专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]太阳能电池用膏状组合物-CN201880020513.5有效
  • 马尔万·达姆林;中原正博;铃木绍太;森下直哉 - 东洋铝株式会社
  • 2018-03-13 - 2023-01-13 - H01L31/0224
  • 本发明提供一种太阳能电池用膏状组合物,将其适用于钝化膜的开口部的直径为100μm以下、开口部的总面积为结晶类太阳能电池单元的面积的0.5~5%的结晶类太阳能电池单元时,能够实现优异的转换效率,同时能够抑制烧成后在电极层界面产生孔隙,并能够进一步抑制静态机械负荷试验后的转换效率的降低率。具体而言,本发明提供一种太阳能电池用膏状组合物,其用于对具有设置了开口部的钝化膜的结晶类太阳能电池单元形成p+层的用途,且含有玻璃粉末、有机载体及导电性材料,其特征在于,(1)所述开口部的直径为100μm以下,所述开口部的总面积为所述结晶类太阳能电池单元的面积的0.5~5%,(2)所述导电性材料含有铝粉末以及具有长径为5μm以下的硅的初晶的铝‑硅合金粉末。
  • 太阳能电池膏状组合
  • [发明专利]膏状组合物-CN201680045360.0有效
  • 马尔万·达姆林;铃木绍太;菊地健;中原正博;森下直哉 - 东洋铝株式会社
  • 2016-09-27 - 2022-03-29 - H01L21/265
  • 本发明提供一种能够容易地在半导体基板上形成n型掺杂元素浓度高的扩散层的膏状组合物。其是用于在半导体基板上形成覆膜的膏状组合物。该膏状组合物含有铝粉末、含有n型掺杂元素的化合物、树脂、及溶剂,所述n型掺杂元素为选自由磷、锑、砷及铋组成的组中的一种或两种以上的元素,相对于所述铝粉末中包含的铝100质量份,所述含有n型掺杂元素的化合物中的所述n型掺杂元素的含量为1.5质量份以上、1000质量份以下。
  • 膏状组合
  • [发明专利]背接触型太阳能电池单元的制造方法-CN202080020684.5在审
  • 铃木绍太;马尔万·达姆林;山口升;铃木英夫 - 东洋铝株式会社;株式会社爱发科
  • 2020-03-13 - 2021-12-10 - H01L31/18
  • 提供背接触型太阳能电池单元的制造方法,能够以比现有制造方法少的工序数实施。本发明是背接触型太阳能电池单元的制造方法,依次有:在结晶硅基板(10)背面形成氧化膜(20)的工序(A);在所述氧化膜(20)的暴露面形成硅薄膜层(30A)的工序(B);在所述硅薄膜层(30A)以用机械硬掩模的离子注入法及活化退火局部形成n+层(40)的工序(C);在经所述工序(C)所得具有所述氧化膜(20)、所述硅薄膜层(30B)及所述n+层(40)的所述结晶硅基板(10)两面形成钝化膜(50)的工序(D);将形成于所述结晶硅基板(10)背面侧的所述钝化膜(50)的未覆盖所述n+层(40)的区域局部去除,在暴露的所述硅薄膜层(30B)形成一或多个铝电极(60B)的工序(E)。
  • 接触太阳能电池单元制造方法
  • [发明专利]背接触型太阳能电池单元的制造方法-CN202080020891.0在审
  • 铃木绍太;马尔万·达姆林;山口升;铃木英夫 - 东洋铝株式会社
  • 2020-03-13 - 2021-11-02 - H01L31/18
  • 本发明提供一种背接触型太阳能电池单元的制造方法,该方法能够以比现有的制造方法更少的工序数进行实施。本发明涉及一种背接触型太阳能电池单元的制造方法,其依次具有以下工序:通过使用了机械硬掩模的离子注入法及活化退火,在结晶硅基板的背面,部分形成n+层(20)的工序(A);在所述工序(A)中得到的具有所述n+层(20)的所述结晶硅基板(10)的两面形成钝化膜(40)的工序(B);及,将形成在所述结晶硅基板(10)的背面侧的所述钝化膜(40)中直接覆盖了所述结晶硅基板(10)的区域的一部分或全部去除,在露出的所述结晶硅基板(50)上形成一个或多个铝电极(60B)的工序(C)。
  • 接触太阳能电池单元制造方法
  • [发明专利]结晶类太阳能电池单元的制造方法-CN201980036778.9在审
  • 马尔万·达姆林;铃木绍太 - 东洋铝株式会社
  • 2019-05-28 - 2021-02-26 - H01L31/0224
  • 本发明提供一种于硅基板的单面或两面具有钝化膜的结晶类太阳能电池单元的制造方法,从而在于硅基板的单面或两面具有钝化膜的结晶类太阳能电池单元的该钝化膜上,以接近开口宽度的大小形成一种以上的电极,所述制造方法依次具备:(1)工序1,当于所述单面具有钝化膜时,该钝化膜为具有1个或2个以上开口的钝化膜A;当于所述两面具有钝化膜时,该钝化膜中的一个或两个为具有1个或2个以上开口的钝化膜A,在覆盖所述开口的区域形成由电极形成用膏状组合物构成的涂膜;(2)工序2,对所述硅基板及所述涂膜进行烧成处理;及(3)工序3,至少保留以填埋所述开口的凹部的方式形成的烧成物(8、9),将以除其以外的方式形成的烧成物(7)的一部分或全部去除。
  • 结晶太阳能电池单元制造方法
  • [发明专利]膏状组合物-CN201711057979.6有效
  • 马尔万·达姆林;中原正博;铃木绍太;森下直哉 - 东洋铝株式会社
  • 2017-11-01 - 2020-03-20 - H01B1/22
  • 本发明提供一种膏状组合物,其可形成对PERC型太阳能电池单元等太阳能电池单元带来高转换效率及高短路电流值的电极。该膏状组合物至少含有铝颗粒及铝‑硅合金颗粒中的至少一种金属颗粒、玻璃粉末及有机媒介物,通过激光衍射散射法测定的体积基准的粒度分布曲线中,金属颗粒的最小粒径Dmin为1.5μm以上2.0μm以下,粒度分布曲线中,对应于50%点的中位粒径(D50)为4.0μm以上8.0μm以下,式(1)表示的D的值为0.7以上,D=D50/(D90‑D10) (1)式(1)中,D50为中位粒径,D90为粒度分布曲线中对应于90%点的粒径,D10为粒度分布曲线中对应于10%点的粒径。
  • 膏状组合

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