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[实用新型]低势垒肖特基二极管的结构-CN201120534643.6有效
发明人：刘宪成;吴志伟;王平 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种低势垒肖特基二极管的结构，包括半导体衬底；N型外延层，位于所述半导体衬底的正面；钝化层，位于所述N型外延层上，所述钝化层具有开窗；势垒合金层，位于所述开窗中的N型外延层上，所述势垒合金层的材质为钛的硅化物本实用新型所述低势垒肖特基二极管的结构，以钛的硅化物作为势垒合金层，其中优选二硅化钛作为势垒合金层，使形成的势垒合金层具有良好的工艺稳定性，降低了对开窗中的外延层表面态的要求，且相比于现有技术中常用的势垒金属层，能够形成更低的势垒高度、更低正向压降的低势垒肖特基二极管。
低势垒肖特基二极管结构

[发明专利]具有单个势垒的沟槽型肖特基器件-CN200680038726.8无效
发明人：乔瓦尼·里基耶罗;罗萨罗·卡尔塔 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L27/095 文献下载
摘要：用于形成沟槽型肖特基势垒器件的工艺包括：在硅晶片表面中的沟槽内形成氧化物层，然后在该晶片的全部上表面上沉积完全连续的金属势垒层，该全部上表面包括沟槽内部以及沟槽间的台，势垒只与台接触。可以使用钛、钯和任何传统的势垒金属。
具有单个沟槽型肖特基器件

[实用新型]一种肖特基接触二极管中的钛金属层-CN201820476741.0有效
发明人：潘国刚;周卫宏;张晓新;余庆;赵铝虎;鄢细根;周桂丽;秦永星;傅劲松;何火军 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基接触二极管中的钛金属层，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层，所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层；所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层本实用新型通过在溅射铝前，增加一层很薄的钛金属层，通过后续钛和硅发生反应形成钛硅化物层，从而改变肖特基势垒电压。通过调整不同的钛层厚度，产生不同的势垒电压，从而实现电压的可调性。
钛金属层二氧化硅层肖特基接触二极管硅衬底层溅射本实用新型肖特基势垒钛硅化物层势垒电压可调性铝层钛层

[发明专利]一种具有钛钨层的肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202211079155.X在审
发明人：杨敏红;刘韵吉;单慧 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基势垒二极管及制备方法，二极管结构是，在肖特基势垒硅化物和正面金属之间有一层钛钨层；具体的二极管构造是：从上到下依次为正面金属，钛钨层，肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层，背面金属；肖特基势垒位于n‑外延层和钛钨层之间；钛钨层下面肖特基势垒层周围还设有氧化层。肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层制备完成后溅射钛钨：用磁控溅射仪溅射钛钨层，钛钨厚度在0.1um‑0.3um，用于保护肖特基势垒，再制备正面金属电极。
一种具有钛钨层肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]氮化钛硅势垒层-CN202080081318.0在审
发明人：许在锡;J·麦克;S·J·拉蒂;N·慕克吉 -专利权人：尤金纳斯股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：所公开的技术大体上涉及一种包括氮化钛硅的势垒层，且更特定来说涉及一种用于非易失性存储器装置的势垒层，及其形成方法。在一个方面中，一种形成用于相变存储器装置的电极的方法包括在半导体衬底上方在经配置以存储存储器状态的相变存储元件上形成包括氮化钛硅(TiSiN)的电极。
氮化钛硅势垒层

[发明专利]一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法-CN201410093312.1有效
发明人：蒋玉龙;彭雾;王琳琳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氧原子，形成硅化钛（TiSix，内含氧原子）/硅肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氧原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。
一种调节硅化钛硅肖特基接触方法

[发明专利]一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法-CN201410199891.8有效
发明人：蒋玉龙;王琳琳;彭雾 -专利权人：复旦大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氮原子，形成硅化钛（TiSix，内含氮原子）/Si肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氮原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。
一种调节硅化钛硅肖特基接触方法

[发明专利]一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法-CN201910836167.4有效
发明人：蔡宇韬;王洋;刘雯;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法，该氮化镓晶体管包括硅衬底；依次设于衬底上的氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层；与铝镓氮势垒层相接触的源极和漏极；设于铝镓氮势垒层上除源极漏极以外区域的钝化层；刻蚀掉栅下的钝化层和部分栅下铝镓氮势垒层后形成凹槽结构的栅极。栅极第一层为p型氧化钛，第二层为金属层，p型氧化钛作为栅介质，使得零栅压时耗尽栅极下方的二维电子气，实现增强型的金属绝缘体半导体场效应晶体管结构，同时具有较低的漏电和较高的击穿电压。
一种实现通电增强氮化晶体管方法

[发明专利]一种沟槽二极管势垒层制备方法-CN202111402557.4在审
发明人：潘东辉;陆阳;张龙;李怀辉;赵国权 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了半导体制造技术领域内的一种沟槽二极管势垒层制备方法，包括以下步骤：S1：在硅衬底表面溅射金属；S2：经快速退火炉退火横向形成势垒层；S3：经合金炉退火纵向形成势垒层；S4：去除硅衬底表面金属，完成势垒层制备。该势垒层制备方法可以解决势垒层边缘偏薄的问题，降低沟槽二极管漏电参数，提高产品稳定性。
一种沟槽二极管势垒层制备方法

[发明专利]具有肖特基金属结的半导体装置及其制作方法-CN201911171044.X在审
发明人：单亚东;谢刚;胡丹;李武华 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有肖特基金属结的半导体装置及其制作方法，所述半导体装置包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。本发明采用两种不同的势垒金属作为肖特基接触，器件反向阻挡时，利用高势垒的肖特基金属对低势垒肖特基金属的电场屏蔽作用降低肖特基势垒电流，器件正向导通时，器件因低势垒肖特基金属具有较低的导通压降。
具有基金半导体装置及其制作方法

[发明专利]纳米硅/非晶碳化硅异质结多势垒变容二极管及制备方法-CN202110203412.5有效
发明人：韦文生;吴晓华;莫越达;王渊;熊愉可;何明昌;周迪 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅/非晶碳化硅异质结多势垒变容二极管及制备方法，包括N+型单晶硅衬底、N+型单晶硅衬底上沉积的N型纳米硅调制层、N型纳米硅调制层上沉积的非晶碳化硅势垒层、非晶碳化硅势垒层上沉积的N型纳米硅调制层；根据耐压和容量要求，确定由N型纳米硅调制层、非晶碳化硅势垒层、N型纳米硅调制层构成的异质结的生长周期；然后沉积N+型纳米硅接触层；在N+型单晶硅衬底、纳米硅接触层上表面分别蒸镀金铝电极，异质结外面氧化产生保护层，之外涂覆遮光层，制成异质结多势垒变容二极管本发明的异质结多势垒变容二极管的电容小、变容比率高、截止频率高、动态负载调制范围宽，适用于倍频、电调谐、参数放大等。
纳米碳化硅异质结多势垒变容二极管制备方法

[发明专利]势垒金属结构及势垒金属结构的制造方法-CN201711451462.5在审
发明人：朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种势垒金属结构及势垒金属结构的制造方法，包括：第一金属钛层，设于所述衬底上；金属氮化钛层，设于所述第一金属钛层上；第二金属钛层，设于所述金属氮化钛层上；铝金属层，设于所述第二金属钛层上。上述势垒金属结构，由于在金属氮化钛层和铝金属层之间设有第二金属钛层，可阻止铝金属层和金属氮化钛层在常温下反应生成氮化铝(AlN)，采用湿法腐蚀时，能有效稳定金属氮化钛层的腐蚀速率，保证金属氮化钛层能被完全腐蚀掉，保证了SiC JBS器件最终的性能；该势垒金属结构支持使用湿法腐蚀，可有效解决干法刻蚀过程中带来的过刻和刻蚀完成后金属侧壁形貌较为陡直，不利于后续的钝化层覆盖的问题。
势垒金属金属氮化金属钛层钛层铝金属层湿法腐蚀腐蚀形貌干法刻蚀过程氮化钛层结构支持金属侧壁稳定金属有效解决常温下氮化铝钝化层衬底刻蚀制造保证覆盖

[发明专利]一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法-CN201710312966.2在审
发明人：刘闯;刘文彬 -专利权人：天津中环半导体股份有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明创造提供了一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法，选取经过处理的硅作为衬底硅，配置1号液清洗衬底硅，去除衬底硅表面的金属离子及有机沾污；配置2号液清洗上述衬底硅，去除自然氧化层和前序工艺产生的氧化层；配置3号液对上述衬底硅表面进行亲水性处理，旋转甩干处理后的衬底硅，通过蒸发或者溅射的方式将金属与衬底硅结合得到肖特基势垒层，本发明创造所述的一种改善肖特基势垒层均匀性的清洗方法，衬底硅经过清洗后表面表现为亲水性，能有效去除衬底硅表面的杂质，保证了清洗工艺的效果，提高势垒的均匀性，进而减小隧穿电流，减少漏电流，提高肖特基势垒器件的质量。
一种改善肖特基势垒层均匀清洗方法

[实用新型]具有肖特基金属结的半导体装置-CN201922060705.3有效
发明人：单亚东;谢刚;胡丹;李武华 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有肖特基金属结的半导体装置，包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。本实用新型采用两种不同的势垒金属作为肖特基接触，在器件反向阻挡情况下，可以利用高势垒的肖特基金属对低势垒肖特基金属的电场屏蔽作用，降低肖特基势垒电流，而在器件正向导通时，器件因低势垒肖特基金属仍具有较低的导通压降
具有基金半导体装置

[实用新型]一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器-CN202021257428.1有效
发明人：王林;朱久泰;郭万龙;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本专利公开了一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器，其结构特点自下而上分别是GaAs衬底、GaAs缓冲层、Al0.3Ga0.7As势垒层、掺杂硅的Al0.3Ga0.7As势垒层和掺杂硅的GaAs势垒层，源极和漏极都位于GaAs缓冲层上并且位于各势垒层两端，与Al0.3Ga0.7As势垒层与GaAs缓冲层之间的二维电子气沟道形成欧姆接触，栅极位于掺杂硅的GaAs势垒层上方并与掺杂硅的GaAs势垒层形成肖特基接触。
一种 gaas algaas 异质结太赫兹探测器

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