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[发明专利]制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法-CN200610039392.8无效
发明人：刘贵锋;解新建;王玉琦 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法。装置为真空室(1)两端分别连通氮气管(2)、氯化氢气管(3)、氨气管(4)和排气管(8)，室内置有内置反应腔(14)的源区(5)和内置旋转支撑架(7)的生长区(6)，反应腔(14)中置有金属镓(13)；方法为将覆有氮化铝膜和氮化镓膜的衬底置于支撑架上，并使真空室处于氮气氛后将源区和生长区的温度升至500～550℃下2.5～3小时，再向真空室通入氨气和氮气，并将源区的温度升至850～900℃、生长区的温度升至1030～1070℃后，在继续通入氮气和氨气的同时，先由氯化氢气管加入氮气，再由其加入氯化氢气，并使支撑架旋转，而制得氮化镓单晶薄膜材料。它制得的氮化镓单晶薄膜材料的品质极高。
制备氮化镓单晶薄膜材料装置方法

[发明专利]镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法-CN201210277267.6有效
发明人：肖雪芳;陈朝 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法，涉及一种探测器。提供一种用于红外上转换材料检测的镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法。探测器设有外延片，外延片自下而上依次设有n型高掺杂磷化镓单晶衬底、非掺杂的磷化镓缓冲层、非掺杂的GaAs0.15P0.85光吸收层和非掺杂的磷化镓帽层，在外延片的n型高掺杂磷化镓单晶衬底的底部设n型欧姆接触电极；在外延片的非掺杂的磷化镓帽层上依次生长氮化硅掩膜、通过锌扩散形成的p型高掺杂扩散层、p型欧姆接触电极和氮化硅抗反射膜。
镓砷磷磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法

[发明专利]一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构-CN201511032304.7在审
发明人：刘丽蓉;马莉;夏校军 -专利权人：东莞市青麦田数码科技有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，该结构自上而下依次是：一半绝缘单晶砷化镓衬底(101)；一在该砷化镓单晶衬底层(101)上形成的砷化镓沟道层(102)；一在该N型掺杂的砷化镓沟道层
一种 gan 界面 gaas 沟道 mos 结构

[发明专利]氧化镓衬底-CN201580033965.3在审
发明人：舆公祥;渡边信也;山冈优;渡边诚 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社光波
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供一种线状凹坑少的氧化镓衬底。能够获得单晶表面的线状凹坑的密度的平均值在1000个/cm2以下的氧化镓衬底。
氧化衬底

[发明专利]高功率元件总成-CN202210066910.4在审
发明人：何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明是一种高功率元件总成，包含有一基板、一成核层、以及一高功率元件，该基板的材质为单晶碳化硅、单晶硅与单晶蓝宝石以外的其他材质，例如金(Au)、金合金、铜(Cu)、铜合金、钨铜(CuW)、钨铜合金、铜钼铜(CuMoCu)、铜钼铜合金、多晶或单晶钻石(polycrystalline or single crystalline diamond)、氮化铝陶瓷(AlN ceramic)、碳化硅陶瓷(SiC ceramic)或氧化铍陶瓷(BeO ceramic)，该成核层是为单晶氮化铝(AlN)、单晶氮化铝镓(AlGaN)或单晶氮化镓(GaN)材质且覆盖于该基板的表面；该高功率元件是覆设于该成核层的表面。
功率元件总成

[发明专利]太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法及太阳能电池-CN201580072597.3有效
发明人：大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：利用切克劳斯基法，提拉掺镓直拉单晶硅；以及，将前述直拉单晶硅作为原料棒，以1.6气压以上对该原料棒进行浮区处理，由此制造区熔单晶硅由此，可提供一种太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法，该太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法能减少不可避免地进入直拉晶体中的氧，防止生成会对太阳能电池特性造成影响的硼‑氧对，并能抑制浮区处理中的镓掺杂剂的蒸发量，防止单晶硅高电阻化。
太阳能电池用区熔单晶硅制造方法

[实用新型]一种用于提高光电转换效率的单晶硅片-CN201720142066.3有效
发明人：周士杰;陈圣铁 -专利权人：温州隆润科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅片技术领域，尤其是一种用于提高光电转换效率的单晶硅片，包括单晶硅层和二氧化碳钝化层，所述单晶硅层的下表面设有第二二氧化硅层，且二氧化碳钝化层设在第二二氧化硅层的底面，所述单晶硅层的上表面设有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层的上表面设有镓晶体硅层，所述镓晶体硅层的上表面设有单晶硅绒面层。本实用新型结构简单、使用方便，不仅可以提高对单晶硅片的光电转换效率，还可以提高资源的利用效率。
一种用于提高光电转换效率单晶硅

[发明专利]一种同质外延生长氮化镓的方法、氮化镓材料及应用-CN201711212927.1有效
发明人：徐俞;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种同质外延生长氮化镓的方法,其包括：提供氮化镓衬底；在所述衬底上转移或直接生长作为插入层的单层石墨烯；同质外延生长氮化镓。本发明以单层石墨烯为插入层同质外延生长氮化镓，可以获得大尺寸同质外延氮化镓单晶材料，并且生长的氮化镓容易实现机械剥离，剥离后的衬底可以反复使用。
一种同质外延生长氮化方法材料应用

[发明专利]一种内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列及其制备方法-CN201310400268.X有效
发明人：江帅;贺蒙;李建业 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列及其制备方法。在还原性气氛下，将镓源与氮源接触，反应生成的氮化镓气态分子以氧化锌微/纳米线阵列为模板外延生长出内径可控的多孔单晶氮化镓微/纳米管阵列。所述氮化镓微/纳米管阵列的形貌特殊、尺寸均匀、内径可控并且能实现大面积生长。本发明与传统的制备氮化镓微/纳米管阵列的方法相比，不仅简化了氮化镓微/纳米管的合成步骤，降低了生产成本，而且形成了特殊的表面多孔结构。其工艺简单，操作方便，易于实现大规模生产，对实验环境要求较低。
一种内径可控多孔氮化纳米阵列及其制备方法

[实用新型]直拉法生长掺镓硅单晶的装置-CN200720096818.3有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶的装置。它包括单晶炉、加热器、导流筒、石英坩埚、石墨坩埚、保温盖、保温筒、托盘、固化保温碳毡、固化炉底护盘和排气孔。本实用新型使热场系统内充满氩气，结构简单合理，能提高硅单晶质量，可得到掺镓硅单晶纵向电阻率完全符合要求的大直径低位错密度的掺镓硅单晶，能满足高效太阳能电池衬底材料的要求，有广泛的应用价值。
直拉法生长掺镓硅单晶装置

[发明专利]一种锑化镓单晶片全面打磨设备-CN201811393358.X在审
发明人：王歆;吴秀丽;陈琳 -专利权人：湖南大合新材料有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： B24B7/16 文献下载
摘要：一种锑化镓单晶片全面打磨设备。本发明包括底座，其上端设置有支撑架，支撑架的上端设置有顶梁，顶梁的底部设置有第一直线导轨，第一直线导轨上安装有滑鞍，滑鞍左端设置有锑化镓单晶片表面打磨机构；滑鞍右端与横向推进机构连接，实现左右移动；支撑架的左侧设置有第二直线导轨本发明能够对2‑5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片上表面以及侧面进行快速打磨，打磨效果好，效率高，解决了传统手工打磨不均，打磨效率低等缺陷。
锑化镓单晶上端直线导轨升降座支撑架滑鞍打磨位置调节板全面打磨顶梁座体底座电机横向推进机构输出轴连接表面打磨打磨机构上下升降升降机构手工打磨效率低等真空吸盘左右移动侧面快速夹上表面左端

[发明专利]五镓化镍铀单晶体的制备方法、五镓化镍铀单晶体及应用-CN201911326930.5在审
发明人：陈秋云;谢东华;冯卫;周锐 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C30B9/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种五镓化镍铀单晶体的制备方法，包括以下步骤：在一保护气氛下，将原料装入一坩埚中并将带有所述原料的所述坩埚放置于一第一石英管内；将带有所述坩埚的所述第一石英管抽真空并密封；将带有所述坩埚的所述第一石英管装入一第二石英管内；将带有所述第一石英管的所述第二石英管抽真空并密封，得到一双层石英管；加热所述双层石英管；以及对所述双层石英管进行降温，从而得到所述五镓化镍铀单晶体。本发明提供的所述制备方法制备的五镓化镍铀单晶体的纯度高。本发明还提供一种由所述制备方法制备的五镓化镍铀单晶体及其应用。
五镓化镍铀单晶体制备方法应用

[发明专利]基于MOCVD法在硅酸镓镧类晶体衬底上生长GaN单晶薄膜的方法-CN202111676060.1在审
发明人：郑燕青;王帅;孙志刚 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了基于MOCVD法在硅酸镓镧类晶体衬底上生长GaN单晶薄膜的方法，特点是包括以下步骤：（1）将清洁后的硅酸镓镧类晶体衬底放入金属有机化合物化学气相沉积腔室，向反应室通入H2base:Sub>与NH3的混合气，升温至1000‑1200˚C，保持反应室压力为100‑300 mbar的条件下对衬底高温处理3‑8 min；（2）以三甲基镓和NH3为气源，在400～600˚C温度范围内，在硅酸镓镧类晶体衬底上生长一层低温GaN成核层；（3）将反应室升温至900～1200˚C，在低温GaN成核层上生长出高温GaN单晶薄膜，优点是晶格失配性和热膨胀系数失配性均较低，GaN单晶薄膜质量高。
基于 mocvd 硅酸镓镧类晶体衬底生长 gan 薄膜方法

[发明专利]一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置及其掺杂方法-CN201110360275.2有效
发明人：孙新利;郭兵健;黄笑容;何国君;徐一俊 -专利权人：浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置，包括具有底部掺杂孔的掺杂杯，所述掺杂杯上设有悬挂结构，悬挂结构上设有与提拉夹头相匹配的吊杆；所述掺杂杯的材质为熔点高于硅且不易与熔硅反应的材质；所述掺杂孔内填充有固化的熔硅本发明还提供了使用上述掺杂装置的直拉硅单晶的镓元素掺杂方法，其中使用前用熔硅封住掺杂杯底部掺杂孔；使用时下降掺杂杯至液面下3～8mm，浸没掺杂孔，待封住掺杂孔的硅料熔化，镓元素将沿着掺杂孔流向熔硅。本发明镓元素掺杂装置能够实现多次重复使用，在实现掺杂后，充分利用熔硅特点和单晶炉内温度分布特点对掺杂杯进行封闭，可多次使用，具有成本低的优点。
一种直拉硅单晶元素掺杂装置及其方法

[发明专利]生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚及微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的方法-CN202011460099.5在审
发明人：薛冬峰;陈昆峰;潘婷钰 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于微下拉法生长可弯曲柔性稀土单晶光纤的坩埚，所述坩埚的底部通过锥形孔与毛细管相连通；所述锥形孔的大孔位于所述坩埚底部，所述锥形孔的小孔与毛细管相连通；所述坩埚的底部为斜面；所述稀土单晶包括钆镓石榴石单晶或掺杂钆镓石榴石单晶本发明设计的具有特殊结构的坩埚，靠近底端开孔的坩埚内壁和毛细孔采用锥形管连接设计，保障熔体流动性，实现了可弯曲单晶光纤的可控生长。本发明还提供了微下拉法中稀土单晶光纤生长速率的计算方法，利用该坩埚配套温度场结构结合理论计算，实现了可弯曲单晶光纤的微下拉法生长，最终得到了高品质的柔性单晶光纤。
生长弯曲柔性稀土光纤坩埚下拉方法