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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201811610534.0有效
发明人：浅田泰生;折居武彦;入江伸次;高桥信博;萩原彩乃;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。在向沿着横向按照含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的顺序相邻地设置有含硅膜、多孔质膜、非蚀刻对象膜的基板供给蚀刻气体而将含硅膜去除时，防止非蚀刻对象膜的蚀刻。实施如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，供给成膜气体(21、22)，在多孔质膜(15)的孔部(16)成膜穿过防止膜(23)，该穿过防止膜(23)用于防止对含硅膜(14)进行蚀刻的蚀刻气体(24)穿过该孔部(16)而向非蚀刻对象膜(11)供给；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，在形成有穿过防止膜(23)的状态下，供给蚀刻气体(24)而对含硅膜(14)进行蚀刻。
蚀刻方法装置

[发明专利]含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置-CN201811523845.3有效
发明人： 高桥信博;竹谷考司;田内启士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置。在对基板上的含硅膜进行蚀刻之际，对该含硅膜的蚀刻量的面内分布恰当地进行控制。在对晶圆(W)上的SiGe膜进行蚀刻之际，向SiGe膜供给含有小于ClF3的分子量的含氟气体的蚀刻气体，通过对蚀刻气体的流速进行控制，来对SiGe膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制。通过将蚀刻气体的流速设为低速，SiGe膜的外周部的蚀刻量比中心部的蚀刻量大。通过将蚀刻气体的流速设为高速，SiGe膜的中心部的蚀刻量比外周部的蚀刻量大。
含硅膜蚀刻方法计算机存储介质装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202210574998.0在审
发明人： 高桥信博;松永淳一郎;堀川清贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置，抑制蚀刻后的硅膜的表面粗糙度。实施以下工序：第一工序，向在表面形成有硅膜且被设为第一温度的基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，使所述硅膜的表面改性而生成反应产物；以及第二工序，在所述第一工序之后，将所述基板设为第二温度来去除所述反应产物。
处理方法装置

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN202210647736.2在审
发明人： 高桥信博;中込健 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，使蚀刻后的含锗膜的形状成为期望的形状。所述蚀刻方法包括以下工序：将基板保存到处理容器内的工序，所述基板具备由是含锗膜的侧壁构成的凹部；蚀刻工序，向所述处理容器内供给包含第一含氟气体和第二含氟气体的蚀刻气体，来对所述侧壁进行蚀刻；以及形状控制工序，其包含于所述蚀刻工序，在该形状控制工序中，调整该处理容器内的所述第一含氟气体的分压或者向所述处理容器内供给的所述第二含氟气体相对于该第一含氟气体的流量的比例，来控制蚀刻后的所述侧壁的形状。
蚀刻方法装置

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN202180030195.2在审
发明人：折居武彦;高桥信博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：在向基板供给蚀刻气体来对表面进行蚀刻的蚀刻方法中，实施以下工序：保护工序，向设置有含有氧的硅膜的所述基板供给胺气，来在所述含有氧的硅膜的表面形成用于防止被所述蚀刻气体蚀刻的保护膜以进行保护；以及第一蚀刻工序，向所述基板供给所述胺气以及作为所述蚀刻气体之一的第一蚀刻气体，来对所述含有氧的硅膜进行蚀刻，其中，所述第一蚀刻气体是含氟气体。
蚀刻方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180020371.4在审
发明人： 高桥信博;清水昭贵;浅田泰生 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种基板的处理方法，是交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的处理方法，所述基板的处理方法包括以下工序：使用被利用远程等离子体自由基化后的、包含氟和氧的气体，选择性地将所述硅锗层的露出面的表层氧化来形成氧化膜；以及去除所形成的所述氧化膜。
处理方法装置

[发明专利]蚀刻方法和基板处理系统-CN202010926933.9在审
发明人： 高桥信博;宫田一史;浅田泰生 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻方法和基板处理系统。[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。
蚀刻方法处理系统

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN202010200967.X在审
发明人： 高桥信博;萩原彩乃;浅田泰生;山口达也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，具体来说，[课题]防止蚀刻气体通过多孔膜的孔部而使蚀刻非对象膜被蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对基板供给蚀刻气体，对设置于该基板的含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下工序：胺气体供给工序，对依次相邻地设有前述含硅膜、多孔膜、对前述蚀刻气体具有被蚀刻性的蚀刻非对象膜的基板供给胺气体，使胺吸附于前述多孔膜的形成孔部的孔壁；和，蚀刻气体供给工序，对前述孔壁上吸附有胺的基板供给用于对前述含硅膜进行蚀刻的蚀刻气体。
蚀刻方法装置

[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置及存储介质-CN201910649138.7在审
发明人： 高桥信博;浅田泰生 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置及存储介质。本发明的课题是提供：在表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板中，能够抑制对Si的损伤而选择性地蚀刻SiGe或Ge的技术。本发明的蚀刻方法具备如下工序：设置表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板的工序；和，将包含含氟气体和含氢气体的处理气体供给至基板，相对于Si选择性地蚀刻SiGe或Ge的工序。
蚀刻方法装置存储介质

[发明专利]蚀刻方法-CN201580054412.6有效
发明人：竹谷考司;西村和晃;高桥信博;松永淳一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：蚀刻方法包括以下工序：将具有硅和硅锗的被处理基板配置在腔室内；将由H
蚀刻方法

[发明专利]基板处理方法和存储介质-CN201880022445.6在审
发明人： 高桥信博;浅田泰生;松永淳一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种在相对于Si层、SiO₂层以及SiN层中的至少一种层选择性地对形成于晶圆的SiGe层进行蚀刻时使蚀刻量一致的技术。在交替地层叠的SiGe层(100)和Si层(101)在凹部(103)内露出的晶圆(W)中通过侧向蚀刻对SiGe层(100)进行蚀刻时，向晶圆W同时供给ClF₃气体和HF气体。因此，各SiGe层(100)的蚀刻速度变得均匀，能够使各SiGe层(100)的蚀刻量一致。
蚀刻晶圆蚀刻量侧向蚀刻交替地层凹部种层

[发明专利]蚀刻方法-CN201910054586.2在审
发明人：浅田泰生;折居武彦;高桥信博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻的蚀刻方法。向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对第1SiGe系材料和第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。
蚀刻蚀刻气体被处理体比对培育

[发明专利]蚀刻方法-CN201610077423.2有效
发明人： 高桥信博;松本雅至;萩原彩乃;竹谷考司;松永淳一郞 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供在SiGe和Si共存的被处理基板中，能够使用相同的气体体系在同一装置内进行相对于Si选择性蚀刻SiGe、以及相对于SiGe选择性蚀刻Si的蚀刻方法。通过将具有硅和硅锗的被处理基板配置于腔室内，将蚀刻气体的气体体系设为F2气体和NH3气体，并改变F2气体与NH3气体的比率，从而进行相对于硅选择性蚀刻硅锗、以及相对于硅锗选择性蚀刻硅。
蚀刻方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201480022312.0有效
发明人： 高桥信博;高桥哲朗;守谷修司;松本雅至;松永淳一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]半导体处理装置的石英制品检测方法及检测辅助装置-CN200480029726.2有效
发明人：及川雅之;安倍胜彦;高桥信博;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-09-06 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种检测辅助装置(3)，其用于，使半导体处理装置的石英制棒状部件(21)的检测对象部分接触由蚀刻液组成的处理液，然后分析处理液，测定在检测对象部分中含有的金属杂质的检测。棒状部件(21)具有位于夹持检测对象部分的一对凹部(22)。检测辅助装置(3)具有，与一对凹部结合的一对端板(32)、连接一对端板的框架(30)和在一对端板间设置的液体接受部(31)。液体接受部(31)贮留处理液，并具有使检测对象部分与处理液接触的尺寸。
半导体处理装置石英制品检测方法辅助

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