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[发明专利]一种具有自整流效应的阻变存储器-CN201110155291.8无效
发明人：潘峰;陈超;曾飞;罗景庭;唐光盛 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器。所述阻变存储器由底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层为n型氧化锌薄膜；所述上电极为条状的铝电极或钛电极；所述底电极和所述上电极相互垂直设置本发明所提供的阻变存储器的底电极选用的是低电阻的p型硅，与传统CMOS工艺的兼容性非常高，能够在不改变现有工艺条件的情况下开发出高密度的非易失性存储器，具有成本低等特点。
一种具有整流效应存储器

[发明专利]一种阻变存储器及制备方法-CN202110712659.X有效
发明人：韩素婷;杜春雨;周晔;屈之洋 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种阻变存储器及制备方法，所述阻变存储器包括顶电极、底电极和设置在所述顶电极和所述底电极之间的阻变层，所述阻变层的材料为银咪唑配合物，所述银咪唑配合物的化学式为Agx阻变存储器的阻变层的材料，银离子的迁移范围限制在银咪唑配合物晶粒中，缩短了银离子迁移的距离，从而降低了因银离子迁移所消耗的能量，降低了阻变存储器操作电压和功耗。同时，银咪唑配合物晶粒限制银离子的迁移范围可以有效降低银离子迁移随机性，从而提升阻变存储器的均一性和稳定性。
一种存储器制备方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器像素单元及其信号传输方法-CN201910289679.3有效
发明人：赵宇航;温建新;皮常明;曾夕;沈灵 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器像素单元，包括光电二极管，信号读取电路和控制单元。信号读取电路包括传输管、复位管、以及阻变式存储器。控制单元用于控制所述传输管、复位管的通断以及所述阻变式存储器的下电极的电压，以使所述阻变式存储器相应存储所述光电二极管复位后和曝光后所输出的模拟电信号。本发明采用阻变式存储器替代晶体管器件，可以增大填充率，提高图像传感器的灵敏度。
一种 cmos 图像传感器像素单元及其信号传输方法

[发明专利]互补型阻变存储器及制备方法-CN201210418767.7无效
发明人：潘峰;唐光盛;曾飞;陈超;刘宏燕;宋成 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种互补型阻变存储器及制备方法。该存储器，由下至上依次包括底电极、氧储备层、存储介质层和顶电极。其中，二氧化钛纳米存储介质层和氮氧化钛氧存储层是通过将氮化钛薄膜进行等离子体氧化的方法制备。通过电激励使氧空位在纳米存储介质层的上、下两个界面间分布，实现互补型阻变功能。本发明提供的存储器，有效解决了阻变存储器十字交叉阵列中的串扰问题，具有制备方法简单、成本低等特点，用于开发高存储密度、低功耗、纳米尺度非易失性阻变存储器。
互补型阻变存储器制备方法

[发明专利]一种有机阻变存储器-CN201811279391.X在审
发明人：李颖弢;李晓燕 -专利权人：兰州大学
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：一种有机阻变存储器，包括衬底和衬底上的上电极和下电极，所述上电极与下电极之间设有阻变功能层，所述上电极和下电极均由掺杂金属纳米线或掺杂金属量子点的有机导电聚合物组成。本发明使用有机阻变材料取代了传统的无机阻变材料，是适应未来绿色环保发展的器件，本发明提供的阻变存储器使用了有机导电聚合物作为上电极层、下电极层，有别于传统使用金属电极、氧化物无机材料作为阻变存储层制备的存储器件本发明提供的阻变存储器结构和制造工艺简单、制作成本低、并且能够在柔性电子领域具有较大的应用前景。
电极下电极有机导电聚合物有机阻变存储器掺杂金属阻变材料衬底阻变存储器结构阻变存储层阻变存储器传统使用存储器件金属电极绿色环保柔性电子无机材料下电极层制造工艺传统的电极层功能层量子点纳米线氧化物制备制作应用

[发明专利]一种存储器阵列-CN202310674550.0在审
发明人：刘美冬;陈昱煌;陈瑞隆;黄天辉 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器阵列，其特征在于，所述存储器阵列包括至少一个主阵列和至少一个伪阵列：所述主阵列与伪阵列相邻设置；所述伪阵列的至少一个阻变存储单元与相邻的主阵列的阻变存储单元共用同一位线；所述伪阵列的至少一个阻变存储单元的尺寸大于相邻的主阵列的阻变存储单元的尺寸；由于阻变存储单元尺寸越大对应的成型电压越低，更容易从高阻态转换为低阻态，而相邻的两个阻变存储单元中，其中一个为低阻态的情况下，另一个不可能为高阻态，如此，可以使主阵列的阻变存储单元初始态为高阻态，提升存储器阵列的良率
一种存储器阵列

[发明专利]阻变存储器及其制造方法-CN202011353688.3在审
发明人：田伟思;邹荣;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制造方法，所述阻变存储器包括：半导体衬底、第一电极、第一插层、阻变层、第二插层和第二电极，所述第一电极覆盖部分所述半导体衬底，所述第一插层覆盖所述第一电极，并且所述第一插层的电阻率小于所述阻变层的电阻率，所述阻变层覆盖所述第一插层，所述第二插层覆盖所述阻变层，并且所述第二插层与所述阻变层中均具有氧原子，所述第二电极覆盖所述第二插层，由于所述第二插层与所述阻变层中均具有氧原子，当阻变存储器施加正电压后，所述阻变层与所述第二插层中的氧原子均会向所述第二电极移动，由此可以增加氧空位的浓度，从而有助于氧空位导电细丝的产生，进而提高阻变存储器的一致性。
存储器及其制造方法

[发明专利]一种利用氧空位调控金红石型二氧化钛基阻变存储器性能的方法-CN202210938708.6在审
发明人：韩小平;王志元;张肖赫;刘汉涛;张宗胜 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明涉及属于阻变存储器领域，具体涉及一种利用氧空位调控金红石型二氧化钛基阻变存储器性能的方法；本发明利用水热原位生长的方法，得到了纯晶金红石相TiO2薄膜，并利用紫外光辐照改变了其氧空位浓度，极大地改善了金红石型二氧化钛基阻变存储器的性能。本发明的制备方法简单易操作，制备得到的金红石相TiO2薄膜形貌均匀、连续致密；通过紫外光辐照后，金红石型二氧化钛基阻变存储器的性能改善显著。本发明的方法对改善阻变存储器性能具有非常重要的意义。
一种利用空位调控金红石氧化钛基阻变存储器性能方法

[发明专利]一种基于阻变式存储器的PUF电路及其控制方法-CN201910045670.8有效
发明人：崔小乐;叶文强;周宇锋 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阻变式存储器的PUF电路及其控制方法，其中PUF电路包括两个并行的传输通路和一个判决模块，两个所述传输通路的总输入端相互连接以共同输入同一输入信号，两个所述传输通路的总输出端分别连接到所述判决模块的输入端，所述判决模块的输出端为所述PUF电路的输出端，其中两个所述传输通路分别由多个延时模块串联连接组成，所述延时模块包括阻变式存储器以通过所述阻变式存储器控制延时。本发明提出的基于阻变式存储器的PUF电路及其控制方法，大大提高了阻变式存储器的CRP效率。
一种基于阻变式存储器 puf 电路及其控制方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN202011614887.5有效
发明人：郭奥 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种阻变存储器及其制备方法，该方法包括在CMOS后段工艺的第一金属层表面淀积第一介质层；在第一介质层中制备下电极接触孔；在第一介质层和下电极接触孔中依次淀积下电极层和隔离介质层，以制备阻变存储器单元的线状下电极；依次淀积氧化物阻变层和上电极层，制备上电极和氧化物阻变图形，以形成阻变存储器单元；在上电极和氧化物阻变图形的表面和侧面、以及第一介质层的表面淀积保护层，并制备CMOS后段工艺的第二介质层；在第二介质层制备CMOS后段工艺的接触孔及第二金属层，以引出阻变存储器单元的上电极，阻变存储器单元的下电极通过第一金属层引出。因此，本发明限制阻变层中氧空位导电通道的形成区域，以提升器件一致性。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN201710801908.6有效
发明人：吴华强;吴威;高滨;钱鹤 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种阻变存储器及其制备方法，该阻变存储器包括：第一电极、第二电极、位于所述第一电极和所述第二电极之间的阻变层、至少一层储热层，所述储热层与所述阻变层相邻，所述储热层的热导率小于所述第一电极和所述第二电极的热导率该阻变存储器的电导在外加脉冲的条件下无论是增大的过程还是减小的过程，其电导都可以连续变化。
存储器及其制备方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制作方法-CN202110319822.6有效
发明人：许晓欣;孙文绚;余杰;董大年;赖锦茹;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变存储器及其制作方法，在底电极与阻变层之间形成底缓冲层，且底缓冲层的热膨胀系数位于底电极的热膨胀系数和阻变层的热膨胀系数之间；及在上电极和阻变层之间形成上缓冲层，且上缓冲层的热膨胀系数位于上电极的热膨胀系数和阻变层的热膨胀系数之间，进而，通过底缓冲层和上缓冲层的设置，消除阻变存储器的电极与阻变层之间的热应力失配情况，提高阻变存储器的可靠性和良率。
一种存储器及其制作方法

[发明专利]一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器-CN202010092622.7有效
发明人：朱慧;金磊;王晨;王斯;柳杰;李锐;刘佳慧 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，通过脉冲激光沉积方法生长钌酸锶下电极钨酸铋薄膜，并通过掩膜版法制作铂上电极，完成BWO薄膜器件的制备。使用安捷伦安捷伦B1500A测量其I‑V特性曲线，在双对数坐标系下，分析其内部导电机制符合空间电荷限制传导，且正方向具有优异的保持特性，BWO薄膜器件具有制备阻变存储器的潜力。使用安捷伦B1500A、Radiant铁电铁测试仪，对BWO阻变存储器的数据保持特性以及疲劳特性进行测试，评估BWO阻变存储器的可靠性。实验发现，BWO薄膜器件拥有优秀的阻变特性，且具备良好的保持和疲劳特性，可应用于阻变存储器件。
一种基于钨酸铋材料挥发性存储器

[发明专利]一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法-CN201310169538.0无效
发明人：黄如;余牧溪;蔡一茂;王宗巍;潘越;方亦陈;黎明 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括：底电极、阻变材料薄膜和顶电极，底电极在衬底上，阻变材料薄膜有金属掺杂，掺杂的金属同时满足低导热率和高吉布斯自由能。通过离子注入方法在阻变材料薄膜中注入相应的掺杂金属；本发明中掺杂的金属需要同时满足两个条件：1）金属氧化物对应的金属与氧反应生成氧化物的吉布斯自由能低于掺杂金属对应的吉布斯自由能；2）掺杂金属及对应氧化物的导热率低于阻变材料薄膜的导热率本发明通过选择符合条件的阻变材料、掺杂材料，用RRAM常用工艺即可制备高一致性的高速阻变存储器，较好提高阻变存储器的性能。
一种一致性高速存储器及其制备方法

[发明专利]一种多阻态双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法-CN201510626464.8有效
发明人：金康康 -专利权人：金康康
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多阻态双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法。该阻变存储器具有稳定的保持特性和多值存储性能，具体是指以金属Ti/Au为上电极、以ITO作为衬底和下电极，利用射频磁控沉积技术在ITO衬底上先后镀上TiOCu和Ga2O3薄膜而形成阻变层，然后在ITO衬底上和已经镀氧化镓的薄膜上溅射钛(Ti)和金(Au)薄膜，制成ITO/TiOCu/Ga2O3/Ti/Au结构的存储器件，并实现了多值存储功能。本发明的优越性在于通过异质结界面处缺陷的移动而产生单双极阻变，制备的阻变存储器件具有稳定的保持特性、循环特性以及多阻态阻变存储性能，提高了存储器的存储容量和使用寿命。
一种多阻态双层薄膜结构储存器及其制备方法