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[发明专利]一种抗菌保温杯及其加工工艺-CN202011422249.3在审
发明人：应警辉;赵波;王俊;徐益平;李晨晨;欧宇欣 -专利权人：浙江保康电器有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： A47G19/22 文献下载
摘要：一种抗菌保温杯，包括同心设置的钛金属层、内胆层和外壳，内胆层包裹于钛金属层外，外壳包裹于内胆层外；所述钛金属层底部焊接有钛底座，内胆层底部焊接有内胆底座；所述钛金属层底部位于内胆层底部下方，且内胆层底部形成有折边结构，折边结构与钛金属层外表面之间形成有间隙；所述钛金属层顶部与内胆层顶部焊接固定，外壳顶部与内胆层焊接固定；与现有技术相比，通过通过设置钛金属层的长度大于内胆层的长度，使得钛金属层底部和内胆层底部不同的高度差，在钛金属层底部焊接钛底座的过程中不与内胆层形成干涉，且内胆层底部形成折边结构，内胆层底部在与内胆底座焊接过程中不与钛金属层形成干涉。
一种抗菌保温杯及其加工工艺

[实用新型]一种抗菌保温杯-CN202022918540.1有效
发明人：应警辉;赵波;王俊;徐益平;李晨晨;欧宇欣 -专利权人：浙江保康电器有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： A47G19/22 文献下载
摘要：一种抗菌保温杯，包括同心设置的钛金属层、内胆层和外壳，内胆层包裹于钛金属层外，外壳包裹于内胆层外；所述钛金属层底部焊接有钛底座，内胆层底部焊接有内胆底座；所述钛金属层底部位于内胆层底部下方，且内胆层底部形成有折边结构，折边结构与钛金属层外表面之间形成有间隙；所述钛金属层顶部与内胆层顶部焊接固定，外壳顶部与内胆层焊接固定；与现有技术相比，通过通过设置钛金属层的长度大于内胆层的长度，使得钛金属层底部和内胆层底部不同的高度差，在钛金属层底部焊接钛底座的过程中不与内胆层形成干涉，且内胆层底部形成折边结构，内胆层底部在与内胆底座焊接过程中不与钛金属层形成干涉。
一种抗菌保温杯

[发明专利]势垒金属结构及势垒金属结构的制造方法-CN201711451462.5在审
发明人：朱家从;甘新慧;蒋正勇;张伟民;杨万青;齐从明 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种势垒金属结构及势垒金属结构的制造方法，包括：第一金属钛层，设于所述衬底上；金属氮化钛层，设于所述第一金属钛层上；第二金属钛层，设于所述金属氮化钛层上；铝金属层，设于所述第二金属钛层上。上述势垒金属结构，由于在金属氮化钛层和铝金属层之间设有第二金属钛层，可阻止铝金属层和金属氮化钛层在常温下反应生成氮化铝(AlN)，采用湿法腐蚀时，能有效稳定金属氮化钛层的腐蚀速率，保证金属氮化钛层能被完全腐蚀掉，保证了SiC JBS器件最终的性能；该势垒金属结构支持使用湿法腐蚀，可有效解决干法刻蚀过程中带来的过刻和刻蚀完成后金属侧壁形貌较为陡直，不利于后续的钝化层覆盖的问题。
势垒金属金属氮化金属钛层钛层铝金属层湿法腐蚀腐蚀形貌干法刻蚀过程氮化钛层结构支持金属侧壁稳定金属有效解决常温下氮化铝钝化层衬底刻蚀制造保证覆盖

[实用新型]一种复合有钛金属粉的钛纤维过滤毡-CN202222104700.8有效
发明人：申佳庆 -专利权人：浙江玖昱科技有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B01D39/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合有钛金属粉的钛纤维过滤毡，包括钛纤维过滤毡主体，所述钛纤维过滤毡主体包括：钛纤维毡层，所述钛纤维毡层是由多层钛纤维无纺铺制烧结的毡层复和烧结而成；钛金属粉附着层，所述钛金属粉附着层设置有两层，且所述两层钛金属粉附着层将钛纤维毡层夹与中间并复合烧结，以及钛金属连接框，所述钛金属连接框的固定连接在钛纤维毡层的四周，所述钛纤维毡层钛纤维丝直径为0.8mm‑6.0mm，所述钛金属连接框的表面上开设有贯穿的滤孔该复合有钛金属粉的钛纤维过滤毡，通过在钛纤维毡层的四周设置钛金属连接框，并插槽与插条对接，从而多个钛纤维过滤毡主体拼接在一起，从而适用于不同的过滤环境。
一种复合金属纤维过滤

[实用新型]新型极板基体-CN200420039708.X无效
发明人：夏祥伟 -专利权人：夏祥伟
申请日： 2004-04-06 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01M4/68 文献下载
摘要：新型极板基体属于电池部件技术领域，在极板基体上设有金属钛镀层；极板基体可以是下列极板基体之一：(1)金属切拉网；(2)金属编织网；(3)冲孔金属带；金属钛镀层也可以是下列金属镀层之一：(1)钛铅合金层；(2)钛层上附设铅层；(3)钛层上附设铅层后再附设钛铅合金层。极板基体上的金属镀层根据电池性能的要求或金属镀层的本身的性能，可以是一层，也可以是多层。金属切拉网、金属编织网或冲孔金属带作极板基体，减轻了电池重量，增加了电池的容量；极板基体上设有金属钛镀层(或钛铅合金层、钛层上附设铅层、钛层上附设铅层后再附设钛铅合金层)，增加了极板基体的耐腐蚀性，延长了电池的寿命
新型极板基体

[发明专利]一种半导体元件的制造方法-CN202110306176.X有效
发明人：刘小东;方建智;黄志贤;陈锦 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：所述制造方法包括提供一晶圆，所述晶圆表面具有源极区域、漏极区域以及栅氧化层；形成一硅层于所述源极区域、漏极区域以及栅氧化层上；形成一钴金属层于所述硅层上，并放入一溅镀装置的反应室中；溅镀形成一钛金属层于所述钴金属层上；溅镀形成一氮化钛层于所述钛金属层上；执行光照退火步骤，以反应形成硅化钴层；移除所述氮化钛层、钛金属层；其中，在形成所述钛金属层和所述氮化钛层的过程中，控制所述溅镀装置中金属靶材上的钛金属与氮化钛的重量比为1.6~2.4，以使所述钛金属将所述氮化钛黏附于所述金属靶材上。本发明解决了因金属靶材边缘附着大量氮化钛颗粒而易掉落到晶圆表面上的问题。
一种半导体元件制造方法

[发明专利]一种集成电路的熔丝结构及其制造方法-CN201410045514.9有效
发明人：贺冠中 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-08 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明所述的制造方法包括如下步骤：在硅衬底的氧化硅层上形成接触孔；在所述接触孔和所述氧化硅层表面形成钛金属层；在所述钛金属层表面形成氮化钛层；在所述接触孔中形成金属插塞；刻蚀所述金属插塞外部的氮化钛层并暴露出所述氮化钛层下方的钛金属层；在所述金属插塞和所述暴露出的钛金属层表面形成金属层；光刻，并分别将所述金属层和其下方的钛金属层刻蚀成金属条和钛金属条，形成熔丝结构。本发明的集成电路的熔丝结构不含氮化钛材料，其在熔断过程中不会形成金属熔融体或金属残留，因此能够有效避免熔丝熔断功能失效，进而保障了产品的成品率和合格率。
钛金属层熔丝结构氮化钛层接触孔集成电路熔断金属插塞刻蚀制造表面形成金属氧化硅层表面氮化钛材料金属熔融体表面形成功能失效金属残留氧化硅层钛金属条成品率硅衬底金属层金属插金属条暴露光刻熔丝合格率

[发明专利]三五族化合物半导体组件的铜金属连接线-CN201210034035.8无效
发明人：花长煌;朱文慧 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种三五族化合物半导体组件的铜金属连接线，包含一金属接触层以及一含铜金属层；其中该金属接触层位于该含铜金属层下方，由选自下列材料组成的群组所构成：钛/钯/铜(Ti/Pd/Cu)、钛/镍钒/铜(Ti/NiV/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/铜(TiW/TiWN/TiW/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/金(TiW/TiWN/TiW/Au)、钛钨/铜(TiW/Cu)以及钛钨/金(TiW/Au)；该含铜金属层还包含一金属保护层，覆盖于该含铜金属层的上方，用以防止含铜金属层的氧化；该金属保护层的材料为镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)或焊接剂(solder)。
三五化合物半导体组件金属连接线

[发明专利]具有监测侧刻量功能的显示面板及其制作方法、监测方法-CN202011012535.2有效
发明人：崔立全 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种具有侧刻量监测功能的显示母板及其制作方法、监测方法，显示母板包括TEG监测区及功能区，TEG监测区具有第一钛铝钛金属层，第一钛铝钛金属层具有第一底钛层、第一铝层以及第一顶钛层，且第一钛铝钛金属层经过侧蚀刻工艺蚀刻后，第一顶钛层的对应被蚀刻区域的第一部分断裂。功能区具有依次形成的第一平坦化层、第二钛铝钛金属层，第二钛铝钛金属层具有第二底钛层、第二铝层及第二顶钛层，第二与第一钛铝钛金属层同时经过侧蚀刻工艺蚀刻后，两者的侧刻量相同，且第二顶钛层的对应被蚀刻区域的第二部分未断裂本发明可以解决现有技术制程中采用屏体钛铝钛打孔技术时无法直接或实时监控金属的侧刻量的问题。
具有监测侧刻量功能显示面板及其制作方法方法

[发明专利]太阳能电池及生产方法、光伏组件-CN202011548705.9有效
发明人：刘继宇;李华 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：太阳能电池包括：硅基底、氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；氮化钛层设置在硅基底的一面，低功函数金属层设置在氮化钛层远离硅基底的一面，金属电极层设置在低功函数金属层远离氮化钛层的一面；其中，低功函数金属层中包含的低功函数金属高于金属钛的活性本申请中，若作为载流子选择传输层的氮化钛层被氧化而生成氧化钛层，则低功函数金属层可以还原氧化钛层，从而提高氮化钛层的导电性，使得电子传输效率得到提升，降低了金属电极与氮化钛层之间的势垒高度，从而可以降低太阳能电池的接触电阻
太阳能电池生产方法组件

[发明专利]一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法-CN201210162934.6有效
发明人：陈莹莹;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法，其包含1、晶圆上依次溅镀钛金属层、氮化钛层、铝金属层和氮化钛薄膜；2、涂覆光刻胶并进行显影；3、紫外线硬化处理光刻胶；4、湿法蚀刻制成镀有氮化钛薄膜的金属线；5、去除氮化钛薄膜上的光刻胶；6、清洗晶圆表面以及镀有氮化钛薄膜的金属线；7、湿法蚀刻掉未制成金属线区域内的钛金属层、氮化钛层、金属线上镀有的氮化钛薄膜；8、蚀刻后灰化处理；9、蚀刻后检查。本发明在金属层上增加氮化钛薄膜，利用氮化钛薄膜的平滑表面，优化光刻胶与金属层之间的附着力，解决金属线上金属线切口的问题，提高产品良率；该增加的氮化钛薄膜最后可用湿法蚀刻去除，以获得和原来一样的金属层结构
一种金属线切口问题金属湿法蚀刻方法

[发明专利]一种铝铜钛结合金属组件及其制作方法-CN201210471317.4无效
发明人：高熠辉 -专利权人：无锡常安通用金属制品有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明公开一种铝铜钛结合金属组件，包括多个轧结金属层，所述多个轧结金属层包括一个钛中心层，所述钛中心层两侧结合有铝金属层，所述钛中心层与铝金属层之间结合有铜金属层。该结合金属组件具有均匀传热特性，铜的热膨胀系数介于钛和铝之间，且铜的热传导率均优于铝和钛，在铝钛之间结合一层铜，可有效解决铝钛因受热膨胀的相差太大而造成的开裂起翘问题，适合于制作熨斗底板、烹饪用具等。
一种铝铜钛结合金属组件及其制作方法

[发明专利]导热膜及其制备方法和应用-CN202310484559.5在审
发明人：周明;潘卓成;潘智军 -专利权人：安徽宇航派蒙健康科技股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本申请提供一种导热膜及其制备方法和应用，导热膜包括层叠设置的至少两层碳质导热层，相邻碳质导热层之间设置有钛金属层；导热膜还包括碳化钛层，碳化钛层位于相邻所述碳质导热层和所述钛金属层之间。本申请采用钛金属层连接多层碳质导热层，钛金属层与多层碳质导热层之间形成稳定的碳化钛层，实现导热膜的高导热性和高厚度。
导热及其制备方法应用

[发明专利]高阻尼的钛镍记忆合金/金属层状复合材料-CN201910864719.2有效
发明人：武高辉;刘凯;芶华松;杨文澍 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B22F7/04 文献下载
摘要：高阻尼的钛镍记忆合金/金属层状复合材料，涉及一种钛镍记忆合金/金属层状复合材料。目的是解决钛镍记忆合金复合材料的性能存在各向异性的问题。高阻尼的钛镍记忆合金/金属层状复合材料由数个钛镍记忆合金层和数个金属层构成，钛镍记忆合金层和金属层间隔设置；所述金属层的弹性模量为钛镍记忆合金的1.5～7倍；所述钛镍记忆合金层中含Ni原子百分比为48％本发明层状复合材料兼具了金属层的良好力学性能和钛镍记忆合金的高阻尼特性，耐辐照与空间腐蚀的能力更高，能够满足不同应用领域的需求。本发明适用于制备钛镍记忆合金/金属层状复合材料。
阻尼记忆合金金属层状复合材料

[发明专利]太阳能电池及生产方法、光伏组件-CN202011556800.3有效
发明人：刘继宇;李华 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：太阳能电池包括：硅基底、掺杂氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；掺杂氮化钛层设置在硅基底的一面，低功函数金属层设置在掺杂氮化钛层的一面，金属电极层设置在低功函数金属层的一面；低功函数金属层包含的低功函数金属高于金属钛的活性；其中，掺杂氮化钛层中包含的低功函数金属是从低功函数金属层中扩散进入形成的。本申请中，由于低功函数金属层可以在退火处理的过程中发生扩散，从而生成掺杂有低功函数金属层中低功函数金属的掺杂氮化钛层，使得掺杂氮化钛层的功函数降低，促进电子输运，进而提高太阳能电池的效率。
太阳能电池生产方法组件

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