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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

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国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种硅基复合衬底及其制造方法-CN201010156392.2无效
发明人：施建江;杨少延;刘祥林 -专利权人：杭州海鲸光电科技有限公司
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底及其制造方法，该硅基复合衬底包含：一硅单晶基底；一复合应力协变层，形成在硅单晶基底上，该复合应力协变层由氮化铝和氮化钛单晶薄膜材料彼此多次交叠构成；一氮化镓模板层，形成在复合应力协变层上，该氮化镓模板层由氮化镓单晶薄膜材料构成。该硅基复合衬底克服了硅基氮化镓材料大晶格失配问题和大热失配问题，能够大幅度降低氮化镓LED外延片材料制备成本，适合应用与市场推广。
一种复合衬底及其制造方法

[实用新型]一种硅基复合衬底-CN201020168794.X无效
发明人：施建江;杨少延;刘祥林 -专利权人：杭州海鲸光电科技有限公司;施建江
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于制备氮化物半导体外延材料的硅基复合衬底，其特征在于，包含：一硅单晶基底；一复合应力协变层，形成在硅单晶基底上，该复合应力协变层由氮化铝和氮化钛单晶薄膜材料彼此多次交叠构成；一氮化镓模板层，形成在复合应力协变层上，该氮化镓模板层由氮化镓单晶薄膜材料构成。该硅基复合衬底克服了硅基氮化镓材料大晶格失配问题和大热失配问题，能够大幅度降低氮化镓LED外延片材料制备成本，适合应用与市场推广。
一种复合衬底

[发明专利]一种硅单晶及其制备方法、硅片、太阳能电池和组件-CN202011424697.7在审
发明人：杨志;刘有益;王林;沈浩平;张雪囡;高利强;程立波;钟旭;阿古达木 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶，含有磷和镓，硅单晶含有磷和镓部分的单位长度轴向电阻率的变化量为0‑0.3Ω·cm/m；沿硅单晶头部至尾部方向，硅单晶的头部的磷浓度低于尾部的磷浓度。本发明的有益效果是单晶电阻率均匀性好，单晶棒长增加，生产效率提高。
一种硅单晶及其制备方法硅片太阳能电池组件

[实用新型]半绝缘双面抛光微波晶片-CN201520752951.4有效
发明人：戚林 -专利权人：江苏中科晶元信息材料有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半绝缘双面抛光微波晶片，包括晶片本体，所述晶片本体的正面设置有上抛光层，所述晶片本体的背面设置有下抛光层，所述晶片本体的材质为砷化镓。砷化镓拥有一些较单晶硅还要好的电子特性，使得砷化镓可以用在高于250GHz的场合。如果等效的砷化镓和单晶硅元件同时都操作在高频时，砷化镓会产生较少的声音。也因为砷化镓有较高的崩溃压，所以砷化镓比同样的单晶硅元件更适合操作在高功率的场合。
绝缘双面抛光微波晶片

[实用新型]叠设高掺杂层的GaN单晶衬底-CN202023034009.4有效
发明人：顾泓;刘宗亮;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种叠设高掺杂层的GaN单晶衬底。所述叠设高掺杂层的GaN单晶衬底包括籽晶和叠设在所述籽晶上的非掺杂氮化镓层和高掺杂氮化镓层，所述高掺杂氮化镓层分布在两个所述非掺杂氮化镓层之间。本实用新型实施例提供的一种叠设高掺杂层的GaN单晶衬底，通过周期性、间隔式插入氮化镓晶体的高浓度杂质掺杂层，使非掺杂氮化镓层间内的应力得到有效释放，最终有效提高了所得的氮化镓晶体质量。
叠设高掺杂 gan 衬底

[发明专利]一种掺镓装置、掺镓系统及使用方法-CN202010117508.5在审
发明人：杨志;朱毅;乌恩;周泽;王建平;王林;徐强;高润飞;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掺镓装置，包括一由硅材料制成的镓筒主体，镓筒主体设有容置腔，便于镓粉的盛装；一由硅材料制成的连接件，连接件与镓筒主体连接，便于吊装。本发明的有益效果是结构简单，易加工，且使用该掺镓装置进行掺镓时掺镓过程方便；掺镓装置具有连接件，便于掺镓装置通过连接装置与单晶炉重锤连接在一起，使得掺镓装置在单晶炉重锤的作用下进行下降，进行掺镓。
一种装置系统使用方法

[发明专利]一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法-CN201610491437.9在审
发明人：邱俊 -专利权人：南京安京太赫光电技术有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化镓二维材料单晶块材的生长方法，通过以纯硒粉和纯镓粉为原材料，在高温下进行化学反应得到多晶硒化镓材料。将硒化镓多晶放入三温区炉中通过布里奇曼法生长出硒化镓结晶后，再通过沿硒化镓自然解理层切割获得硒化镓二维材料单晶块材。
一种硒化镓二维材料单晶块材生长方法

[发明专利]一种磷镓共掺单晶的拉制工艺-CN202110522378.8在审
发明人：杨志;刘有益;程立波;王林;徐强;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种磷镓共掺单晶的拉制工艺，包括以下步骤：制备含有磷和镓的多晶硅原料；将含有磷和镓的多晶硅原料和埚底料装入坩埚内；依次进行化料、稳温、引晶、放肩、转肩、等径生长和收尾，并控制各个阶段的水冷内导的冷却水的流量为本发明的有益效果是在拉晶的装料时装入含有磷和镓的多晶原料，进行磷元素和镓元素的固相掺杂，通过控制水冷内导的冷却液的流量控制单晶的生长速度，调节速度快，可快速控制单晶用热场，使得单晶的生长过程可控性提高，延长单晶的长度。
一种磷镓共掺单晶拉制工艺

[发明专利]非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法-CN99100087.0无效
发明人：陈诺夫;林兰英;王玉田;何宏家;钟兴儒 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 1999-01-08 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法；利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am；采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差，以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品，每次测量晶格常数后，测量标准样品的晶格常数，计算仪器误差：Δa’＝a’-a’0其中，a’0＝5.431058为硅单晶的标准晶格常数；按下式消除仪器的测量误差，得到准确的单晶晶格常数：a＝am-Δa’，am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值
破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比方法

[实用新型]一种掺镓装置、掺镓系统-CN202020207176.5有效
发明人：杨志;朱毅;乌恩;周泽;王建平;王林;徐强;高润飞;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种掺镓装置、掺镓系统，包括一由硅材料制成的镓筒主体，镓筒主体设有容置腔，便于镓粉的盛装；一由硅材料制成的连接件，连接件与镓筒主体连接，便于吊装。本实用新型的有益效果是结构简单，易加工，且使用该掺镓装置进行掺镓时掺镓过程方便；掺镓装置具有连接件，便于掺镓装置通过连接装置与单晶炉重锤连接在一起，使得掺镓装置在单晶炉重锤的作用下进行下降，进行掺镓。
一种装置系统

[发明专利]氮化镓自立基板、发光元件及它们的制造方法-CN201580001462.8有效
发明人：渡边守道;吉川润;七泷努;今井克宏;杉山智彦;吉野隆史;武内幸久;佐藤圭 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓自立基板，由在大致法线方向具有单晶结构的板形成，所述板由多个氮化镓系单晶粒子构成。该氮化镓自立基板可以通过包含如下工序的方法制造：准备取向多晶烧结体，在取向多晶烧结体上形成包含氮化镓的晶种层，形成的晶种层的晶体取向与取向多晶烧结体的晶体取向基本一致，在晶种层上，形成厚度20μm以上的由氮化镓系结晶构成的层，形成的由氮化镓系结晶构成的层的晶体取向与晶种层的晶体取向基本一致，除去取向多晶烧结体，得到氮化镓自立基板。根据本发明，能够提供廉价且适合大面积化、作为氮化镓单晶基板的替代材料有用的氮化镓自立基板。
氮化自立发光元件它们制造方法

[发明专利]一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置-CN202310773170.2在审
发明人：王书杰;孙聂枫;邵会民;李晓岚;顾占彪;高颖;姜剑;康永;张鑫;谷伟侠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的装置，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；使用装置时，首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶中心区域形成初始熔池，然后下降多晶棒材直至其接触头与初始熔池接触，待熔化界面稳定以后，上移感应线圈，实现氧化镓单晶生长。同时，像生长坩埚中注入富镓熔体，坩埚内的氧化镓单晶与富镓熔体处于热力学平衡，实现对生长单晶的退火。本发明不使用铱坩埚，仅使用一根铱棒作为在生长初期感应源，实现区熔法单晶生长，生长成本低，熔体污染少。
一种感应区熔法生长氧化晶体装置

[发明专利]一种感应区熔法生长氧化镓晶体的方法-CN202310773147.3在审
发明人：王书杰;孙聂枫;邵会民;李晓岚;顾占彪;梁庭敬;姜剑;康永;张鑫;谷伟侠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提出一种感应区熔法生长氧化镓晶体的方法，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括供晶体生长的密封炉体、炉体外的氧化镓添加装置，炉体和氧化镓添加装置连通；首先在籽晶中加入铱棒，然后利用感应加热铱棒，使得籽晶中心区域形成初始熔池，然后下降多晶棒材直至其接触头与初始熔池接触，待熔化界面稳定以后，上移感应线圈，实现氧化镓单晶生长。同时，像生长坩埚中注入富镓熔体，坩埚内的氧化镓单晶与富镓熔体处于热力学平衡，实现对生长单晶的退火。本发明不使用铱坩埚，仅使用一根铱棒作为在生长初期感应源，实现区熔法单晶生长，生长成本低，熔体污染少。
一种感应区熔法生长氧化晶体方法

[发明专利]一种基于氧化镓单晶的辐射探测器及其制备方法-CN201710080008.7有效
发明人：夏晓川;梁红伟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于氧化镓单晶材料的辐射探测器及其制备方法。该辐射探测器以高阻氧化镓单晶为基体，其上下表面和侧面为SiO₂保护层；在氧化镓单晶的SiO₂保护层下表面形成的掩膜图形中依次为锡原子扩散形成的锡掺杂氧化镓层、钛层和金层；在氧化镓单晶的SiO₂保护层上表面形成的掩膜图形中依次为镍层、钛层和金层，各层与上表面存留的SiO₂保护层存在重叠区域。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓辐射探测器的制备难题，实现新型氧化镓基辐射探测器的研制。
一种基于氧化镓单晶辐射探测器及其制备方法

[发明专利]AlN单晶薄膜生长方法及具有该薄膜的声表面波谐振器-CN202010954072.5有效
发明人：李红浪;柯亚兵 -专利权人：广东广纳芯科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种AlN单晶薄膜的生长方法，在硅酸镓镧类单晶上生长AlN单晶薄膜，所述硅酸镓镧类单晶的取向相对于AlN单晶薄膜的[002]晶向的偏差角度在0°至27°范围内。该方法显著提高沉积的AlN单晶薄膜的质量，提高单晶衍射峰的半高宽和薄膜的均匀一致性，有利于提高器件的性能。
aln 薄膜生长方法具有表面波谐振器

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