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[发明专利]转移装置、转移系统、转移方法及芯片预检测方法-CN202210384211.4在审
发明人：王斌;张杨;周睿;陈靖中;萧俊龙 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请提供了一种转移装置、转移系统、转移方法及芯片预检测方法。其中，转移装置用于将生长基板上的发光芯片转移至显示背板；包括层叠设置的第一转移件及第二转移件，第一转移件能够相对于第二转移件移动；第一转移件开设有多个用于放置发光芯片的第一通孔，且相邻第一通孔之间的间距与生长基板上相邻发光芯片之间的间距相同；第二转移件开设有多个第二通孔，且相邻第二通孔之间的间距与显示背板上相邻焊盘之间的间距相同；其中，第二通孔的宽度不小于第一通孔的宽度，且初始状态下，第二通孔与第一通孔在层叠方向上错开。上述转移装置，通过第一转移件和第二转移件沿垂直于转移装置的层叠方向相对位移，能够高效的转移发光芯片至背板。
转移装置系统方法芯片预检

[发明专利]一种发光芯片、发光芯片外延层及制作方法-CN202210397174.0在审
发明人：孙威威 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光芯片、发光芯片外延层及制作方法。通过发光芯片外延层包括N型层；生长于N型层之上的量子阱层；生长于量子阱层之上的P型层；P型层包括依次层叠于量子阱层之上的P型限制层、过渡层及P型窗口层；P型限制层为Aly1Iny2P层，P型窗口层为GaP层；过渡层包括Al、In、Ga和P，且过渡层自远离Aly1Iny2P层的方向Al的组分递减，Ga的组分递增,y1和y2大于0,且y1+y2＝1，减小了P型限制层与P型窗口层之间的晶格失配，有利于P型窗口层长晶。
一种发光芯片外延制作方法

[发明专利]转移装置及转移方法-CN202210383211.2在审
发明人：王斌;张杨;周睿;陈靖中;萧俊龙 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请涉及一种转移装置及转移方法。转移装置包括层叠设置的第一转移件及第二转移件。第一转移件能够相对于第二转移件移动。第一转移件开设有多个用于放置发光芯片的第一通孔组。第二转移件开设有多个第二通孔组，相邻第二通孔组之间的间距与显示背板上相邻焊盘组之间的间距相同，且相邻第二通孔组之间的间距大于相邻第一通孔组之间的间距。其中，第二通孔的尺寸不小于第一通孔的尺寸，且第二通孔组可与第一通孔组在层叠方向上保持错开的状态。本申请通过设置可相对移动的第一转移件和第二转移件，可调整像素单元之间的间距，实现多个发光芯片的巨量转移，实现像素单元的巨量转移，简化了转移步骤，降低了转移成本。
转移装置方法

[发明专利]转移装置、发光芯片的巨量转移方法和显示面板-CN202210384202.5在审
发明人：王斌;张杨;周睿;陈靖中;萧俊龙 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种转移装置，所述转移装置包括：第一转移结构以及可相对于所述第一转移结构移动的第二转移结构；所述第一转移结构包括多个间隔设置的第一通孔，所述第二转移结构包括多个间隔设置的第二通孔，所述第二通孔的位置与显示背板上焊盘的位置相对应；当所述第二转移结构的第二通孔与所述第一转移结构的第一通孔对齐且贯通时，发光芯片通过所述第一通孔和所述第二通孔转移至所述显示背板的焊盘上。本发明还提供了一种发光芯片的巨量转移方法以及一种显示面板。
转移装置发光芯片巨量方法显示面板

[发明专利]一种近眼显示装置和AR设备-CN202210386994.X在审
发明人：翟峰;萧俊龙 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种近眼显示装置包括：输出第一图像的第一显示器；输出第二图像的第二显示器，第一图像用于修补第二图像中的缺陷；设置于第一显示器的出光面和第二显示器的出光面之间的夹角中，可透射第二图像并反射第一图像以合成第三图像的合光镜；将第三图像传导到人眼所在的位置的图像输出组件。通过第一图像修补第二图像中的缺陷，当第二显示器产生的第二图像的光线透射经过合光镜时，合光镜反射第一显示器产生的第一图像的光线，让第二图像去修补第一图像中的缺陷得到完整的第三图像，从而解决了近眼显示装置的图像源在制备中产生的坏点修补困难问题，降低了近眼显示装置的制造成本和制造时间。
一种显示装置 ar 设备

[发明专利]转移装置及巨量转移方法-CN202210410754.9在审
发明人：王斌;萧俊龙;范春林;汪庆;詹蕊绮 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请提供了一种转移装置及巨量转移方法，其中，转移装置用于将发光芯片转移至显示背板，所述转移装置包括衬底及设置于所述衬底上的封装层，所述封装层背离所述衬底的一侧用于粘附所述发光芯片；其中，所述封装层的粘流态温度大于其玻璃化转变温度，以使得在预设温度下所述封装层能够由固态转变为粘流态，并围设于所述发光芯片的周围。上述转移装置，所述封装层将所述发光芯片转移至所述显示背板的同时，还能够在所述预设温度下转变为粘流态的所述封装层，以封装所述发光芯片。所述转移装置同时实现了所述发光芯片的转移和封装，缩短了显示设备的制程，降低了制造周期和成本。
转移装置巨量方法

[发明专利]电极修补材料、制备方法和发光芯片的巨量修补方法-CN202210415173.4在审
发明人：李勋;顾强;萧俊龙;李欣曈 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请涉及一种电极修补材料，其包括：衬底基板、第一胶层、第二胶层以及多个导电单元，其中，所述第一胶层设置于所述衬底基板上，所述第二胶层和多个所述导电单元设置于所述第一胶层背对所述衬底基板的一侧，多个所述导电单元嵌设于所述第二胶层内并贯穿所述第二胶层，多个所述导电单元用于对坏点像素的电极进行修补。本申请还提供了一种电极修补材料的制备方法以及一种发光芯片的巨量修补方法。
电极修补材料制备方法发光芯片巨量

[发明专利]一种微型发光芯片及其制作方法-CN202210376529.8在审
发明人：王涛;柴圆圆;朱小松;张偲;谷鹏军 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型发光芯片及其制作方法，包括：外延层，外延层包括第一半导体层，第二半导体层以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；还包括分别设于第一半导体层和第二半导体上第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；分别设于第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层，第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层具有抗蚀刻特性；以及分别设于第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层之上的第一电极和第二电极。通过金属蚀刻阻挡层的阻挡作用，使得欧姆接触层及金属蚀刻阻挡层不会被蚀刻，金属与半导体层之间的欧姆接触良好，提高了芯片的发光效率。
一种微型发光芯片及其制作方法

[发明专利]一种波导显示系统及近眼显示设备-CN202210329747.6在审
发明人：蒋光平;林浩翔;萧俊龙 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种波导显示系统及近眼显示设备，在波导显示系统中，第一耦出光栅处两种来源不同的光线在发生衍射后各有一个级次的衍射光沿着有效成像方向出射，即沿着相同的方向出射，这两路光在人眼中成像时得以重合，所以，本申请所提供的波导显示系统，除了利用了耦入光栅处的1级衍射光，还利用到了耦入光栅处的n级衍射光，这相较于仅利用耦入光栅处的1级衍射光的显示方案，增加了波导显示系统的显示亮度，提升了显示效果。
一种波导显示系统设备

[发明专利]LED焊料涂布方法、发光装置和显示装置-CN202010688565.9有效
发明人：翟峰;唐彪 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED焊料涂布方法、发光装置和显示装置。通过将磁流体焊料制备出磁流体焊球，然后通过磁场对磁流体焊球进行批量的转移到电路基板上方，并将磁流体焊球下坠于电路基板上，从而实现了焊料在电路基板上的涂布，采用焊料可以提升焊接的可靠性不易氧化，且磁流体性质的焊料便于制备小尺寸的焊球，也便于运输，大大提升了LED焊料涂布的适用性，特别是可以应用于micro‑LED中。
led 焊料方法发光装置显示装置

[发明专利]外延层结构及制作方法、发光芯片和发光装置-CN202210265271.4在审
发明人：孙威威 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延层结构及制作方法、发光芯片和发光装置。外延层结构包括N型半导体层、P型半导体层、有源层；N型半导体层包括N型窗口层，N型窗口层包括多个第一材料层和同等数量的第二材料层，第一材料层和第二材料层一一交替设置；第一材料层和第二材料层为折射率不同的磷化物电流扩展材料，且第一材料层以及第二材料层的厚度根据有源层发出的目标光线的波长配置以实现对目标光线的反射。一些实施过程中使得更多的目标光线从P面射出，提高了最终形成的发光芯片在P面出光时的出光效率，因此也提高了发光芯片的整体亮度。
外延结构制作方法发光芯片装置

[发明专利]显示单元及制备方法和显示装置-CN202210253219.7在审
发明人：王付雄;萧俊龙 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示单元，其包括：导热结构、背板以及发光元件，发光元件设置于背板上，并与背板电连接，导热结构设置于背板上，且包覆于发光元件的周侧。导热结构包括第一导热层、隔热层以及第二导热层，第一导热层围设于发光元件的外侧表面，用于为发光元件传导热量；第二导热层设置于背板上，围设于发光元件的周侧，且与第一导热层间隔设置，第二导热层用于传导发光元件的外界热量；隔热层填充于第一导热层与第二导热层之间，隔热层用于阻隔第一导热层与第二导热层之间传导热量；隔热层的热传导率小于第一导热层的热传导率和第二导热层的热传导率。本发明还提供了一种显示单元的制备方法以及具有该显示单元的显示装置。
显示单元制备方法显示装置

[发明专利]氮化镓外延片的制备方法-CN202210242971.1在审
发明人：李兵兵;黄兆斌 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种氮化镓外延片的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长高温氮化镓核；在所述衬底及所述高温氮化镓核上完成低温氮化镓成核层的生长；在所述衬底、所述高温氮化镓核及所述低温氮化镓成核层上完成氮化镓岛的三维生长；对所述氮化镓岛进行二维生长，其解决了氮化镓外延片生长状态受到金属有机化学气相沉积设备的反应腔状态影响的问题。
氮化外延制备方法

[发明专利]发光二极管外延结构及其应用与制作方法-CN202210188988.3在审
发明人：孙威威;黄国栋 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延结构及其应用与制作方法，其中所述发光二极管外延结构至少包括：第一类型半导体层；发光层，设置在所述第一类型半导体层上；以及第二类型半导体层，设置在所述发光层上；其中，所述第二类型半导体层包括限制层，且由靠近所述发光层的一侧至远离所述发光层的一侧，所述限制层的掺杂浓度逐渐增大。通过本发明提供的一种发光二极管外延结构及其应用与制作方法，可提高发光质量。
发光二极管外延结构及其应用制作方法

[发明专利]像素驱动电路、显示面板和显示装置-CN202210153094.0在审
发明人：陈柏辅;冯中山;蔡明达;陈靖中;周路宏 -专利权人： 重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本申请涉及一种像素驱动电路，其包括：第一储能元件、控制数据写入子电路、第一复位子电路、第二储能元件、驱动晶体管、放电子电路、第二复位子电路和发光单元，第一储能元件用于存储驱动驱动晶体管的数据电压；控制数据写入子电路将数据电压端写入的数据电压作为参考电压写入第一储能元件；第一复位子电路用于将写入的第一电源电压作为参考电压写入第二储能元件；第二储能元件用于存储驱动晶体管的阈值电压；驱动晶体管用于驱动发光单元进行发光；放电子电路用于响应控制信号端写入的控制信号；第二复位子电路用于将参考电压端输入的参考电压写入第二储能元件。本申请还涉及了一种具有该像素驱动电路的显示面板和具有该显示面板的显示装置。
像素驱动电路显示面板显示装置

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