专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201510184202.0有效
  • 李娟;张建军;吴玉祥;熊绍珍;蔡宏琨;倪牮;杜阳阳 - 南开大学
  • 2015-04-17 - 2018-11-30 - H01L29/786
  • 一种薄膜晶体管,由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成,其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜,各层薄膜的厚度为:栅电极1μm、栅绝缘层200‑400nm、有源沟道层200‑300nm、源漏电极1μm。本发明的优点是:该薄膜晶体管将有机/无机复合钙钛矿材料用于薄膜晶体管的有源沟道层,结合了无机半导体的高迁移率和有机半导体的柔韧、便宜,低温易制备等优点,既具有比有机薄膜晶体管更高的驱动能力,同时又兼具简单、低成本及易于在柔性衬底上的大面积制备的能力;其制备方法简单易行,有利于工业化应用。
  • 一种薄膜晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池-CN201310169458.5有效
  • 侯国付;陈培专;张建军;倪牮;张晓丹;赵颖 - 南开大学
  • 2013-05-09 - 2016-11-16 - H01L31/052
  • 一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池,由衬底、一维光子晶体背反射器、背电极、n型氢化非晶硅、本征氢化非晶硅、p型氢化非晶硅和前电极组成叠层结构,其中一维光子晶体背反射器是由低折射率介质和高折射率介质周期性交叠构成,周期数大于等于两个周期,背电极和前电极为高透过、高电导、低吸收的透明导电膜并作为电流引出电极。本发明的优点是:该光子晶体非晶硅薄膜太阳电池,克服了采用Ag背电极成本高,采用其他金属背电极反射率不够的问题,保证高效率的同时降低原材料成本。同时还克服了采用金属背电极引入的一系列问题,有助于提高电池开路电压,提升电池稳定性。因与电池工艺兼容,还有助于降低设备投资和厂房面积,提升产能。
  • 一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池

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