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[发明专利]真空键合晶圆片的制造方法及圆形夹具总成-CN201910181428.3有效
发明人： 丁刘胜 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空键合晶圆片的制造方法及圆形夹具总成，方法包括：将多个隔离片装配在圆形夹具的圆周上；每一隔离片位于圆形夹具的圆周内的一端距离圆形夹具的中心为第一预设距离，第一预设距离与第一尺径晶圆片的尺径相适应；依次放置一个第一及第一尺径晶圆片在圆形夹具内，二者中心与圆形夹具的中心重合；第二尺径晶圆片的尺径大于第一尺径晶圆片的尺径；依次放置另一个第二及第二尺径晶圆片在圆形夹具内，二者中心与圆形夹具的中心重合；夹住各晶圆片，放入石墨片，得到装配好的圆形夹具总成；将圆形夹具总成放入第二尺径键合机台进行工艺操作，得到真空键合的第一尺径晶圆片。本发明能用第二尺径键合机台真空键合形成第一尺径晶圆片。
真空键合晶圆片制造方法圆形夹具总成

[发明专利]共晶键合的方法-CN201811405166.6有效
发明人： 丁刘胜 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种共晶键合的方法，包括：1)在所述第一、第二晶圆表面形成第一、第二键合材料；2)将第一、第二键合材料对准；3)升温至第一温度下保持第一时间，以去除水气；4)升温至第二温度并施加第一压力，保持第二时间进行预键合；以及5)升温至第三温度并施加第二压力，保持三第时间，在保持所述第三时间的过程中，对所述第一晶圆和所述第二晶圆施加一快速升降温的温度脉冲，或施加一压力脉冲，以使所述第一键合材料与所述第二键合材料实现共晶键合。本发明通过在共晶键合过程中，施加一快速升降温的温度脉冲或施加一压力脉冲，使得键合材料尽快地产生足够的熔融液体，加速共晶键合过程，避免键合空洞的产生，同时，该温度脉冲或压力脉冲时间足够短，可以大大减小熔融液体的扩散时间，避免溢流现象的产生。
共晶键合方法

[发明专利]一种晶圆的对准键合方法-CN201810576405.8有效
发明人：潘强;黄志刚;顾佳晔;丁刘胜;李盈 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆的对准键合方法，包括：于底晶圆的正面形成保护层；于底晶圆的背面形成具有标记刻蚀窗口的掩膜图形；通过控制深反应离子刻蚀工艺的刻蚀参数，于标记刻蚀窗口内的底晶圆中形成黑硅材料标记，黑硅材料标记用以降低底晶圆对入射光线的反射率；去除保护层及掩膜图形；以黑硅材料标记作为对准光线入射口，采用光学对准工艺将底晶圆与顶晶圆进行对准，并键合底晶圆与顶晶圆。本发明通过控制深反应离子刻蚀工艺的刻蚀参数，在需要键合的晶圆背面制作出容易被对准识别的黑硅材料标记，该黑硅材料标记可以降低所述底晶圆对入射光线的反射率，使得在键合中让顶晶圆和底晶圆更加容易对准，两片晶圆键合更加完美。
一种对准方法

[发明专利]一种共晶键合结构及共晶键合方法-CN201810092061.3有效
发明人： 丁刘胜;王诗男;游家杰;李盈 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种共晶键合结构和共晶键合方法，该共晶键合方法包括：在第一基片形成由第一材料形成的连同的第一主键合图形和第一补充键合图形；在第二基片形成由第二材料形成的连同的第二主键合图形和第二补充键合图形，第一材料不同于第二材料；将第一基片和第二基片加热至第一预定温度，并施加预定压力，使第一主键合图形和第二主键合图形、第一补充键合图形和第二补充键合图形共晶熔化；将第一基片和第二基片降温至第二预定温度，其中，第一补充键合图形和第二补充键合图形的共晶熔化温度低于第一主键合图形和第二主键合图形的共晶熔化温度，第一主键合图形和第二主键合图形的共晶熔化温度低于第一预定温度。根据本申请，能提高共晶键合的质量。
一种共晶键合结构方法

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN201811080921.8有效
发明人： 丁刘胜 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本申请提供一种键合结构及其制造方法，该键合方法包括：在第一基板的主表面和/或第二基板的主表面形成由键合材料形成的键合图案和保护图案，所述保护图案位于所述键合图案的外周；以及在预定温度下，对所述第一基板和所述第二基板施加预定压力，使所述第一基板的主表面和所述第二基板的主表面通过所述键合图案和所述保护图案而键合，其中，键合后的所述保护图案形在周向上封闭。根据本申请，在键合图案外周形成保护图案，能够防止对键合结构的键合质量进行检测时水进入到键合结构中。
一种结构及其制造方法

[发明专利]涵道翼型无人机-CN201710707424.5有效
发明人： 丁刘胜;陈政 -专利权人： 丁刘胜
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： B64C27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种涵道翼型无人机，该无人机具有涵道，整体呈翼型，涵道为内部设置有风扇的直管，无人机中还设置有与涵道/直管相连的弯管，从而使得从无人机侧方进入机体的空气由无人机的下方和后方喷出，从而克服重力使之悬浮，克服空气阻力使之前行，再通过调节一部分弯管的喷射方向来调节航速、高度等飞行参数。
涵道翼型无人机

[发明专利]键合方法和键合结构-CN201910844589.6在审
发明人： 丁刘胜;王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种键合方法和键合结构，该键合方法包括：在第二基片的表面形成由导电材料形成的导电连接柱；在第一基片的表面形成由键合胶形成的键合胶图形，所述键合胶图形具有凹陷部，所述第一基片的部分表面从所述凹陷部露出，所述凹陷部的位置与所述导电连接柱对应，所述凹陷部的横向尺寸大于所述导电连接柱的横向尺寸，所述键合胶图形的厚度大于所述导电连接柱的厚度；以及将所述导电连接柱与所述凹陷部对准，在预定的温度条件下，对所述第一基片和所述第二基片施加预定的压力，使所述第一基片与所述第二基片通过所述键合胶图形键合为一体，并且，所述导电连接柱与所述第一基片的从所述凹陷部露出的所述部分表面接触。
方法结构

[发明专利]晶圆键合装置-CN201910327995.5在审
发明人： 丁刘胜;王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆键合装置。所述晶圆键合装置包括晶圆放置台；所述晶圆放置台包括：凹槽，位于所述晶圆放置台的表面，用于容纳晶圆，且所述凹槽相对于水平方向倾斜预设角度，使得所述晶圆能够自所述凹槽的第一端部滑动至与所述第一端部相对的第二端部；凸起，位于所述第二端部，且凸设于所述凹槽的侧壁表面，所述凸起用于与所述晶圆的缺口卡合。本发明简化了晶圆键合过程中的对准操作，提高了晶圆键合效率，降低了晶圆的键合成本。
晶圆键合装置

[发明专利]一种基片的清洗方法和共晶键合方法-CN201811585113.7在审
发明人：李盈;丁刘胜 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种基片的清洗方法和共晶键合方法。该基片的清洗方法包括：使用四甲基氢氧化铵(TMAH)的溶液对基片表面形成的第一图形进行清洗，其中，所述第一图形的材料为锗(Ge)。根据本实施例，能够清除锗材料图形表面的锗的氧化物，从而提高共晶键合的质量，并且价格便宜且容易实现。
一种清洗方法共晶键合

[发明专利]在基体的表面形成凸起结构的方法-CN201611024171.3有效
发明人： 丁刘胜 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供一种在基体的表面形成凸起结构的方法，通过在牺牲层的凹陷部中填充掩模层材料来形成凸起形状的掩模层图形，所以，能够依靠蚀刻等工艺来调整掩模层图形的大小和曲率等形状参数，从而在基体表面制造出满足设计要求的凸起结构。
基体表面形成凸起结构方法

[发明专利]在基体的表面形成斜面的方法-CN201611029732.9有效
发明人： 丁刘胜 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种在基体的表面形成斜面的方法，利用材料在氧化过程中尺寸的变化，使平面相对于基体的表面发生倾斜，从而形成倾斜角度可控的斜面，并且斜面的平整度较高，很好地解决了现有技术存在的问题。
表面形成氧化过程可控的平整度申请

[发明专利]共晶键合方法-CN201510397140.1有效
发明人： 丁刘胜;王旭洪;徐元俊 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供一种共晶键合方法，该方法包括在第一基片表面形成第一突起部和第一键合材料图形；在第二基片表面形成第二突起部和第二键合材料图形；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合；其中，在将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐的情况下，所述第一突起部的位置相对于所述第二突起部的位置具有偏移。根据本申请，能够使两个基片的突起部在键合时形成彼此交叉的梳齿结构，能够达到防止溢流的效果，并且不会影响到键合的效果。
共晶键合方法

[发明专利]硅片正背面图形高精度转移的方法-CN201510127957.7有效
发明人： 丁刘胜;王旭洪;徐元俊 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种硅片正背面图形转移的方法，该方法利用偏移补偿，增加一次投影式曝光(非接触高精度式曝光)，将正/背面图形转移机接触式曝光与投影式曝光相结合，从而达到提高正背面图形的相互转移的对准精度。
硅片背面图形高精度转移方法

[发明专利]键合方法和半导体器件的制造方法-CN201410695956.8有效
发明人： 丁刘胜;王旭洪;徐元俊 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本申请提供一种键合方法和半导体器件的制造方法，该键合方法用于使第一基片与第二基片键合为一体，该键合方法包括：对表面沉积有键合用金属层的所述第一基片进行处理，以使所述金属层的表面生成覆盖物；将所述第一基片与所述第二基片所处环境的温度调整到第一温度，以将所述覆盖物从所述金属层的表面去除，其中，所述第一温度高于所述覆盖物的沸点；维持该第一温度，将所述第二基片与所述金属层的表面贴合，并对所述第一基片和所述第二基片施加压力，以使所述第一基片与所述第二基片键合为一体。根据本申请，在键合用金属层的表面形成覆盖层，并在键合过程中使该覆盖层挥发，以露出干净的金属层表面，从而提高共晶键合的效果。
方法半导体器件制造

[发明专利]曝光方法和半导体器件的制造方法-CN201410682296.X有效
发明人： 丁刘胜;王旭洪;徐元俊 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种曝光方法和半导体器件的制造方法，所述曝光方法包括：在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光，其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。根据本申请的实施例，在光刻胶表面沉积介质层，能够防止在曝光过程中光刻板与光刻胶接触，避免光刻胶对光刻板的粘污，使得清洗光刻板所需的时间和成本减少。
曝光方法半导体器件制造

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