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[发明专利]场效应晶体管及其制备方法及在其漂移层中制备凹槽结构的方法-CN202310664202.5在审
发明人：陈端阳;齐红基;包森川 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种场效应晶体管及其制备方法及在其漂移层中制备凹槽结构的方法，在场效应晶体管的漂移层中制备凹槽结构的方法包括步骤：提供表面上设置有第一漂移层的衬底；将掩膜版放置在第一漂移层上预形成凹槽结构底部的位置；然后在第一漂移层上非掩膜版覆盖的区域外延生长出第二漂移层；利用刻蚀液刻蚀掉掩膜版，在场效应晶体管的第二漂移层中制备得到凹槽结构。本发明采用选区外延的方式，在第一漂移层上非掩膜版覆盖的区域外延第二漂移层，利用刻蚀液刻蚀掉掩膜版，制备得到凹槽结构，避免了干法刻蚀带来的凹槽结构内壁的刻蚀损伤，有效改善了MOS界面质量，对降低器件漏电流、提升器件耐压性能和阈值电压稳定性具有良好的促进作用。
场效应晶体管及其制备方法漂移凹槽结构

[发明专利]一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法-CN202310687652.6在审
发明人： 齐红基;陈端阳;包森川 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法，器件包括：依次层叠设置的漏极、氧化镓衬底、电流孔径，设置在氧化镓衬底上、并设置在电流孔径相对的两侧且与电流孔径贴合设置的第一电流阻挡层，设置在第一电流阻挡层上并设置在电流孔径相对的两侧且与电流孔径贴合设置的第二电流阻挡层，设置在第一电流阻挡层上并设置在电流孔径相对的两侧且与第二电流阻挡层贴合设置的第一氧化镓漂移层，层叠设置在氧化镓漂移层上并设置在电流孔径相对的两侧且与第二电流阻挡层间隔设置的高导层和源极；层叠设置在第二电流阻挡层、电流孔径及氧化镓漂移层上的绝缘栅介质层和栅极。所述器件具有合适的阈值电压，较低的漏电流，较高的开关比。
一种氧化 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于金刚石终端结构的Ga2-CN202110645737.9有效
发明人：李京波;王小周;赵艳;齐红基 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金刚石终端结构的Ga2O3肖特基二极管及制作方法，该肖特基二极管包括：Ga2O3外延层；有源区，位于Ga2O3外延层的表层中；终端区，位于Ga2O3外延层中且位于有源区的两侧，终端区包括若干第一金刚石终端结构和若干第二金刚石终端结构，若干第一金刚石终端结构间隔排列，若干第二金刚石终端结构间隔排列，且若干第一金刚石终端结构和若干第二金刚石终端结构上下交替分布，若干第一金刚石终端结构与Ga2O3外延层之间、若干第二金刚石终端结构与Ga2O3外延层之间均形成pn结。该肖特基二极管中表面电场被集中逐步引入到器件体内，避免了器件提前击穿现象，提高器件的可靠性，提高了器件在正常的静态特性下的反向耐压能力。
一种基于金刚石终端结构 ga base sub

[发明专利]KDP类晶体籽晶螺旋式生长方法-CN202310099580.3在审
发明人：陶光辉;王斌;齐红基;邵建达;陈端阳;陈征民 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：一种KDP类晶体籽晶制作和点晶方式，本发明提供的方法中，籽晶的下端连接有带螺纹的圆柱，能与晶盘的凹槽相连接，起到固定的作用，上端安装小型磁铁，在点晶时可以与点晶圆杆内的磁铁相吸。由于籽晶是后放入溶液中的，改变了先前的预置式点晶方式，即在溶液转移入生长槽前，先将籽晶安放在晶盘上，并覆盖一层保护膜，保护籽晶在溶液过热过程中不被溶解。用本发明提出的籽晶制作和点晶方式规避了因籽晶提前放入溶液中而引入的外来物，可能对生长溶液产生污染的隐患，并且籽晶和晶盘连接稳定，不易产生晃动，降低了杂晶产生的风险。
kdp 晶体籽晶螺旋式生长方法

[发明专利]一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法-CN202211500010.2在审
发明人：陈端阳;齐红基;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法，器件包括依次层叠设置的漏极、Ga2O3衬底、第一Ga2O3外延层、注入有受主离子的Ga2O3层、高掺杂n型Ga2O3层、源极；高掺杂n型Ga2O3外延层表面设置有向Ga2O3衬底方向凹陷、底部抵至第一Ga2O3外延层中的凹槽；还包括：设置在凹槽内壁上的第二Ga2O3外延层；层叠设置在第二Ga2O3外延层及高掺杂n型Ga2O3层上的绝缘栅介质层、栅极。本发明中第二Ga2O3外延层的引入将导电通道从注入有受主离子的Ga2O3层转移至第二Ga2O3外延层，可大幅提升器件的饱和电流，可通过提高受主离子注入浓度来降低器件关态下漏电。
一种氧化 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓肖特基结紫外探测器及制备方法-CN202110765243.4有效
发明人：李京波;王小周;赵艳;齐红基;高歌 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镓肖特基结紫外探测器及制备方法，探测器包括：氧化镓衬底、氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层、若干肖特基接触电极、欧姆接触电极和若干金属导电电极，氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层位于氧化镓衬底上，若干肖特基接触电极间隔分布在氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层的表层中，若干金属导电电极间隔分布在氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层的表面上，欧姆接触电极位于氧化镓衬底下。该探测器在紫外光照射下，镓纳米粒子产生等离激元共振效应，使其表面电场增强，散射截面增大，与氧化剂材料之间发生能量及热电子转移，大幅增强氧化镓基探测器对日盲光的探测能力，提升探测器的响应灵敏度。
一种氧化镓肖特基结紫外探测器制备方法

[发明专利]一种基于Ga2-CN202110645745.3有效
发明人：李京波;王小周;赵艳;齐红基 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ga2O3终端结构的4H‑SiC肖特基二极管及制作方法，包括：SiC外延层；有源区，位于所述SiC外延层的表层中；终端区，位于所述SiC外延层中且位于所述有源区的两侧，其中，所述终端区包括若干间隔排列的Ga2O3终端结构，所述Ga2O3终端结构与所述SiC外延层之间均形成pn结。该肖特基二极管中终端区采用Ga2O3材料，Ga2O3具有较高的击穿场强，可以显著降低4H‑SiC肖特基二极管周边区域的电场集中现象，降低器件的漏电流，提升器件可靠性，保证器件在正常的静态特性下可以显著提升反向耐压能力。
一种基于 ga base sub

[发明专利]一种p型栅增强型氧化镓基CAVET器件及其制备方法-CN202211705932.7在审
发明人： 齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种p型栅增强型氧化镓基CAVET器件及其制备方法，CAVET器件包括从下至上依次层叠设置的漏极、氧化镓衬底、氧化镓漂移层；还包括：电流孔径，设置在氧化镓漂移层上；电流阻挡层，设置在氧化镓漂移层上并设置在电流孔径相对的两侧；沟道层，设置在电流孔径和电流阻挡层上；高导层，设置在电流阻挡层上并设置在沟道层相对的两侧；p型半导体层，设置在沟道层上并与沟道层形成PN结；栅极，设置在p型半导体层上；源极，设置在高导层上。本发明在栅下方设置p型半导体层，形成p型栅结构，利用p型半导体层将沟道层中的电子耗尽的同时又不增加器件导通电阻，实现了垂直增强型氧化镓基CAVET器件。
一种增强氧化 cavet 器件及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202211500351.X在审
发明人： 齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓肖特基势垒二极管及其制备方法，氧化镓肖特基势垒二极管包括：Ga2O3衬底；设置在Ga2O3衬底一表面上的Ga2O3漂移层，Ga2O3漂移层远离Ga2O3衬底的一侧设置有若干个凹槽，凹槽中设置有p型半导体；p型半导体与Ga2O3漂移层形成PN异质结；Ga2O3漂移层远离Ga2O3衬底一侧的外侧面为斜面；设置在所述Ga2O3衬底远离Ga2O3漂移层的一侧的阴极；设置在Ga2O3漂移层远离Ga2O3衬底一侧的表面及p型半导体上的阳极。本发明中通过PN异质结分担结终端的场强以提升器件耐压性能；通过斜面进一步分担结终端的场强，从而进一步提高了器件的耐压性能，避免了结终端区域被击穿。
一种氧化肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法-CN202211500026.3在审
发明人： 齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/167 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化剂基MOSFET器件及其制备方法，器件包括依次层叠设置的漏极、Ga2O3衬底、Ga2O3漂移层、注入有第一受主离子的Ga2O3层、高掺杂Ga2O3层、源极；高掺杂n型Ga2O3外延层表面设置有向Ga2O3衬底方向凹陷底部抵至Ga2O3漂移层中的凹槽；凹槽的底部垂直向下延伸至Ga2O3漂移层中预设深度处的区域注入有第二受主离子，还包括：层叠设置在凹槽内壁及高掺杂n型Ga2O3层上的绝缘栅介质层、栅极。本发明在凹槽底部注入第二受主离子作为补偿受主实现电子耗尽，形成Ga2O3高阻区，将场强集中区域从绝缘栅介质转移至此Ga2O3高阻区，提升器件的耐压能力、击穿电压及可靠性。
一种氧化 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]导模法生长对称放肩氧化镓晶体的热场结构-CN202211617661.X在审
发明人：潘明艳;黄浩天;齐红基;孔文博;张璐 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种导模法生长对称放肩氧化镓晶体的热场结构，包括铱金坩埚，气体的输入管道对称地设置如下：在所述的保温桶上端的两侧对称地各设有一条第一气流通道；或依次经所述的石英筒、上保温体与所述的观察口两相对的位置处对称地各开设一条第二气流通道；或在所述的保温桶的底部埋一根管道称为第三气流通道，该第三气流通道依次经所述的保温桶、保温砂、下隔热垫板的中轴线进入所述的组合结构，连接所述的炉膛和保温腔；气体由所述的气流通道流入并由所述的顶部盖板的开孔处流出保温腔形成对称流场。本发明可以实现导模法生长氧化镓单晶的对称放肩，减少生长时间，提高晶圆产率。
导模法生长对称氧化晶体结构

[发明专利]抑制氧化镓挥发的热场结构-CN202211619076.3在审
发明人：潘明艳;张璐;齐红基;孔文博 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种抑制氧化镓挥发的热场结构，包括铱金坩埚，在所述的铱金坩埚外部采用中轴对称的多层保温结构统称为下热场，该下热场从内而外依次是保温砂、内保温桶和外保温桶，且所述内保温桶和外保温桶的底部密封；所述的铱金坩埚的上部采用中轴对称的多层保温结构统称为上热场，该上热场从内而外依次是上保温体、石英筒和外石英筒，在所述的上保温体上开有观察孔。本发明采用保温的上、下两部分热场，底部密封，可大幅降低氧化镓原料在高温下的挥发及气流不稳定问题，提升晶体生长过程的稳定性，为规模化高质量氧化镓单晶制备提供重要依据。
抑制氧化挥发结构

[发明专利]一种垂直增强型FinFET器件及其制备方法-CN202211562789.0在审
发明人： 齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直增强型FinFET器件及其制备方法，所述器件包括从下至上依次层叠设置的漏极、Ga2O3衬底、具有凸起的鳍部的Ga2O3漂移层，所述器件还包括：依次层叠设置在Ga2O3漂移层凸起的鳍部上的Ga2O3高阻层、Ga2O3高导层、源极；Ga2O3高阻层中掺杂有受主离子；设置在Ga2O3漂移层凸起的鳍部侧壁及Ga2O3漂移层表面上的绝缘栅介质层；以及，设置在绝缘栅介质层上的栅极。本发明在FinFET器件的鳍型电子沟道中形成掺杂有受主离子的Ga2O3高阻层，实现电子耗尽，然后利用栅压促进电子在绝缘栅介质附近形成电子积累层，从而实现垂直增强型FinFET器件。
一种垂直增强 finfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于深度学习和导模法的高阻型氧化镓的质量预测方法、制备方法及系统-CN202011639219.8有效
发明人： 齐红基;王晓亮;陈端阳;赛青林 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度学习和导模法的高阻型氧化镓的质量预测方法、制备方法及系统，质量预测方法包括步骤：获取导模法制备高阻型氧化镓单晶的制备数据，所述制备数据包括籽晶数据、环境数据以及控制数据，所述控制数据包括掺杂元素浓度、掺杂元素类型；对所述制备数据进行预处理，得到预处理制备数据；将所述预处理制备数据输入训练好的神经网络模型，通过所述训练好的神经网络模型得到所述高阻型氧化镓单晶对应的预测质量数据，所述预测质量数据包括预测电阻率。本发明可通过训练好的神经网络模型对高阻型氧化镓单晶的质量进行预测，因此可以调整制备数据得到需要的高阻型氧化镓单晶的性能，使得高阻型氧化镓单晶的性能得到优化。
一种基于深度学习导模法高阻型氧化质量预测方法制备系统

[发明专利]一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法-CN202211374999.7在审
发明人： 齐红基;陈端阳;包森川;张龙 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法，探测器包括：导电衬底；氧化镓薄膜，设置在导电衬底一表面上，氧化镓薄膜远离导电衬底的一侧设置有凹槽；氧化镓纳米线阵列，设置在凹槽中；二维材料层，覆盖在氧化镓纳米线阵列及氧化镓薄膜上，并与氧化镓纳米线阵列形成异质结结构；阴极，设置在导电衬底远离所述氧化镓薄膜的一侧；阳极，设置在二维材料层远离氧化镓纳米线阵列的一侧。本发明通过异质结形成的内建电场与氧化镓纳米线阵列压电效应产生的压电势构建的内建电场相叠加，加快载流子分离和迁移，降低载流子的复合率，大幅提高探测器在日盲紫外光照下的电流，提高探测器的响应度和响应速度，提高探测器的光电探测性能。
一种氧化镓日盲紫外探测器及其制备方法

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