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[发明专利]一种氮化镓单晶材料及其制备方法-CN201810717305.2有效
发明人：谢奎;席少波;胡秀丽 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量氮化镓极性(0001)C面、非极性(10‑10)M面和(11‑20)A面单晶材料，以解决现有技术中氮化镓单晶材料异质生长和提高氮化镓器件性能的问题，大幅提高了氮化镓单晶材料的品质。所述氮化镓单晶材料包括A多孔氮化镓单晶晶体或多孔氮化镓单晶薄膜；和B氮化镓单晶薄膜；其中，所述B氮化镓单晶薄膜生长于所述A多孔氮化镓单晶晶体或多孔氮化镓单晶薄膜上。
一种氮化镓单晶材料及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓X射线探测器及其制备方法-CN202110176376.8在审
发明人：齐红基;王超;赛青林;田瑞丰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓X射线探测器及其制备方法，氧化镓X射线探测器的制备方法包括步骤：提供氧化镓单晶；对所述氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片；对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片；在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到氧化镓本发明采用氧化镓单晶，并将氧化镓单晶切割后得到单晶基体片，并对单晶基体片进行退火处理，通过退火处理降低氧化镓单晶中自由电子浓度，使得氧化镓X射线探测器在电压下更快响应，缩短了响应时间。
一种氧化射线探测器及其制备方法

[发明专利]氮化镓单晶的制备方法-CN201110119706.6无效
发明人：刘良宏;庄德津 -专利权人：青岛铝镓光电半导体有限公司
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氮化镓单晶的制备方法包括：提供衬底，所述衬底为单晶氮化铝衬底或单晶氮化镓衬底；在所述衬底上生长氮化镓单晶。本发明利用氮化铝单晶或氮化镓单晶衬底为晶种，来形成氮化镓单晶，由于氮化铝单晶或氮化镓单晶衬底具有相近似或相同的晶格常数，以及几乎相同的热膨胀系统，从而形成高质量(低应力、低位错密度)的氮化镓单晶，无需采用激光剥离或应力自剥离
氮化镓单晶制备方法

[实用新型]一种氮化镓外延片及半导体器件-CN202122921034.2有效
发明人：李利哲;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓外延片及包含氮化镓外延片的半导体器件。所述氮化镓外延片包括：衬底层，缓冲层，多晶氮化镓层，单晶氮化镓层和氮化镓外延层；其中，衬底层；缓冲层位于衬底层上层；多晶氮化镓层位于缓冲层上层；单晶氮化镓层位于多晶氮化镓层上层，单晶氮化镓层的厚度大于多晶氮化镓层的厚度，单晶氮化镓层的生长温度和压力均大于多晶氮化镓层的生成温度和压力；氮化镓外延层位于单晶氮化镓层上层，氮化镓外延层的生长温度小于单晶氮化镓层的生长温度。本实用新型利用缓冲层缓冲晶格失配产生的应力，利用多晶氮化镓层缓冲应力，采用单晶氮化镓层进一步缓冲应力，同时提高外延片的质量，减少位错密度，生成高质量的氮化镓外延层。
一种氮化外延半导体器件

[发明专利]氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质-CN202310933061.2在审
发明人：蔡德敏;徐锦海 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本申请提供了氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质。氮化镓单晶的腐蚀方法包括：获取氮化镓单晶的初始状态信息，初始状态信息包括氮化镓单晶的厚度信息；基于预设的第一参数信息，将放置于容器内的氮化镓单晶进行初次腐蚀，第一参数信息包括第一浸泡时长和第一浸泡温度，容器内盛装有浸没氮化镓单晶的腐蚀液；基于初始状态信息和/或第一参数信息，检测氮化镓单晶的初次腐蚀是否满足第一结束条件；当满足第一结束条件时，基于预设的第二参数信息对氮化镓单晶进行二次腐蚀，以得到腐蚀后的氮化镓单晶腐蚀方法将初次腐蚀和二次腐蚀两个关联步骤用于氮化镓单晶的腐蚀，具有废品率低等优点。
氮化镓单晶腐蚀方法电子设备存储介质

[发明专利]氮化镓单晶衬底的制备方法-CN202010437129.4有效
发明人：卢敬权;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓单晶衬底的制备方法，包括：1)提供一氮化镓模板，包括蓝宝石衬底、缓冲层、第一非掺杂或掺杂氮化镓层、超晶格量子阱层及第二非掺杂或掺杂氮化镓层；2)采用氢化物气相外延方法在氮化镓模板上外延生长第一氮化镓层；3)采用激光剥离方法将氮化镓模板中的蓝宝石衬底剥离，获得薄氮化镓单晶衬底；4)采用氢化物气相外延方法在薄氮化镓单晶衬上外延生长第二氮化镓层，获得厚氮化镓单晶衬底；5)将厚氮化镓单晶衬底进行研磨抛光，获得氮化镓单晶衬底本发明通过设置超晶格量子阱层，可以有效降低氮化镓单晶衬底与蓝宝石衬底之间的晶格失配，有效降低或避免氮化镓单晶衬底的翘曲，提高器件性能。
氮化镓单晶衬底制备方法

[发明专利]一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法-CN202110186966.9在审
发明人：齐红基;赛青林 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法，掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法包括步骤：提供掺Al氧化镓单晶；对所述掺Al氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片；对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片；在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器。本发明采用掺Al氧化镓单晶，通过在氧化镓中掺杂Al提高探测器的电阻率，并将掺Al氧化镓单晶切割后得到单晶基体片，并对单晶基体片进行退火处理，通过退火处理降低掺Al氧化镓单晶中自由电子浓度，从而提高探测器的灵敏度
一种 al 氧化射线探测器及其制备方法

[发明专利]氮化镓体单晶及其生长方法-CN202011458817.5有效
发明人：司志伟;刘宗亮;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓体单晶及其生长方法。所述生长方法包括：在以助熔剂法生长氮化镓体单晶的过程中，在氮化镓体单晶与籽晶的界面处形成孔洞结构，使生长形成的氮化镓体单晶与籽晶之间形成弱连接；以及破坏所述弱连接，使氮化镓体单晶与籽晶分离。本发明实施例提供的可实现籽晶重复利用的氮化镓体单晶的生长方法，利用助熔剂法进行氮化镓体单晶的同质外延，并利用孔洞辅助的方式进行氮化镓体单晶与籽晶的分离，在实现籽晶的循环利用的同时，降低了籽晶和氮化镓体单晶的分离难度，进而降低助熔剂氮化镓的生长成本。
氮化镓体单晶及其生长方法

[发明专利]非极性/半极性氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法-CN201910038242.2有效
发明人：刘宗亮;徐科;任国强;王建峰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种助熔剂法生长非极性/半极性氮化镓单晶的方法，包括：沿选定的解理面对氮化镓晶片进行解理，并将所获氮化镓晶片排列成阵列，获得解理面氮化镓单晶阵列；以所述解理面氮化镓单晶阵列作为籽晶，利用助熔剂法液相外延合并生长获得沿解理面的非极性/半极性氮化镓单晶。较之现有技术，本发明在助熔剂法液相外延生长氮化镓过程中，利用质量均匀的作为籽晶的非极性/半极性氮化镓单晶阵列，通过液相外延合并生长，获得较高质量的非极性/半极性氮化镓单晶，进一步采用该氮化镓单晶进行液相外延，可获得非极性/半极性的氮化镓体单晶。
极性氮化镓单晶及其熔剂生长方法

[发明专利]极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法-CN201810179912.8有效
发明人：刘宗亮;徐科;任国强;王建峰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，包括：于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶；对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，并对腐蚀区域进行填埋处理，获得包含有填埋物的氮化镓单晶，再以包含有填埋物的氮化镓单晶作为籽晶，利用液相外延方法生长获得极低位错密度氮化镓单晶。较之现有技术，本发明可以基于助熔剂法液相外延生长工艺，利用两步法获得极低位错密度氮化镓单晶，工艺简单易操作，成本低廉，可以实现极低位错密度氮化镓单晶的大规模生产。
低位密度氮化镓单晶及其熔剂生长方法

[发明专利]一种砷化镓单晶晶体及其制备方法-CN202210403538.1在审
发明人：高佑君 -专利权人：山西中科晶电信息材料有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓单晶晶体及其制备方法。一种砷化镓单晶晶体，载流子浓度为1×1018～4×1018/cm3，迁移率为1700～2600cm2/v•s；在同等Si载流子浓度下，所述以SixAsy化合物为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度比以单质Si为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度至少低20%；所述砷化镓单晶晶体的B含量≤5×1018/cm3。本申请的砷化镓单晶晶体的制备方法是在砷化镓单晶生长前，使SixAsy化合物分布于砷化镓多晶中。此制备方法能够减轻砷化镓单晶的“B污染”，从而提高砷化镓单晶晶体的性能。
一种砷化镓单晶晶体及其制备方法

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备-CN201310510132.4有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺及其设备

[实用新型]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备-CN201320662632.5有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长设备

[发明专利]多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法-CN201510659806.6在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
多室砷化镓单晶生长及其方法

[发明专利]利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法-CN201811606677.4在审
发明人：张文霞;高润飞;高树良;谷守伟;裘孝顺;武志军;郭志荣;刘伟;张全顺 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，将多晶硅和掺镓单晶硅回收料进行混合装料，熔融后进行单晶拉制，多晶硅和掺镓单晶硅回收料装料时，多晶硅与掺镓单晶硅回收料的质量比按能使合格电阻率区间最大化的比例配置本发明的有益效果是利用掺镓单晶硅回收料进行单晶硅棒的生产，利用固态的含镓回收料，代替了掺镓合金，不需在直拉单晶过程中再次补掺镓元素或合金，不仅提高了回收料的利用率，同时避免了资源的浪费，节省了原材料，降低了生产成本
回收料单晶硅多晶硅直拉单晶硅棒装料低光比例配置单晶硅棒单晶拉制直拉单晶电阻率质量比最大化镓合金镓回收镓元素熔融生产成本生产合金

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