导体材料产业化应用钙钛矿薄膜从上至下功能器件器件功耗市场应用玻璃基底电极顶电极结构层均一性开关比掺入

[发明专利]一种降低阻变存储器形成电压的电形成方法-CN201710769267.0有效
发明人：薛堪豪;苏海磊;缪向水;孙华军;李祎;何维凡 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低阻变存储器形成电压的电形成方法，包括如下步骤：对所述阻变存储器施加正向电压，在所述阻变存储器中形成由所述活性电极指向所述惰性电极电场；对所述阻变存储器施加反向电压，在所述阻变存储器中形成由所述惰性电极指向所述活性电极电场正向电压实现氧离子的部分移动，带电氧空位部分积累；反向电压实现电子跃过势垒，中和带电氧空位，通过重复施加正向电压和反向电压，实现中性氧空位积累，实现阻变存储器的软击穿，又由于正、负向电压均小于正常形成电压
一种降低存储器形成电压方法

[发明专利]基于阻变存储器的图卷积网络文献识别装置与方法-CN202310017218.7有效
发明人：高丽丽;时拓;刘琦;顾子熙;张徽;王志斌;李一琪;崔狮雨 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F16/35 文献下载
摘要：本发明公开了基于阻变存储器的图卷积网络文献识别装置与方法，对文献识别数据集进行训练集和测试集的构建；构建基于阻变存储器的浮点图卷积网络模型，用训练集进行预训练，得到预训练的模型参数；根据浮点图卷积网络模型，构建基于阻变存储器的训练阶段的图卷积网络量化模型；将训练集输入训练阶段的图卷积网络量化模型，进行量化感知训练，得到每层输出值的截断位宽、损失函数的权值，以及量化感知训练后的模型参数；根据训练阶段的图卷积网络量化模型，构建基于阻变存储器的推理阶段的图卷积网络量化模型；将量化感知训练后的模型参数映射到阻变存储器上，并将测试集输入到基于阻变存储器的推理阶段的图卷积网络量化模型，进行前向推理测试。
基于存储器图卷网络文献识别装置方法

[发明专利]阻变存储器的操作方法、阻变存储器及电子装置-CN202110835557.7在审
发明人：金伟民;张建军 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种阻变存储器的操作方法、阻变存储器及电子装置，其旨在通过提供过写和过复位验证的方案，能够更准确地检测出过置位和过复位的情况，并且可以有效补偿存在过置位和过复位效应的阻变单元，从而能够收敛阻变单元的电阻率分布，进而提高阻变存储器的数据保持能力、寿命和可靠性。
存储器操作方法电子装置

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法和应用-CN201810847567.0在审
发明人：钟文敏;刘秋香;唐新桂;曾思明 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阻变存储器及其制备方法和应用。本发明公开了一种阻变存储器，包括：衬底、底电极、第一顶电极、第二顶电极和双钙钛矿氧化物薄膜；底电极设置在衬底的表面；双钙钛矿氧化物薄膜和第一顶电极均设置在底电极背离衬底的一侧；第二顶电极设置在双钙钛矿氧化物薄膜背离底电极的一侧相比于现有的阻变存储器，将双钙钛矿氧化物薄膜作为介质层的阻变存储器在不同的退火温度下，可以在高阻态和低阻态之间相互转化，HRS/LRS值可以达到200，展现出了优良的阻变特性，使得阻变存储器具备良好的稳定性，解决现有的阻变存储器阻变效应差，阻变存储器容易损坏的技术问题。
阻变存储器氧化物薄膜双钙钛矿底电极顶电极衬底制备方法和应用背离半导体技术领域退火阻变特性低阻态高阻态介质层薄膜转化

[发明专利]一种对检测到的信号进行处理的方法及电路-CN202010656891.1有效
发明人：卢年端;李泠;吴全潭;王嘉玮;耿玓;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种对检测到的信号进行处理的方法及电路，该电路包括：阻变存储器、负载电阻、电容器、外加电源，阻变存储器与电容器并联，阻变存储器与负载电阻串联，该外加电源施加外加电压于阻变存储器和负载电阻串联形成的电路两端，将检测到的信号作为外加电压，经过该电路的处理后，输出振荡信号，在该外加电压超出第一阈值电压时，该阻变存储器从高阻态转变为低阻态，且电容器开始放电；外加电压降至第二阈值电压以下时，阻态存储器从低阻态转变为高阻态
一种检测信号进行处理方法电路

[发明专利]一种阻变存储器的数据读出电路和阻变存储电路-CN202110440000.3在审
发明人：张锋;任骐锐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请公开一种阻变存储器的数据读出电路和阻变存储电路，阻变存储器的数据读出电路，包括：自适应灵敏电流放大器和参考电流生成器，所述自适应灵敏电流放大器用于电连接阻变存储器，所述自适应灵敏电流放大器与所述参考电流生成器电连接；所述参考电流生成器用于生成基础参考电流；所述自适应灵敏电流放大器用于根据所述基础参考电流和阻变存储器的位线电流得到参考电流；所述自适应灵敏电流放大器用于比对所述参考电流与所述位线电流的大小，以读出存储数据能够改善阻变存储器的高阻态退化带来数据读出错误的问题。
一种存储器数据读出电路存储

[发明专利]一种基于六方氮化硼阻变存储器及制备方法-CN202310537245.7在审
发明人：周杨波;肖美铃;廖霞霞;肖志林;王勇;付彬芸 -专利权人：南昌大学
申请日： 2023-05-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种基于六方氮化硼阻变存储器及制备方法。阻变存储器自下而上依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极；阻变层材料为h‑BN薄膜；通过机械剥离法制得六方氮化硼薄膜，并通过聚焦离子束局部调控引入缺陷作为阻变介质层，制备基于六方氮化硼的阻变存储器。本发明采用h‑BN作为阻变层介质，成功实现了h‑BN作为阻变层的阻变响应；器件具有SET电压和RESET电压低的特点；采用聚焦离子束对h‑BN表面加工，引入缺陷，实现了聚焦离子束对二维材料的局部加工；并且通过可控引入缺陷，降低了Au/h‑BN/Ag 阻变存储器的SET电压；并具有制备方法操作简单，耗时短的特点。
一种基于氮化硼阻变存储器制备方法

[发明专利]以纳米遮蔽层进行离子定位注入的阻变存储器制备方法-CN201810290070.3有效
发明人：李明逵;徐文彬 -专利权人：集美大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了以纳米遮蔽层进行离子定位注入的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；2)在阻变材料层的上表面制备一层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，形成供离子注入的定位通道；3)对纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的阻变材料层进行外部金属离子注入处理，在阻变材料层中形成以氧空位为基础的导电丝，所述导电丝沿着阻变材料层的厚度方向延伸，连接阻变存储器的顶电极和底电极本发明提供了一种兼具较高开关阻值比和良好稳定性的阻变存储器制备方案，力求从工艺层面上改善阻变存储器的性能。
纳米遮蔽进行离子定位注入存储器制备方法

[发明专利]一种阻变存储器及其复位操作方法-CN201210335383.9有效
发明人：林殷茵;薛晓勇 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，具体涉及一种阻变存储器及其复位操作方法，其中，阻变存储器包括控制电路、写电压产生电路和电流检测电路；采用连续阶梯状脉冲对阻变存储器进行复位操作；本发明的阻变存储器在复位操作过程中去除了验证操作
一种存储器及其复位操作方法

[发明专利]一种高可靠性非挥发存储器及其制备方法-CN201310049320.1有效
发明人：黄如;余牧溪;蔡一茂 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及高可靠性非挥发阻变存储器及其制备方法，储器包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中，上电极位于器件顶部，下电极位于衬底上，在阻变材料的金属氧化物中掺杂金属，在上电极和阻变材料之间有增设一金属储氧层其制备方法采用掺杂和双层相结合的方法，可制备高可靠性高一致性阻变存储器，较好提高阻变存储器的性能。
一种可靠性挥发存储器及其制备方法

[发明专利]基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器的制备方法-CN202011231818.6在审
发明人：李珂;邵智斌 -专利权人：苏州大学文正学院
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在基底上形成硒化锌一维纳米结构；在硒化锌一维纳米结构的两端分别形成双电极层和单电极层，以获得单极性阻变存储器坯料，双电极层包括与硒化锌一维纳米结构接触的活性金属电极层；将单极性阻变存储器坯料置入弱酸性溶液中预设时间，清洗并干燥以获得单极性阻变存储器。利用本发明的制备方法获得了具有低操作电压、快速阻变速度、单极性导电等特性的基于硒化锌一维纳米结构的单极性阻变存储器。并且，通过选取弱酸性溶液并控制弱酸性溶液处理时间，从而进一步降低阻变存储器首次工作时所需的电成型电压，并进一步提高阻变存储器的稳定性。
基于硒化锌一维纳米结构极性存储器制备方法

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