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[实用新型]一种低反射率且就具有防护性的单晶硅片-CN201720142142.0有效
发明人：周士杰;陈圣铁 -专利权人：温州隆润科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅片技术领域，尤其是一种低反射率且就具有防护性的单晶硅片，包括单晶硅层，所述单晶硅层的底面设有导电杂质扩散层，所述导电杂质扩散层的底面设有二氧化碳钝化层，所述单晶硅层的上表面设有开设有镓晶体硅层，所述镓晶体硅层的上表面设有多个单晶硅凸块，所述单晶硅凸块的上表面还铺设有吸光膜，所述吸光膜的上表面设有透明防护罩，所述单晶硅层的四周边沿设有橡胶层，且橡胶层的顶端与单晶硅凸块处于同一水平直线，橡胶层的底端与二氧化碳钝化层处于同一水平直线本实用新型结构简单、使用方便，不仅可以减少单晶硅片自身的反光效率，还能使得自身具有一定的防护性，从而提高单晶硅片的使用寿命。
一种反射率具有防护单晶硅

[发明专利]源极/漏极至氮化镓晶体管中的2D电子气的低接触电阻再生长-CN201480082362.8有效
发明人： H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;S·H·宋;S·K·加德纳;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本说明书涉及包括至少一个源极/漏极结构的氮化镓晶体管，该源极/漏极结构具有在氮化镓晶体管的2D电子气与源极/漏极结构之间的低接触电阻。低接触电阻可以是源极/漏极结构的至少一部分作为邻接2D电子气的单晶结构的结果。在一个实施例中，单晶结构与用作成核位置的氮化镓晶体管的电荷感应层的一部分一起生长。
源极极至氮化晶体管中的电子接触电阻再生

[发明专利]一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法-CN202110701740.8有效
发明人：张保国;邵永亮;胡海啸;郝霄鹏;吴拥中;吕洪 -专利权人：齐鲁工业大学;山东加睿晶欣新材料股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，包括如下步骤：生长用GaN衬底在多温区多气氛的管式生长炉中的装配；GaN衬底在高温下氧化性气氛中氧化制备表面具有氧化镓层的衬底；具有氧化镓层的GaN衬底在腐蚀气体气氛中干刻蚀制备多孔GaN衬底；多孔GaN衬底上生长GaN单晶；生长工艺结束后控制氨气通入量实现界面出GaN分解；降温后烘箱静置得到自剥离GaN单晶。
一种连续调控直接生长剥离氮化方法

[发明专利]一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法-CN201010531195.4无效
发明人：马瑾;孔令沂;栾彩娜 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基镓作为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在立方结构氧化镁衬底上外延生长单斜结构氧化镓薄膜该薄膜是具有单晶结构的外延材料，该薄膜材料的禁带宽度为4.86eV，适于制造紫外透明及短波长光电子器件。
一种氧化镁衬底制备单斜氧化镓单晶薄膜方法

[发明专利]一种硼-镓共掺准单晶硅及其制备方法-CN201110388683.9无效
发明人：黄新明;钟根香;明亮 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼-镓共掺准单晶硅，含有浓度为1×1014/cm3～5×1016/cm3的硼和/或磷以及浓度为1×1014～1×1018/cm3的镓。该准单晶硅可用于制造高效率的薄片太阳能电池；同时由于硼-镓共掺的作用，降低或避免了硼氧复合体的产生，从而降低了电池的光致衰减。本发明还公开了其制备方法，该制备方法简便，易操作，成本低，可规模化生产。
一种镓共掺准单晶硅及其制备方法

[发明专利]金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的方法及其装置-CN95101275.4无效
发明人：张国义;童玉珍;党小忠;金泗轩 -专利权人：北京大学
申请日： 1995-01-27 - 公布日： 1998-02-04 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于生长氮化镓（ＧａＮ）及其有关化合物单晶薄膜的方法及其装置。同轴双管分流器把NH3气与Ⅲ族有机源分别输运，可方便地调整它们的混合点，使两种气体快速混合并层流扩展，最大限度地减小气相副反应；气流压缩型ＭＯＶＰＥ反应系统，解决了热浮力问题，可获得高质量均匀的氮化镓（ＧａＮ）及其有关化合物单晶薄膜，可用于氮化镓（ＧａＮ）－ｂａｓｅｄ兰光ＬＥＤ和ＬＤ的生产和研究。
金属有机物外延制备氮化物薄膜方法及其装置

[发明专利]锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法-CN200910081473.8无效
发明人：陈晓锋;陈诺夫;吴金良;张秀兰;柴春林;俞育德 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法，其中包括以下步骤：步骤1：取一单晶片体，使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光；步骤2：再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光；步骤3：对机械抛光和化学抛光后的单晶片体
掺杂锑化镓单晶化学腐蚀方法

[发明专利]一种通过氢化物气相外延法制备高质量单晶GaN的方法-CN202210689600.8在审
发明人：乔焜 -专利权人：国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及单晶GaN制备技术领域，具体涉及一种通过氢化物气相外延法制备高质量单晶GaN的方法，包括如下步骤：S1、金属镓与氯化氢反应形成氯化镓蒸气；S2、将S1中得到的氯化镓蒸气伴随氨气快速通入到装有衬底材料的反应釜中并使其内部快速降温至173–223K形成液氨；S3、将步骤S2中反应釜一段快速升温至263‑303K；然后二段快速升温至773‑1273K后保持，并保持其内部10‑200MPa的压强1‑48小时，实现高质量单晶GaN快速生长；本发明操作方便，降低了晶格失配度和位错裂纹等缺陷的几率，促进了高质量GaN单晶的电子传输率，减小材料合成流程的能耗，能够用于大规模生产GaN薄膜，进而获得大尺寸的高质量单晶GaN，具有较大的推广价值和市场前景
一种通过氢化物外延法制质量 gan 方法

[发明专利]直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置-CN200710058315.1有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置。该装置是专门用于生长掺镓硅单晶热场装置。单晶炉中装料，降籽晶，下降引细径，晶转提拉，等径生长，控制压力、拉速、氩气流速和晶转，调埚位保持导流筒下沿与液面之间的距离和埚转，按常规工艺调节、收尾和冷却；其中细径拉速为1.5～6.5mm/分钟，细径长度不小于本发明掺镓硅单晶的电阻率在投料量42～45公斤的Φ16″热装置下生长的Φ150mm，P<100>硅单晶的电阻率为0.5Ω·cm～3Ω·cm，从头部至尾部完全分布在所需的电阻率范围之内，为高效太阳能电池的提高效率并抑制效率衰减创造了工业化的基础
直拉法生长掺镓硅单晶方法装置

[发明专利]一种石英舟和利用该石英舟用于一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法-CN201910196498.6有效
发明人：朱崇强;陈亮;杨春晖;马天慧;郝树伟;雷作涛 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种石英舟和利用该石英舟用于一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法，本发明涉及晶体合成装置和方法。本发明是要解决现有的两步生长的单晶杂质高、成本高的技术问题。利用上述的石英舟一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法：将硒与镓加入到石英舟的封闭区，再将石英舟放在石英管中真空封装；在单温区炉合成多晶；然后将石英管直接放入垂直下降炉中生长，得到GaSe单晶。该单晶吸收系数小于0.1cm‑1。可用于晶体合成。
一种石英利用用于一次完成硒化镓多晶合成生长方法

[实用新型]一种新型砷化镓单晶生长装置-CN202221798785.8有效
发明人：代晓波;吕利宁;蒙泽志;彭春文;彭海松;粟誉 -专利权人：独山中科晶元信息材料有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体单晶生产技术领域，且公开了一种新型砷化镓单晶生长装置，包括固定座、加热炉支撑架、加热炉、石英管、氮化硼坩埚、籽晶，所述加热炉支撑架固定安装在固定座的顶部，所述加热炉的数量为四个，四个所述加热炉分别固定安装在加热炉支撑架的前后左右侧该新型砷化镓单晶生长装置，通过启动电机使转轴转动，带动一号锥齿轮和大齿轮转动，配合一号锥齿轮与二号锥齿轮啮合，使拉绳在绕绳辊上收紧或放松，以及大齿轮分别与四个小齿轮啮合，使四个石英管同时在四个加热炉内部进行升降旋转，使四个单晶同步生长，实现了提高砷化镓单晶制备效率的效果。
一种新型砷化镓单晶生长装置

[发明专利]一种纳米线衬底结构及其制备方法-CN201310670650.2有效
发明人：孙兵;刘洪刚;赵威;王盛凯;常虎东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：发明公开了一种纳米线衬底结构及其制备方法，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底；形成于单晶衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的牺牲层；以及形成于牺牲层上的纳米线结构层。本发明是在磷化铟和砷化镓衬底上形成铟镓砷纳米线结构，为铟镓砷沟道纳米线环栅MOSFET提供基础，可应用于CMOS集成技术中，采用铟镓砷来替代硅作为沟道材料有利于提高NMOSFET的电学特性，而纳米线环栅场效应晶体管结构的栅控能力强
一种纳米衬底结构及其制备方法

[发明专利]一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺-CN202210732221.2在审
发明人：郭全斌 -专利权人：浙江康鹏半导体有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺，包括以下步骤：第一步，制备高纯度砷化镓多晶；第二步，半绝缘砷化镓单晶的生长：将第一步制备的高纯砷化镓多晶，按照一定的配料工艺装入热解氮化硼坩埚中，再采用垂直梯度凝固法，由计算机精确控制热场进行缓慢降温，生长界面由熔体下端逐渐向上移动，完成晶体生长，获得半绝缘砷化镓单晶棒；第三步，砷化镓晶片的制备。本发明通过电解与加热线圈精炼获得高纯度砷化镓，同时再采用粗As2O3和与正戊醇经过减压蒸馏冷凝得到高纯砷，进而使得制备的砷化镓晶片纯度更高
一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺

[发明专利]一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置-CN201310559528.8有效
发明人：唐慧丽;徐军;钱小波;罗平;姜大朋;吴锋;王静雅;唐飞 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置，该方法包括：在单晶炉内安装用于加热和保温形成热场的多个热场部件，其水平同中心安装；将内嵌有铱金模具的带盖铱金坩埚放入热场中心；将特定取向的β-Ga2O3籽晶固定于籽晶夹具；将氧化镓原料放入铱金坩埚内，盖好铱金坩埚盖；抽真空后按混合气比例Ar:CO2=9:1～8:2充至炉腔压强为1.05～1.5MPa；感应加热使氧化镓原料完全融化；烤籽晶5～10分钟后接种；待籽晶与熔体充分熔接后引晶缩颈，直至籽晶截面尺寸缩小至1～2mm；扩肩生长阶段；等径生长阶段；晶体生长结束完全脱离模具顶端时停止提拉，缓慢降至室温，获得透明完整无晶界的高质量片状氧化镓单晶。
一种尺寸氧化镓单晶生长方法装置

[发明专利]液相回流一步法可控制备正交相AgIn_1-xGa_xSe₂单晶纳米颗粒的方法-CN201610551532.3有效
发明人：杨晴;张莉 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了液相回流一步法可控制备正交相AgIn1‑xGaxSe2单晶纳米颗粒的方法，其特征在于：以银的可溶性无机盐、镓的有机金属源以及有机硒源作为反应原料，以油胺作为反应溶剂，在回流条件下反应，即得到正交相银镓硒单晶纳米颗粒AgGaSe2；同时，在反应原料中加入铟的有机金属源，即得到正交相银铟镓硒四元化合物单晶纳米颗粒AgIn1‑xGaxSe2。本发明通过调整反应温度和反应时间，可以达到对AgGaSe2形貌的可控调节；通过调整铟与镓的投料比，可以调控AgIn1‑xGaxSe2的组成，进而对其光学带隙进行调控；本发明的反应条件温和、重复性好，所制备的产物质量高
回流一步法可控制备交相银镓硒银铟镓硒单晶纳米颗粒方法