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[发明专利]固定频率双模同步降压控制器-CN202110528103.5有效
发明人：马迎;岑远军;冯浪;张得力;刘中伟;常俊昌;刁小芃 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：固定频率双模同步降压控制器，涉及集成电路技术，本发明包括：导通时间电路，其输出端连接到数字逻辑电路的第一输入端；比较器，其输出端连接到数字逻辑电路的第二输入端；数字逻辑电路，具有两个输出端，用于依据第一输入端的电平控制两个输出端的电平状态，以及依据第二输入端的电平控制两个输出端的电平状态；开关选择电路，跨导放大器，其正性输入端接第二参考电压端，负性输入端接反馈电压端。本发明使转换频率为固定值，避免传统迟滞控制模式的转换频率受ESR、电感L等其它参数影响，进而有效地降低EMI干扰，可以有效地提高在系统中设备的可靠性和稳定性。
固定频率双模同步降压控制器

[发明专利]一种高线性度低压输入缓冲器电路-CN202010589767.8有效
发明人：黄正波;岑远军;杨金达;喻强 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高线性度低压输入缓冲器电路，其包括：NMOS晶体管MN1、MN3和MN2、MN6分别构成正负输入端的主缓冲器；PMOS晶体管MP1、MP3和MP2、MP4分别构成辅助缓冲器；NMOS晶体管MN3、MN4和MN5、MN6分别构成复制电流放大器，复制电容Cc的两端分别连接辅助缓冲器的正负输出端，本发明采用辅助缓冲器对主缓冲器负载效应进行模拟，产生负载电流的复制电流，然后通过电流放大器将复制电流镜像到主缓冲器的负载晶体管，通过该负载晶体管对负载电容充放电，从而保持输入晶体管电流恒定，消除负载电流引起的非线性。
一种线性低压输入缓冲器电路

[发明专利]R-2R电阻网络低面积高线性度开关阵列-CN201811576248.7有效
发明人： 岑远军;齐旭;杨平;李大刚;李永凯 -专利权人：成都华微科技有限公司
申请日： 2018-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03M1/66 文献下载
摘要：R‑2R电阻网络低面积高线性度开关阵列，涉及集成电路。本发明包括参考电压接入线、输出线和GND线，一个零位开关单元以及级联设置的至少两个开关单元，低位段开关单元组中，与高位段开关单元组相邻的开关单元的高位级联点通过一个级联开关管Z与邻近高位侧的开关单元的低位级联点连接。本发明能够降低版图面积、保证转换精度。
电阻网络面积线性开关阵列

[发明专利]负相输出电压高电源抑制比的线性稳压器-CN202310262099.1在审
发明人：马迎;冯浪;岑远军;刘中伟;常俊昌;房凯飞;刁小芃 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：负相输出电压高电源抑制比的线性稳压器，涉及集成电路技术。本发明包括下述部分第一NPN管，其基极和集电极接地，发射极接第一输入端；第二NPN管组，由M个NPN管并联构成，其中每个NPN管的基极和集电极接地，发射极接参考点；第三NPN管组，由M个NPN管并联构成，其中每个NPN管的基极和集电极接地，发射极通过第三电阻接第二输入端；误差放大器，其正相输入端接第一输入端，其反相输入端第二输入端，其输出端接第一NMOS管的栅极；第一NMOS管，其漏极接基准电压输出端，源极接低电平输入端。本发明在低频和中频范围内，提高了线性稳压的电源抑制比性能。
输出电压电源抑制线性稳压器

[发明专利]高精度微电流线性校准电路-CN202110387301.4有效
发明人：魏娟;杨平;杜金苹;张靖;齐旭;岑远军 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：高精度微电流线性校准电路，涉及集成电路技术，本发明包括带有R‑2R电阻网络的DAC电路和校准电路，所述校准电路包括X个校准单元，每个校准单元包括双向传输门、校准电流注入支路和校准电流引出支路，校准电流注入支路和校准电流引出支路连接到双向传输门的第一电流端，校准电流注入支路和校准电流引出支路皆为比例分流电路；所述双向传输门的控制端与DAC电路的数字码输入端连接，所述双向传输门的第二电流端与DAC电路中的修调抽头点连接；所述DAC电路中，所述抽头点设置于修调电阻臂的1/N电阻值处，所述X为预设的数值，与修调电阻臂的数量相等。本发明结构简单、效果明显、可靠性高。
高精度电流线性校准电路

[发明专利]电压调整器陶瓷管壳、封装结构及其制造方法-CN201911041678.3有效
发明人：冯浪;岑远军;王文渊;方政;齐旭;牛义;刘中伟;刁小芃 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域，特别是电压调整器陶瓷管壳、封装结构及其制造方法。为达到提高电压调整器输出电压精度的目的，本发明的技术方案中功率输出引脚采用双键合指结构，功率输出引脚背部焊盘连接第一键合指和第二键合指，背部焊盘和第一、第二键合指之间通过多层陶瓷管壳内部两条独立的布线通道相连，第一键合指通过第一绑线与电压调整器中的功率管的漏极输出端键合，第二键合指通过第二绑线和第一反馈采样电阻的采样端键合。与普通陶瓷管壳、封装结构相比，能够有效降低输出大电流路径上的线路损耗，消除陶瓷管壳寄生电阻RC对电压调整器负载调整率的影响，提高电压调整器输出电压精度。
电压调整器陶瓷管壳封装结构及其制造方法

[发明专利]一种高分辨率低功耗的动态锁存比较器-CN202010109926.X有效
发明人：樊华;杨静萱;谢华江;冯全源;李大刚;胡达千;岑远军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-02-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：该发明公开了一种高分辨率低功耗的动态锁存比较器，应用的技术领域是逐次逼近型模数转换器。本发明利用MOSFET亚阈值特性，增大比较器的分辨率，提高比较器的精度，采用低电源电压供电，降低比较器整体功耗；与专利201910338368提出的动态锁存比较器相比，本发明提出的动态锁存比较器的分辨率更高，功耗更低，并且该动态锁存比较器使用于低供电电压的逐次逼近型模数转换器，而专利201910338368只能在标准供电电压条件下工作。
一种高分辨率功耗动态比较

[发明专利]流水线模数转换器的模数转换方法、流水线模数转换器-CN202010472091.4有效
发明人：喻强;岑远军;杨金达 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明属于集成电路领域，用于减小流水线模数转换器的面积开销和功耗。本发明流水线模数转换器，每一级包括模数转换器、数模转换器、减法器和放大器。本发明利用流水线模数转换器(pipelined ADC)的放大时间进行额外量化，在不增加流水线模数转换器(pipelined ADC)级数的前提下减少了每一级ADC的位数，从而大大减小了每级电路的规模，减少了功耗和面积的开销。
流水线转换器转换方法

[发明专利]超高精度R-2R电阻网络开关阵列-CN201811576246.8有效
发明人：杨平;岑远军;齐旭;李大刚;李永凯 -专利权人：成都华微科技有限公司
申请日： 2018-12-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03M1/66 文献下载
摘要：超高精度R‑2R电阻网络开关阵列，涉及集成电路。本发明包括参考高电平接入线、参考低电平接入线、电压输出线、零位开关组和至少两个开关单元，每一开关单元包括第二电阻和由两个并联的MOS管组成的第一开关管组，每一开关单元还包括第二开关管组，第二开关管组亦由两个并联的MOS管组成，第二开关管组的并联连接点连接至第一开关管组的并联连接点；所述开关单元按照所在权重位分为低位段开关单元和高位段开关单元。本发明能够实现更高位的精度要求。
超高精度电阻网络开关阵列

[发明专利]一种流水线模数转换器-CN202010472320.2有效
发明人： 岑远军;朱星;杨金达 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种能够校正电容失配和级间增益误差的流水线模数转换器。本发明通过在流水级子数模转换器的数字域或者模拟域注入PN码，统计在第i级流水级子模数转换器的输出为特定码字b的条件下，PN码为+1和PN码为‑1时第i+1级流水级子模数转换器输出码字的均值，根据所述均值和前级电容失配误差和实际级间增益的关系估计第i级流水级的电容失配误差和实际级间增益，可对第i+1级流水级子模数转换器输出码字进行校正。本发明还可以根据实际情况灵活调整校正的工作间隔时间和累计时间，从而实现校正精度、跟踪速度、功耗的灵活调整，与现有技术相比，校正精度高、收敛时间快、对误差变化的跟踪速度更快。
一种流水线转换器

[发明专利]可编程多模输出的带隙基准源-CN202110639206.9有效
发明人：冯浪;岑远军;齐旭;牛义;廖志凯;徐凯;林亚立 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：可编程多模输出的带隙基准源，涉及集成电路技术。本发明包括MOS管、多级运算放大器、第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第四电阻(R4)、参考电阻(R4')和第三电阻(R3)，第四电阻(R4)和参考电阻的连接点通过第五电阻(R5)连接MOS管的电流输出端，第三电阻(R3)通过第一电阻(R1)连接第一晶体管(Q1)的电流输入端，第三电阻(R3)还通过第二电阻(R2)接地，MOS管的电流输出端通过可调电阻串连接带隙基准源的输出端，所述第二电阻(R2)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)和参考电阻皆为可调电阻。本发明进一步降低噪声和功耗，在输出端口可以得到低温漂、高精度的参考电压。
可编程输出基准

[发明专利]动态偏置高PSRR低压差线性稳压器-CN202110947240.2有效
发明人：冯浪;徐凯;岑远军;齐旭;刁小芃;常俊昌;刘中伟;马迎 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：动态偏置高PSRR低压差线性稳压器，涉及集成电路技术，本发明包括误差放大器、功率管，功率管的栅端和误差放大器的输出端连接，功率管的电流输出端作为末级输出端连接负载阻抗单元，其特征在于，末级输出端通过电阻连接参考点，参考点通过第七电流源接地，功率管的栅端连接电流放大器的输入端，电流放大器的输出端连接参考点，参考点与误差放大器的负性输入端连接；一个动态偏置电路的第一输入端接参考点，动态偏置电路的第二输入端接功率管的栅端，动态偏置电路的输出端接误差放大器的偏置信号端。本发明偏置电路的结构较现有改善PSRR的电路结构简单，并且在中高频时依然有较高的PSRR值。
动态偏置 psrr 低压线性稳压器

[发明专利]一种应用于逐次逼近模数转换器的中位选取电容校正方法-CN201910772581.3有效
发明人：樊华;王琛;冯全源;李大刚;胡达千;岑远军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的中位选取电容校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。本发明采用单位电容构成混合电阻电容型逐次逼近模数转换器中的正负电容阵列，对电容阵列中的单位电容经过多次组合，排序，中位选取以构成逐次逼近模数转换器的各级有效位。相比于传统校正方法有利于线性度的进一步提升，静态性能与动态性能均有显著提升。
一种应用于逐次逼近转换器选取电容校正方法

[发明专利]并联运放零点补偿电路-CN202110640554.8有效
发明人：冯浪;徐凯;岑远军;齐旭;牛义;廖志凯;刘中伟;马迎 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：并联运放零点补偿电路，涉及集成电路技术，本发明包括功率MOS管(M0)、电阻(Rc)和负载电容(CL)，其特征在于，补偿电路的输入端接功率MOS管的栅极和电流放大器的输入端，功率MOS管的栅极通过一个电容接功率MOS管的电流输出端；功率MOS管的电流输出端作为补偿电路的输出端，功率MOS管的电流输出端通过电阻(Rc)接电流放大器的输出端，电流放大器的输出端连接电流源，电流源另一端接地。本发明可以减少负载电流突然减小时输出电压的过充幅值。
联运零点补偿电路

[发明专利]高速高线性度时间交叉动态运算放大器电路-CN202011152637.4有效
发明人：向飞翔;岑远军 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：高速高线性度时间交叉动态运算放大器电路，涉及集成电路技术，本发明包括：第一电流通道，包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；第二电流通道，包括第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；第一MOS管和第四MOS管的电流输出端构成一对差分输出端；第一MOS管和第四MOS管的控制端构成一对差分输入端；第七MOS管的控制端和第一MOS管的控制端相接；第九MOS管的控制端和第四MOS管的控制端相接，电流输入端接第一MOS管的电流输出端，电流输出端接第十MOS管的电流输入端，第十MOS管的电流输出端接地。本发明极大的提高了超高速ADC电路采样环节的线性度。
高速线性时间交叉动态运算放大器电路

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