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[发明专利]微博平台热词抓取与社交群体分析方法及装置-CN202310093696.6在审
发明人：王天博;赵昊鹏;李化成;夏春和 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F16/9536 文献下载
摘要：本申请涉及一种微博平台热词抓取与社交群体分析方法及装置，其中，方法包括：基于预设自然语言处理词典建立词语相关性图，利用抓取的微博文本计算目标时间范围内关键词与热度，挖掘当前热点话题与相关热词；将涉及热点话题传播的社交用户按预设时间顺序排列为传播级联，建立好友关系图，得到传播级联特征和好友关系特征；基于动态超图神经网络技术，使用传播级联特征和好友关系特征共同进行社区划分，生成社区的动态划分结果。由此，解决了相关技术中，针对热点话题的提取方法一般适合处理静态文本库，缺少时间变化要素，定量分析微博文本的热度缺乏新的技术手段，网络中的社区划分方法忽略现有模型中动态的传播关系的问题。
平台抓取社交群体分析方法装置

[发明专利]半导体器件-CN201610371338.7有效
发明人：郑在烨;金炫助;朴性律;朴世玩;尹钟密;李廷骁;李化成;郑熙暾;河智龙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。
半导体器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201610177408.5有效
发明人：郑在烨;尹钟植;李化成;郑熙暾;柳齐民;车圭晚;尹钟密;金炫助 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]包括过孔和布线的半导体器件-CN202010766570.7在审
发明人：李美知;郑泰荣;赵润庆;裴相友;李化成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括下布线、在下布线上的上布线以及在下布线与上布线之间的过孔。下布线具有彼此相对的第一端表面和第二端表面，上布线具有彼此相对的第三端表面和第四端表面，并且过孔具有与下布线的第二端表面相邻的第一侧面和与上布线的第三端表面相邻的第二侧面。过孔的第一侧面的下端与下布线的第二端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的1/3，并且过孔的第二侧面的上端与上布线的第三端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的1/3。
包括布线半导体器件

[实用新型]一种水源热泵污泥干化装置-CN202021448386.X有效
发明人： 李化成 -专利权人：绵阳吉华环境工程技术有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C02F11/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水源热泵污泥干化装置，包括干燥机，并在干燥机上设有出风口和进风口；出风口通过设有的排湿风管道与设有的喷淋塔连接连通；并在干燥机和喷淋塔之间设有水源热泵机组；其中水源热泵机组通过设有的循环风管与所述出风口连接连通；同时喷淋塔的内部设有喷头，并通过喷头将喷淋水喷向排湿风管道送来的湿空气，并与湿空气中的热源进行交换，然后将交换后的热源送向水源热泵机组内部，且水源热泵机组的另一端通过设有的循环风机将水源热泵机组内部的热源再次补充加热的循环风送至干燥机内，实现干燥机内部污泥的干燥；经过喷淋水接触换热冷却的排湿风，通过塔内隔层功能填料的除臭、除尘、除水雾后，达到国家规定排放标准排放。
一种水源污泥化装

[发明专利]半导体器件-CN201610282358.7有效
发明人：金伦楷;李化成;赵槿汇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：栅结构，其在衬底上在第二方向上延伸；源/漏层，设置于衬底的在交叉第二方向的第一方向上与栅结构相邻的部分上；第一导电接触插塞，在栅结构上；以及第二接触插塞结构，其设置在源/漏层上。第二接触插塞结构包括第二导电接触插塞和绝缘图案，第二导电接触插塞和绝缘图案沿第二方向设置并且彼此接触。第一导电接触插塞和绝缘图案在第一方向上彼此相邻。第一和第二导电接触插塞彼此间隔开。
半导体器件

[发明专利]空气接触循环废水的浓缩分离装置-CN201910519933.4在审
发明人： 李化成 -专利权人：绵阳吉华环境工程技术有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：一种空气接触循环废水的浓缩分离设备，由废水母液循环雾化装置、空气循环装置和浓缩过饱和液体固液分离装置构成，其中：废水母液循环雾化装置涉及底部为母液池（12）的蒸发塔（11），蒸发塔（11）中部分布有喷雾头（17），喷雾头（17）与喷雾管路（16）连接，喷雾管路（16）上装有循环泵（15）；空气循环装置涉及空气管路（21），空气管路（21）上装有风机（22）、空气冷凝室（23）、空气加热室（26），空气冷凝室（23）进风口与蒸发塔（11）的顶部连通，出风口与空气加热室（26）连通，空气加热室（26）与蒸发塔（11）连通；浓缩过饱和液体固液分离装置涉及过滤管路（31），过滤管路（31）上装有过滤泵（32）和固液分离器（33）。
空气接触循环废水浓缩分离装置

[发明专利]一种水源热泵污泥干化装置-CN202010702498.1在审
发明人： 李化成 -专利权人：绵阳吉华环境工程技术有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C02F11/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种水源热泵污泥干化装置，包括干燥机，并在干燥机上设有出风口和进风口；出风口通过设有的排湿风管道与设有的喷淋塔连接连通；并在干燥机和喷淋塔之间设有水源热泵机组；其中水源热泵机组通过设有的循环风管与所述出风口连接连通；同时喷淋塔的内部设有喷头，并通过喷头将喷淋水喷向排湿风管道送来的湿空气，并与湿空气中的热源进行交换，然后将交换后的热源送向水源热泵机组内部，且水源热泵机组的另一端通过设有的循环风机将水源热泵机组内部的热源再次补充加热的循环风送至干燥机内，实现干燥机内部污泥的干燥；经过喷淋水接触换热冷却的排湿风，通过塔内隔层功能填料的除臭、除尘、除水雾后，达到国家规定排放标准排放。
一种水源污泥化装

[实用新型]空气接触循环废水的浓缩分离装置-CN201920904093.9有效
发明人： 李化成 -专利权人：绵阳吉华环境工程技术有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：一种空气接触循环废水的浓缩分离装置，由废水母液循环雾化装置、空气循环装置和浓缩过饱和液体固液分离装置构成，其中：废水母液循环雾化装置涉及底部为母液池（12）的蒸发塔（11），蒸发塔（11）中布有喷雾头（17），喷雾头（17）与喷雾管路（16）连接，喷雾管路（16）上装有循环泵（15）；空气循环装置涉及装有风机（22）、空气冷凝室（23）、空气加热室（26）的空气管路（21），空气冷凝室（23）进风口与蒸发塔（11）的顶部连通，出风口与空气加热室（26）连通，空气加热室（26）与蒸发塔（11）连通；浓缩过饱和液体固液分离装置涉及装有过滤泵（32）和固液分离器（33）的过滤管路（31）。
空气接触循环废水浓缩分离装置

[发明专利]检测半导体装置的故障的方法-CN201910192150.X在审
发明人：崔芝影;詹瞻;金敏燮;金洲铉;姜成建;李化成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种检测半导体装置的故障的方法，所述方法包括：在基底的有源区上形成有源鳍，所述有源鳍在第一方向上延伸；在有源鳍上形成栅极结构，所述栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；在栅极结构的相对侧处的有源鳍的对应部分上形成源极/漏极层；形成电连接到源极/漏极层的布线；以及施加电压以测量源极/漏极层之间的漏电流。可以在有源区上形成仅一个或两个有源鳍。可以在有源鳍上形成仅一个或两个栅极结构。
栅极结构源极/漏极源区半导体装置方向交叉施加电压测量源电连接漏电流漏极层种检测延伸布线基底

[发明专利]半导体器件和其制造方法-CN201910504880.9在审
发明人：朴永珉;吕京奂;尹钟密;李化成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明构思的一些示例实施方式提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：包括至少第一区域的衬底；第一有源图案和从第一区域垂直突出的第一虚设图案；器件隔离层，填充衬底的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；和与第一有源图案相交的栅电极。第一沟槽在第一区域上限定第一有源图案，第二沟槽限定第一区域的第一侧壁，第三沟槽限定第一区域的第二侧壁，第二侧壁与第一侧壁相反。第一虚设图案的侧壁可以与第一区域的第二侧壁对准，第一区域的第二侧壁的顶部的水平可以高于第一区域的第一侧壁的顶部的水平。
第一区域第二侧壁第一侧壁源图案半导体器件虚设图案衬底器件隔离层发明构思栅电极侧壁填充相交垂直对准制造

[发明专利]测试元件组和包括该测试元件组的半导体晶片-CN201910246824.X在审
发明人：詹瞻;金洲铉;姜成建;李化成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种测试元件组包括：测试元件，该测试元件包括在第一节点与第二节点之间串联连接的多个测试晶体管，其中第二节点连接到地节点；第一晶体管，连接在第一节点与电源节点之间；以及第二晶体管，被配置为生成与第一节点处的电压成比例的输出电流，并且连接到第一节点和电源节点。
测试元件组测试元件电源节点晶体管半导体晶片测试晶体管节点连接输出电流地节点节点处配置

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201610098348.8有效
发明人：郑在烨;李润锡;金炫助;李化成;郑熙暾;朴世玩;郑宝哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：具有不同导电类型的沟道区的第一和第二鳍型有源区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁。第一器件隔离层和第二器件隔离层具有不同的堆叠结构。为了制造该集成电路器件，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁的第一器件隔离层和覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁的第二器件隔离层在形成第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之后形成。第一器件隔离层和第二器件隔离层形成为具有不同的堆叠结构。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法及实现该方法的计算系统-CN201410564455.6有效
发明人：金伦楷;尹钟植;李化成;金柄成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了制造半导体器件的方法和用于实现该方法的计算系统。制造半导体器件的方法包括：形成靶层；在靶层上形成第一掩模以暴露第一区；随后在靶层上形成第二掩模以暴露在第一方向上与第一区分开的第二区；随后在暴露的第一区中形成第三掩模以将第一区分为在交叉第一方向的第二方向上彼此分开的第一子区和第二子区；和使用第一至第三掩模蚀刻靶层，使得第一子区和第二子区以及第二区被限定在靶层中。
半导体器件制造方法实现计算系统

[发明专利]半导体器件-CN201410287476.8无效
发明人：徐东灿;高铤槿;郑圣勋;李宽钦;李化成;金傔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍型有源图案，突出在器件隔离层之上；栅极电极，在器件隔离层上并交叉鳍型有源图案；抬高的源极/漏极，在栅极电极两侧的鳍型有源图案上；以及鳍间隔物，在鳍型有源图案的侧壁上，该鳍间隔物具有低介电常数并在器件隔离层和抬高的源极/漏极之间。
半导体器件

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