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[发明专利]一种多功能状态指示灯与数显压力表检测装置-CN202310643113.2在审
发明人：吕晏先;古松发;饶学运;梁茂申;龚菊芳;姜涛;何国亮;余键;赵杨;豆义江;李土超;魏佳林;何永根;钟美文;李伟杰;龙霆;郭凤林;张攸萍;曾清泉 -专利权人：中国铁路广州局集团有限公司;中国铁路广州局集团有限公司广州机车检修段
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多功能状态指示灯与数显压力表检测装置，应用于电力机车的多功能状态仪表模块；包括：电流信号发生器和状态指示灯检测模块；电流信号发生器与数显压力表连接；状态指示灯检测模块与状态指示灯连接；电流信号发生器，用于向数显压力表输入目标检测电流；电流信号发生器还包括电流采集控制单元和电流显示单元；状态指示灯检测模块包括自锁开关电路，自锁开关电路与状态指示灯连接；状态指示灯检测模块通过自锁开关电路对状态指示灯的性能进行检测。本发明缓解了现有技术中存在缺乏数显压力表误差值精准测试和状态指示灯性能测试的技术问题。
一种多功能状态指示灯压力表检测装置

[发明专利]一种用于先进晶圆制造制程中蚀刻后残余物湿法去除的清洗液组分-CN202310521140.2在审
发明人：吴义鹏;刘艳;陈刚;李军;何永根;何江;石加明;羊惊涛;侯佳磊;汪右前 -专利权人：浙江凯圣氟化学有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明涉及有机洗涤组合物领域，具体关于一种用于先进晶圆制造制程中蚀刻后残余物湿法去除的清洗液组分；本发明为了解决如何安全、健康和有效的清洗半导体工业中等离子刻蚀残留物，并提供了一种安全有效的半水相清洗液组合物；混合溶剂体系以有效增强对晶圆表面可残留物的润湿和增容可以提高组分中有机物的溶解度，并使得金属氧化物蚀刻阻挡层具有合理的刻蚀速率；以去离子水和砜类非质子溶剂或酰胺类非质子溶剂为主料，适用于含有金属钨和氧化铝清洗的蚀刻后清洗液；金属抛光剂可去除氧化层控制表面粗糙度；腐蚀抑制剂为包含邻位羟基的多羟基酚类化合物；金属螯合剂用于捕捉清洗工艺中进入清洗液中的金属离子。
一种用于先进制造制程中蚀刻残余物湿法去除清洗组分

[发明专利]一种高效无羟胺剥离清洗组合液-CN202310521130.9在审
发明人：吴义鹏;石加明;陈刚;李军;何永根;刘艳;黄凯飞;何江;羊惊涛;汪右前;侯佳磊 -专利权人：浙江凯圣氟化学有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及清洗组合液领域，具体关于一种高效无羟胺剥离清洗组合液；原料包括下列质量分数的组分：10‑60％的水、10‑50％的水溶性有机溶剂(例如，10％‑45％)、0.1‑20％的胺化合物(例如，0.5％‑10％)和1‑30％的羟胺替代物(例如，2％‑20％)和少量缓蚀剂，各组分质量分数之和为100％。本方法提供的清洗剂稳定性好，能防止Al金属在清洗过程中的腐蚀，对后期应用于器件互连的导电效果的负面影响小，安全性好。
一种高效无羟胺剥离清洗组合

[实用新型]一种公铁两用车牵引装置-CN202222034405.X有效
发明人：符正史;杨守国;汪朝辉;李辉;麦灿承;赵杨;伍卫华;梁茂申;彭志勇;何永根;孙鹏;贺刚 -专利权人：中国铁路广州局集团有限公司;中国铁路广州局集团有限公司广州机车检修段
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B61G1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种公铁两用车牵引装置，包括活动连接组件、固定连接组件、对接插杆和限位组件。本实用新型的有益效果是：活动对接座与固定对接座能够对接在一起，进而使所开设的对接穿孔一与对接穿孔二处于同一垂线，以便于穿过对接插杆，形成转动连接，使公铁两用车与机车连挂时可自动微调进行校正，解决了曲线轨道无法连挂的问题，在直线轨道亦可应用；限位螺栓的杆身上还螺纹套设有紧贴在安装座侧面的紧固螺母，可根据使用需求调节限位螺栓的伸出长度，进而对活动连接组件的转向角度进行调节，且可对调节后的限位螺栓进行紧固。
一种两用牵引装置

[发明专利]一种无溶剂参与制备二（二乙基氨基）硅烷的方法-CN202210787023.6在审
发明人：陈刚;熊文辉;徐琴琪;甘丽英;张广第;何永根;李军;刘艳 -专利权人：浙江博瑞电子科技有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及化工合成技术领域，尤其是一种无溶剂参与制备二(二乙基氨基)硅烷的方法，本方法反应生成的副产物通过过滤即可轻松除去，减少停车时间，反应最终所得二(二乙基)氨基硅烷的GC纯度达到99.5％，产品所含金属离子纯度达到6N级别，并且装置简便，原料利用率高，成本相较于其它专利更低，因此具有很大的市场价值，工业化生产效益极佳。
一种溶剂参与制备乙基氨基硅烷方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110260938.7在审
发明人：杨鹏飞;刘云珍;何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，所述基底上形成有初始栅极结构，所述基底包括器件区和隔断区；对所述隔断区的所述初始栅极结构进行掺杂处理，所述初始栅极结构中掺杂有离子的部分作为牺牲层，其中，所述掺杂处理用于使所述牺牲层在各晶向的被刻蚀速率相同；去除所述隔断区的所述牺牲层，在所述初始栅极结构中形成隔断开口，所述隔断开口在所述初始栅极结构的延伸方向上将所述初始栅极结构进行分割，形成分别位于所述器件区中的栅极结构。提高了所述器件区中形成的所述栅极结构在其延伸方向的端部的平整度，降低了所述栅极结构在其延伸方向的端部发生形貌弯曲的概率，从而提高了所述半导体的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110196860.7在审
发明人：付金玉;唐睿智;蔡国辉;唐鑫垚;刘云珍;陈松松;何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；层间介质层，位于所述栅极结构露出的所述基底上，且覆盖所述栅极结构的侧壁，在所述层间介质层的顶部位置处，部分厚度的所述层间介质层中掺杂有离子，且掺杂有离子的所述层间介质层用于作为刻蚀保护层。本发明实施例通过使部分厚度的所述层间介质层中掺杂有离子，获得耐刻蚀度更高的刻蚀保护层，在去除栅氧化层的过程中，刻蚀工艺对所述刻蚀保护层的刻蚀量较小，相应的，使得所述层间介质层的顶部受到消耗的概率降低，从而降低了所述层间介质层有效高度降低的概率，相应的，降低了栅极结构有效高度降低的概率，进而提高了半导体的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110071808.9在审
发明人：渠汇;何永根;黄豪俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，基底包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，其中，第一器件的工作电压大于第二器件的工作电压；形成保形覆盖第一区域和第二区域的鳍部的第一栅氧化层，其中，位于第二区域的第一栅氧化层用于构成第二器件的栅介质层；形成保形覆盖第一栅氧化层的第二栅氧化层，其中，位于第一区域的第二栅氧化层和第一栅氧化层用于构成第一器件的栅介质层；进行栅介质层减薄处理，栅介质层减薄处理包括：去除位于第二区域的所述第二栅氧化层。本方案减小工艺制程对第二区域的鳍部的消耗，进而提高第一区域和第二区域的鳍部宽度均一性和高度均一性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201711172879.8有效
发明人：刘轶群;何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底中分别形成初始槽；对所述初始槽的内壁进行表面圆滑处理，使初始槽形成凹槽，所述凹槽的底部表面和侧壁之间的拐角处呈圆角；在所述凹槽的内壁形成种子层，且所述种子层覆盖凹槽的全部内壁；在所述凹槽中形成位于种子层表面的源漏体层。所述方法提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910649261.9在审
发明人：黄豪俊;何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述衬底上具有介质层，所述第一区上的介质层内具有第一栅极开口，所述第二区上的介质层内具有第二栅极开口；在所述第一栅极开口底部和第二栅极开口底部形成一层或多层初始功函数层；采用至少一次循环刻蚀步骤刻蚀第一栅极开口内所述初始功函数层，在第二栅极开口内形成功函数层，每次所述循环刻蚀步骤包括：采用氧化物刻蚀工艺刻蚀所述初始功函数层；在氧化物刻蚀工艺之后，采用主刻蚀工艺刻蚀所述初始功函数层，去除一层暴露出的初始功函数层。所形成的半导体结构性能得到了提升。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种腔室纯净度的监测方法-CN201510960495.7有效
发明人： 何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室纯净度的监测方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供半导体衬底；步骤S102：对所述半导体衬底执行烘焙工艺；步骤S103：在所述半导体衬底上形成外延薄膜；步骤S104：重复执行所述步骤S102和步骤S103以在所述半导体衬底上形成两层以上的外延薄膜；步骤S105：对所述形成有两层以上的外延薄膜的半导体衬底进行杂质元素分析。该方法尽可能地捕捉任何可能将杂质源引入到工艺腔室的硬件或材料偏移，从而便于后续排除该杂质来源，提高外延工艺的成功率和外延薄膜的质量。
一种纯净监测方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510125951.6有效
发明人： 何永根;禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；采用氧化处理在所述基底表面形成界面材料层；对所述界面材料层进行含氧氛围下的退火处理形成界面层，所述退火处理的温度高于所述氧化工艺的温度；在所述界面层表面形成介质层。采用上述方法可以提高形成的半导体结构中界面层的质量。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201510051480.9有效
发明人： 何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；形成第一伪栅结构，所述第一伪栅结构包括第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的盖帽层、位于第一盖帽层表面的伪栅极，所述第一伪栅结构部分位于浅沟槽隔离结构表面，部分位于半导体衬底表面，所述第一盖帽层的材料包括掺硅氮化钛。上述方法可以提高所述半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201410369904.1有效
发明人： 何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面形成有若干分立的鳍部；在鳍部侧壁和顶部表面形成隔离层，且刻蚀工艺对隔离层的刻蚀速率与对鳍部的刻蚀速率不同；在隔离层表面形成杂质层，杂质层中具有与鳍部材料相同的原子，且杂质层中还具有N型离子或P型离子；对衬底进行退火处理，使杂质层中的N型离子或P型离子通过隔离层扩散进入鳍部中，在鳍部内形成掺杂区，且杂质层转化为本征层；以隔离层为刻蚀停止层，刻蚀去除本征层；刻蚀去除隔离层，直至暴露出鳍部顶部和侧壁表面。本发明提高形成的掺杂区的浓度均匀性，避免离子注入工艺造成的鳍部非晶化问题，并且保持鳍部尺寸的完整性，优化鳍式场效应管的电学性能。
场效应形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201410628894.9有效
发明人： 何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区结构和浅沟槽隔离结构；所述半导体衬底表面形成有栅极结构和位于所述栅极结构侧壁的侧墙，所述栅极结构包括位于半导体衬底表面的栅介质层，所述栅介质层包括位于半导体衬底表面的介质层和位于所述介质层表面的金属层，部分栅极结构和部分侧墙位于浅沟槽隔离结构表面；对位于浅沟槽隔离结构上方的部分金属层进行改性处理，使所述部分金属层转变为保护层。所述保护层保护位于有源区结构表面的栅介质层不被酸性物质腐蚀和消耗，避免了半导体器件的失效。
半导体结构及其形成方法

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