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- [发明专利]一种提拉法生长硅晶棒的装置-CN202310361419.9在审
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高伟
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北京通美晶体技术股份有限公司
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2023-04-06
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2023-07-14
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C30B15/30
- 本发明涉及一种提拉法生长硅晶棒的装置，包括容纳硅晶棒原料熔体的坩埚；加热机构，用于加热坩埚；硅晶棒原料熔体补加机构，将硅晶棒原料熔体补加至所述坩埚内；处于所述坩埚外围的旋转磁场；籽晶杆，位于坩埚上方，其下端部有用于装填籽晶的容纳区；用于籽晶杆的旋转及提升机构；提供保护气体的机构，对由坩埚及籽晶杆形成的晶棒生长空间提供保护气氛；其中，所述籽晶杆的竖向中心轴线与所述坩埚的竖向中心轴线不重合。采用本发明的装置所生产的晶棒可以获得更大尺寸及品质更优的晶片，例如，晶片的掺杂浓度、机械强度、位错密度、电导率、电阻率都更加均匀，对制作大规模集成电路具有非常重要的意义。
- 一种提拉法生长硅晶棒装置
- [发明专利]一种GaAs单晶生长工艺-CN202210171746.3有效
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周雯婉
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北京通美晶体技术股份有限公司
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2022-02-24
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2023-05-09
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C30B29/42
- 本申请涉及单晶生长技术领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。本申请的GaAs单晶生长工艺，包括如下步骤：S1、多晶合成：（1）装料：将砷和镓放入炉中；（2）合成多晶：调整炉内压强以及温度至多晶物料完全熔化，降温；（3）冷却出炉：降低温度，取出即得多晶半成品；S2、多晶清洗：将多晶半成品置于清洗液中清洗，即得多晶成品；S3、单晶生长：（1）装料：向石英坩埚装入籽晶、多晶成品、余砷，放入石英安培瓶内并抽真空、烘烤、封焊；（2）装炉：依VGF工艺装入炉中；（3）长晶：依VGF工艺完成单晶生长，即得。本申请制得的GaAs单晶质量佳。
- 一种gaas生长工艺
- [发明专利]一种磷化铟研磨工艺与磷化铟-CN202210034279.X有效
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邢峥;李海淼
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北京通美晶体技术股份有限公司
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2022-01-13
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2023-05-09
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B24B37/04
- 本申请涉及半导体材料加工技术领域，具体公开了一种磷化铟研磨工艺与磷化铟。一种磷化铟研磨工艺，包括以下步骤：S1.第一研磨：采用水磨的方法进行第一次研磨；S2.第二研磨：使用第一研磨液进行研磨，第一研磨液中包括第一研磨粒，第一研磨粒的粒径为8‑13μm；S3.第三研磨：使用第二研磨液进行研磨，第二研磨液中包括第二研磨粒，第二研磨粒的粒径为4‑6μm。本申请的磷化铟研磨工艺效率高，研磨去除效率可以达到3.35‑3.57μm/min；研磨效果好，经本申请研磨工艺研磨后的磷化铟的表面粗糙度达到0.35‑1.02μm，且研磨后对磷化铟表面损伤小，表面划痕率达到5.21‑5.86%。
- 一种磷化研磨工艺
- [发明专利]一种GaAs晶片的加工工艺-CN202210145464.6有效
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赵波;古新远
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北京通美晶体技术股份有限公司
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2022-02-17
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2023-04-07
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B24B37/04
- 本申请涉及晶片加工领域，具体公开了一种GaAs晶片的加工工艺，包括如下步骤：S1、制备GaAs单晶棒，依次经切割、倒角、退火后，制得粗料；S2、粗料经第一研磨液研磨5‑10min，制得第一研磨料；第一研磨液中包含粒径2‑10μm的单晶金刚石；S3、第一研磨料经第二研磨液研磨2‑8min，制得第二研磨料；第二研磨液中包含粒径0.5‑2μm的多晶金刚石；S4、第二研磨料经第三研磨液研磨10‑18min，制得晶片料；第三研磨液中包含粒径5‑15nm的纳米金刚石；S5、晶片料依次抛光、表面处理、包装，制得成品；使GaAs晶片同时具有研磨效率高、表面平整度好的优点。
- 一种gaas晶片加工工艺
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