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[发明专利]键合衬底及键合方法-CN202210071206.8在审
发明人：邢程;刘伟杰 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种键合衬底及键合方法。一种键合衬底，由一第一衬底和一第二衬底键合形成，包括：内部散热结构，所述内部散热结构为环绕金属柱设置的金属层，埋设在第一衬底和第二衬底的至少一个内；导热结构，所述导热结构连接所述内部散热结构，并暴露于键合后衬底的表面
衬底方法

[发明专利]衬底键合设备-CN201010250247.0无效
发明人：黄载锡 -专利权人：爱德牌工程有限公司
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底键合设备和方法。衬底键合设备可包括具有与固定到其一侧的衬底相对的接收表面的板、位于板的接收表面和衬底之间多个夹持件、以及用来将衬底从夹持件分离的衬底分离器。衬底分离器包括用于推衬底使衬底从夹持件分离的推力器和安装在板的接收表面上的基底板，基底板具有在其内形成的用以安装推力器的安装空间。推力器经过位于安装空间一端的进出端口伸出基底板，以对衬底施压。
衬底设备

[发明专利]衬底键合设备-CN200810175872.6无效
发明人：黄载锡 -专利权人：爱德牌工程有限公司
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供了一种衬底键合设备和方法。衬底键合设备可包括具有与固定到其一侧的衬底相对的接收表面的板、位于板的接收表面和衬底之间多个夹持件、以及用来将衬底从夹持件分离的衬底分离器。衬底分离器包括用于推衬底使衬底从夹持件分离的推力器和安装在板的接收表面上的基底板，基底板具有在其内形成的用以安装推力器的安装空间。推力器经过位于安装空间一端的进出端口伸出基底板，以对衬底施压。
衬底设备

[发明专利]一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法-CN202010936421.0在审
发明人：张峰;冯羽 -专利权人：杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，包括：准备支撑衬底和键合衬底；将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化；对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；将所述键合衬底减薄到需要的厚度；对所述键合衬底进行抛光。采用本申请实施例的一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，使用硅硅键合技术，使用不同电阻率的常规CZ硅衬底材料互相键合制备出硅硅键合片，替代目前的厚膜外延片，取得高质量的满足客户要求的硅衬底片，提高生产效率降低生产成本
一种采用硅硅键合工艺制作高压 vdmos 方法

[发明专利]一种LED芯片用键合衬底的制备方法-CN201610203193.X在审
发明人：云峰;郭茂峰;苏喜林 -专利权人：陕西新光源科技有限责任公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片用键合衬底的制备方法，包括以下步骤：1)在起始键合衬底上制备牺牲层金属；2)对起始键合衬底上的牺牲层金属利用退火工艺进行表面改性处理，在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属；3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余牺牲层金属；4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。本发明提供的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，在起始键合衬底表面制备牺牲层金属结构，通过处理形成过渡层金属，起到降低起始键合衬底与外延片间的热膨胀系数差的作用。
一种 led 芯片用键合衬底制备方法

[发明专利]一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法-CN202211098655.8有效
发明人：王伟豪;李顺斌;刘冠东;张汝云 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法，包括：基于提供的待键合的半导体晶圆衬底、n个芯粒以及预键合晶圆衬底，将待键合晶圆衬底上的对准标记的图形转移到预键合晶圆衬底；利用临时键合胶将n个芯粒按照对准标记依次贴合在预键合晶圆衬底上构成预键合晶圆；经CMP处理半导体晶圆衬底和芯粒表面后，将待键合半导体晶圆衬底与预键合晶圆对准后进行键合形成晶圆组；最后将晶圆组进行退火热处理，实现半导体晶圆衬底与芯粒的稳定键合，同时去除预键合晶圆衬底，完成多芯粒的晶圆级集成本发明实现多芯粒集成的一次性混合键合，避免D2W多次键合的铜表面氧化，提高多芯粒键合的质量和精度，提高键合良率及可靠性。
一种多芯粒晶圆级集成混合方法

[发明专利]一种用于MEMS器件的自对准封装结构及其制造方法-CN201210122868.X有效
发明人：秦毅恒;明安杰 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于MEMS器件的自对准封装结构及其制造方法，其包括盖板及承载衬底；承载衬底上设有MEMS结构，盖板内凹设有容纳槽，MEMS结构伸入容纳槽内，容纳槽的槽底设有吸气剂；盖板对应容纳槽槽口的外侧设有盖板键合定位凸块，且盖板上设有盖板键合层；承载衬底上设有衬底键合定位凸块，衬底键合定位凸块与MEMS结构间设有键合定位槽，承载衬底表面设有衬底键合层；盖板键合定位凸块伸入键合定位槽内对应配合后实现自对准，盖板键合层与衬底键合层对应接触，且盖板与承载衬底通过盖板键合层及衬底键合层键合后连成一体。本发明结构简单紧凑，能满足MEMS高精度封装要求，增大键合区面积，提高封装的可靠性及密闭性。
一种用于 mems 器件对准封装结构及其制造方法

[实用新型]一种高压VDMOS-CN202021944835.X有效
发明人：张峰;冯羽 -专利权人：杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压VDMOS，包括：支撑衬底和键合衬底，所述支撑衬底和键合衬底硅硅键合，键合衬底位于支撑衬底之上，所述支撑衬底电阻率为0.008~0.06ohm.cm，键合衬底的电阻率15ohm.cm本申请的高压VDMOS使用不同电阻率的衬底材料互相键合制备出硅硅键合片，替代目前的厚膜外延片，取得高质量的满足客户要求的硅衬底片，提高生产效率降低生产成本，得到的高压VDMOS器件的过渡区明显变窄，产品参数的一致性更好
一种高压 vdmos

[发明专利]键合材料和制备方法以及半导体器件-CN202210345230.6有效
发明人：武娴 -专利权人：北京清芯昇能半导体有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了键合材料和制备方法以及半导体器件。该方法包括：在第一衬底的一侧进行含H离子注入，所述第一衬底为非硅晶体材料形成的；在所述第一衬底以及第二衬底表面的至少之一处形成键合增强层；将所述第一衬底和所述第二衬底进行键合，并令所述键合增强层位于键合界面处，以形成第一键合结构；对所述第一键合结构进行第一退火处理，使所述第一键合结构自所述第一衬底内部发生剥离，以获得具有所述第二衬底的所述键合材料。由此，该方法可以简便地获得键合材料，无需长时间的高温处理即可获得高键合强度，特别适用于形成SiC‑SiC等材料的键合材料。
材料制备方法以及半导体器件

[发明专利]用于半导体器件的临时键合工艺-CN202010250801.9有效
发明人：李瑾;冒薇;王丰梅 -专利权人：苏州研材微纳科技有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半导体器件的临时键合工艺，其包括如下步骤：步骤1、提供键合支撑体，所述键合支撑体包括支撑衬底以及设置于所述支撑衬底上的纳米森林结构；步骤2、提供待临时键合的器件衬底，并在所述器件衬底的正面设置柔性键合连接层，将器件衬底的柔性键合连接层置于支撑衬底的纳米森林结构上方，通过压合能使得柔性键合连接层能与纳米森林结构紧密接触，以实现器件衬底与支撑衬底间的键合固定。本发明与现有工艺兼容，能在常温条件下，能实现临时键合与解键合的工艺过程，避免引发翘曲问题，降低较薄半导体器件的破损几率以及生产成本，安全可靠。
用于半导体器件临时工艺

[发明专利]SOI衬底的制造方法-CN201010167278.X有效
发明人：花冈一哉;津屋英树;永井雅晴 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及SOI衬底的制造方法，公开的发明的一个方式，包括：第一工序，即将离子照射到键合衬底来在键合衬底中形成脆化区域；第二工序，即隔着绝缘层贴合键合衬底和支撑衬底；第三工序，即在脆化区域中分离键合衬底来在支撑衬底上隔着绝缘层形成半导体层；以及第四工序，即对于在脆化区域中分离的键合衬底，在氩气氛中进行第一热处理，然后在氧和氮的混合气氛中进行第二热处理，以形成再生键合衬底，其中再次使用再生键合衬底作为第一工序中的键合衬底。
soi 衬底制造方法

[发明专利]垂直结构LED芯片的制造方法-CN202110650877.5有效
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫;石时曼 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：公开了一种垂直结构LED芯片的制造方法，包括在第一晶圆表面形成第一键合层，第一晶圆包括第一衬底以及外延层；在第二衬底表面形成第二键合层；在第一键合层和/或第二键合层表面上形成第三键合层；通过第一键合层、第二键合层及第三键合层将第一晶圆与第二衬底键合；将第一衬底剥离；第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层。在衬底转移过程中，通过第一键合层、第二键合层、第三键合层将外延层和第二衬底键合，第一键合层、第二键合层为高熔点金属层，第三键合层为低熔点金属层，在键合温度略高于第三键合层的熔点温度的环境下将外延层和第二衬底键合，以降低因材料晶格常数和热膨胀系统差异所导致的键合后翘曲问题。
垂直结构 led 芯片制造方法

[发明专利]三维封装结构及其形成方法-CN201410128591.0有效
发明人：王文斌;王之奇;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种三维封装结构及其形成方法，所述三维封装结构的形成方法，包括提供第一衬底，第一衬底上具有第一焊盘；在第一焊盘上形成第一键合层；在第一键合层周围形成保护墙，所述保护墙的顶部表面高于第一键合层的表面；提供第二衬底，所述第二衬底上具有第二焊盘；在所述第二焊盘上形成第二键合层；将第二衬底倒装在第一衬底上，将第二衬底上的第二键合层与第一衬底上的第一键合层键合连接，使得所述保护墙围绕所述第一键合层和第二键合层。本发明通过形成保护墙，在进行第一键合层和第二键合层的键合时，防止第一键合层或第二键合层材料向键合面两侧的溢出。
三维封装结构及其形成方法

[实用新型]三维封装结构-CN201420155463.0有效
发明人：王文斌;王之奇;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种三维封装结构，包括：第一衬底，第一衬底上具有第一焊盘；位于第一焊盘上的第一键合层；位于第一键合层周围形成保护墙，所述保护墙的顶部表面高于第一键合层的表面；倒装在第一衬底上的第二衬底，所述第二衬底上具有第二焊盘，所述第二焊盘的表面上具有第二键合层，第二衬底上的第二键合层与第一衬底上的第一键合层键合连接，所述保护墙围绕所述第一键合层和第二键合层。本实用新型的三维封装结构具有保护墙，在进行第一键合层和第二键合层的键合时，防止第一键合层或第二键合层材料向键合面两侧的溢出。
三维封装结构

[发明专利]用于传送衬底进行键合的装置-CN201110453629.8有效
发明人：吴敏聪;林永辉;古中威 -专利权人：先进自动器材有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在衬底上完成键合的键合装置，包含有：第一衬底固定部件用于在键合期间夹持第一衬底，第二衬底固定部件用于在键合期间夹持第二衬底，每一个衬底固定部件被操作来在其各自的用于接收衬底的装载位置、键合衬底的键合位置和键合后的衬底从衬底固定部件处移离的卸载位置之间顺序移动；第一驱动机构，其被操作来沿着第一进给路径从其装载位置驱动第一衬底固定部件至其键合位置，以及沿着第一返回路径从其卸载位置驱动第一衬底固定部件至其装载位置；第二驱动机构，其被操作来沿着第二进给路径从其装载位置驱动第二衬底固定部件至其键合位置，以及沿着第二返回路径从其卸载位置驱动第二衬底固定部件至其装载位置。
用于传送衬底进行装置

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